CQ220-16B
CQ220-16D
CQ220-16M
CQ220-16N
16 AMP TRIAC
200通800伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体CQ220-16B
串联式是环氧模塑硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四(4)个象限。
标识代码:全型号
TO- 220 CASE
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值一个周期浪涌( T = 8.3ms的)
I
2
为融合吨值(T = 8.3ms的)
峰值功率门控( TP = 10微秒)
平均门功耗
栅极峰值电流( TP = 10微秒)
峰值栅极电压( TP = 10微秒)
通态电流临界上升率
重复( F = 60Hz)的
储存温度
结温
热阻
热阻
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
10
-40到+150
-40到+125
60
2.3
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
VDRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
CQ220
-16B
200
CQ220
-16D
400
16
110
50
40
1.0
6.0
16
CQ220 CQ220
-16M
-16N
600
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM
额定VDRM , TC = 125°C
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
IT=100mA
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
ITM = 22.5A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , RGK = ∞ , TC = 125°C
10
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
10.9
55.2
9.8
0.97
1.51
1.35
25
75
25
1.50
2.50
1.60
R2 ( 2004年24月)
CQ220-16B
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CQ220-16M
CQ220-16N
16 AMP TRIAC
200通800伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体CQ220-16B
串联式是环氧模塑硅双向可控硅
设计为全波AC控制应用
设有栅极触发在所有四(4)个象限。
标识代码:全型号
TO- 220 CASE
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值一个周期浪涌( T = 8.3ms的)
I
2
为融合吨值(T = 8.3ms的)
峰值功率门控( TP = 10微秒)
平均门功耗
栅极峰值电流( TP = 10微秒)
峰值栅极电压( TP = 10微秒)
通态电流临界上升率
重复( F = 60Hz)的
储存温度
结温
热阻
热阻
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
10
-40到+150
-40到+125
60
2.3
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
VDRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
CQ220
-16B
200
CQ220
-16D
400
16
110
50
40
1.0
6.0
16
CQ220 CQ220
-16M
-16N
600
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
民
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM
额定VDRM , TC = 125°C
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
IT=100mA
VD = 12V , RL = 10Ω ,四I , II , III
VD = 12V , RL = 10Ω , QUAD四
ITM = 22.5A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , RGK = ∞ , TC = 125°C
10
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V / μs的
10.9
55.2
9.8
0.97
1.51
1.35
25
75
25
1.50
2.50
1.60
R2 ( 2004年24月)