【订购数量： ENN8068CPH6614N沟道和P沟道MOSFET的硅CPH6614特点通用开关设备】,IC型号CPH6614,CPH6614 PDF资料,CPH6614经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN8068

CPH6614

N沟道和P沟道MOSFET的硅

CPH6614

特点

通用开关设备

应用

在CPH6614采用了N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低的导通电阻，

超高速的切换，从而可实现高密度安装。

优异的导通电阻特性。

最适合用于负载开关。

4V的驱动器。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(900mm

2

!0.8mm)1unit

条件

N沟道

30

±20

1.8

7.2

0.8

150

--55到150

P沟道

-

-30

±20

--1.2

--4.8

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ， ID = 1A

ID = 1A ， VGS = 10V

ID = 0.5A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

1.2

0.78

1.3

150

290

95

22

16

195

410

30

1

±10

2.6

V

A

V

S

m

pF

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： WA

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

D1004PE TS TB- 00000656 No.8068-1 / 6

CPH6614

从接下页。

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0

VDS = - 30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-0.6A

ID = - 0.6A ， VGS = -

-10V

ID = - 0.3A ， VGS = -

-4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.2A

IS = - 1.2A ， VGS = 0

--1.2

0.6

1.0

320

590

104

22

17

12.5

24

12

12.2

3.3

0.48

0.45

--0.91

--1.5

420

830

--30

--1

±10

--2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 1.8A

IS = 1.8A ， VGS = 0

评级

民

典型值

6.2

4.5

13

6.4

3.2

0.74

0.42

0.93

1.2

最大

单位

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm

2238

0.2

2.9

6

5

4

0.15

电气连接

6

5

4

0.05

1

0.6

1

2

3

0.95

2

3

1 ： GATE1

2 ：源2

3 ： GATE2

4 ： Drain2

5 ：源1

6 ： Drain1

顶视图

0.6

1.6

2.8

0.4

1 ： GATE1

2 ：源2

3 ： GATE2

4 ： Drain2

5 ：源1

6 ： Drain1

三洋： CPH6

0.7

0.9

0.2

No.8068-2/6

CPH6614

开关时间测试电路

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=1A

RL=15

VDD=15V

0V

--10V

VIN

ID = --0.6A

RL=25

[ P沟道]

VIN

VDD = --15V

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

G

P.G

50

S

P.G

50

S

1.8

ID - VDS

V

[ N沟道]

--1.2

ID - VDS

.0V

--

1

0

[ P沟道]

6.0

4.0

1.6

1.4

10.0

--

6

--1.0

漏极电流ID -

V

3.5

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

--0.8

--

3.0V

--0.6

3.0V

--0.4

--

4

.0V

V

VGS =

--

2.5V

VGS=2.5V

--0.2

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

漏极至源极电压VDS - V

2.0

IT07277

漏极至源极电压VDS - V

--2.0

IT07278

ID - VGS

TA

--25

°

C

75

°

C

VDS=10V

[ N沟道]

C

ID - VGS

VDS =

--

10V

[ P沟道]

TA

--25

°

C

75

°

C

25

°

1.8

1.6

--1.8

--1.6

漏极电流ID -

1.4

1.2

1.0

0.8

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

5

°

C

0.6

0.4

0.2

0

0.5

1.0

1.5

C

--25

°

C

75

°

C

TA

2

Ta

=

--0.2

0

3.5

4.0

4.5

0

--0.5

--1.0

--1.5

2.0

2.5

3.0

--2.0

--2.5

--25

75

°

--0.4

C

°

C

--3.0

--3.5

--4.0

栅极 - 源极电压VGS - V

IT07279

栅极 - 源极电压VGS - V

IT07280

No.8068-3/6

25

°

C

--4.5

CPH6614

700

RDS （ ON） - VGS

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

1200

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25°C

1000

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

600

500

800

400

1.0A

300

600

--600mA

ID=0.5A

400

ID = --300mA

200

100

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

200

0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

栅极 - 源极电压VGS - V

500

IT07281

RDS （ ON） - TA

栅极 - 源极电压VGS - V

1200

IT07282

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

1000

=4V

VGS

,

0.5A

I D =

=10V

A，V GS

.0

I D = 1

800

600

= --4V

A，V GS

-300m

I D = -

400

= --10V

600mA,

V GS

I D = -

200

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°

C

5

y

fs - ID

IT07283

环境温度，钽 -

°

C

5

[ N沟道]

正向转移导纳，

y

fs - S

VDS=10V

y

fs - ID

IT07284

[ P沟道]

VDS = --10V

正向转移导纳，

y

fs - S

3

2

3

2

1.0

7

5

3

2

°

C

25

-2

=-

C

5

°

1.0

7

5

3

2

Ta

75

°

C

=

Ta

--2

°

C

25

5

°

C

75

°

0.1

0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7 1.0

2

3

5

0.1

--0.01

2

3

5

7 --0.1

2

3

5

7 --1.0

2

3

漏极电流ID -

5

3

2

IT07285

IF - 室间隔缺损

漏极电流ID -

3

2

--1.0

IT07286

[ N沟道]

VGS=0

IF - 室间隔缺损

[ P沟道]

VGS=0

正向电流IF - 一个

1.0

7

5

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

5

°

C

0.1

7

5

3

2

0.01

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

--0.01

--0.4

--0.5

--0.6

TA

7

25

°

--25

2

TA

7

°

C

3

5

°

C

25

°

C

--25

°

C

--0.7

--0.8

--0.9

C

--1.0

--1.1

--1.2

二极管的正向电压， VSD - V

IT07287

二极管的正向电压， VSD - V

IT07288

No.8068-4/6

CPH6614

3

2

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=10V

切换时间， SW时间 - NS

3

2

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --15V

VGS = --10V

切换时间， SW时间 - NS

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

100

7

5

3

2

TD （关闭）

TD （上）

tf

TD （上）

10

7

5

3

TD （关闭）

tr

1.0

0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7

2

--0.01

2

3

5

7 --0.1

2

3

5

7 --1.0

2

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

漏极电流ID -

IT07289

[ N沟道]

f=1MHz

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

漏极电流ID -

IT07290

[ P沟道]

f=1MHz

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

7

5

西塞

100

7

5

西塞

3

2

3

2

科斯

CRSS

科斯

CRSS

10

0

5

10

15

20

25

30

IT07291

10

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT07292

漏极至源极电压VDS - V

10

9

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

--10

--9

[ N沟道]

VGS - 的Qg

[ P沟道]

栅极 - 源极电压VGS - V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

IT07293

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=1.8A

VDS = --10V

ID = --1.2A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

IT07294

总栅极电荷QG - 数控

10

7

5

3

2

总栅极电荷QG - 数控

7

5

3

2

ASO

IDP=7.2A

[ N沟道]

<10s

10

1m

0

s

漏极电流ID -

ASO

IDP = --4.8A

[ P沟道]

<10s

ID=1.8A

D

漏极电流ID -

ID = --1.2A

DC

10

0

1m

s

m

10

s

m

10

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

s

10

0m

s

n

io

a=

(T

er

at

10

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

0.01

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

!0.8mm)

1unit

2

3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2

3

5

漏极至源极电压VDS - V

C

op

a=

s

(T

0m

化

a

er

op

)

°

C

25

IT07295

25

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

--0.01

--0.01 2

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

!0.8mm)

1unit

3

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0

2 3

5 7 --10

2

3

5

)

°

C

IT07296

漏极至源极电压VDS - V

No.8068-5/6