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CQDD-8M
CQDD-8N
表面贴装
8 AMP硅TRIAC
600 THRU 800伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中环半导体CQDD -8M系列
类型是环氧模塑硅双向可控硅设计用于充分
波交流控制应用具有触发门
在所有的四(4)个象限。
标记:全部型号
D
2
PAK案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值单周期浪涌, T = 8.3ms的
I
2
为融合吨价, T = 8.3米
峰值功率门控, TP = 10微秒
平均门功耗
栅极峰值电流, TP = 10微秒
峰值栅极电压, TP = 10微秒
通态电流重复,崛起的关键量f = 60Hz的
工作结温
储存温度
热阻
热阻
符号
VDRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
的di / dt
TJ
TSTG
Θ
JA
Θ
JC
CQDD-8M
600
8.0
50
10
40
1.0
4.0
16
10
-40到+125
-40到+150
60
3.2
CQDD-8N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
测试条件
额定VDRM
额定VDRM , TC = 125°C
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
IT=100mA
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
ITM = 11A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , RGK =
,
TC=125°C
5.0
典型值
最大
10
500
4.5
17
4.7
0.95
1.35
1.30
20
50
25
1.50
2.50
1.75
单位
μA
μA
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
R2 ( 2010年12月)
CQDD-8M
CQDD-8N
表面贴装
8 AMP硅TRIAC
600 THRU 800伏
D
2
PAK案例 - 机械外形
前导码:
1 ) MT1
2 ) MT2
3 )门
4 ) MT2
标记:
全部型号
R2 ( 2010年12月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CQDD-8M
CQDD-8N
8.0 AMP TRIAC
600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中环半导体CQDD -8M
串联式是环氧模塑硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四(4)个象限。
标识代码:全型号
D
2
PAK案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值一个周期浪涌( T = 8.3ms的)
I
2
为融合吨值(T = 8.3ms的)
峰值功率门控( TP = 10微秒)
平均门功耗
栅极峰值电流( TP = 10微秒)
峰值栅极电压( TP = 10微秒)
通态电流临界上升率
重复( F = 60Hz)的
储存温度
结温
热阻
热阻
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
10
-40到+150
-40到+125
60
3.2
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
VDRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
CQDD
-8M
600
8.0
50
10
40
1.0
4.0
16
CQDD
-8N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM
额定VDRM , TC = 125°C
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
IT=100mA
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
ITM = 11A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , RGK = ∞ , TC = 125°C
5.0
典型值
最大
10
500
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
4.5
17
4.7
0.95
1.35
1.30
20
50
25
1.50
2.50
1.75
R1 ( 2004年24月)
中央
TM
半导体公司
CQDD-8M
CQDD-8N
8.0 AMP TRIAC
600 THRU 800伏
D
2
PAK案例 - 机械外形
前导码:
1 ) MT1
2 ) MT2
3 )门
4 ) MT2
标识代码:
全部型号
尺寸
英寸
MILLIMETERS
符号最小值
最大
最大
A
0.163 0.189 4.14
4.80
B
0.045 0.055 1.14
1.40
C
0.000 0.010 0.00
0.25
D
0.012 0.028 0.30
0.70
E
0.386 0.409 9.80 10.40
F
0.378 0.417 9.60 10.60
G
0.335 0.358 8.50
9.10
H
0.197 0.236 5.00
6.00
J
0.093 0.108 2.35
2.75
K
0.030 0.035 0.75
0.90
D2PAK ( REV : R2 )
R1 ( 2004年24月)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CQDD-8N
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CQDD-8N
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