订购数量: ENA1242A
CPH6442
三洋半导体
数据表
CPH6442
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
4V DRIVE
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--60
±20
-
-6
--24
1.6
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7018A-003
2.9
0.6
0.15
产品&包装信息
包
: CPH6
JEITA , JEDEC
: SC - 74 , SOT- 26 , SOT- 457
最小包装数量: 3000个/卷。
CPH6442-TL-E
6
5
4
0.2
包装类型: TL
0.05
记号
LOT号
2.8
1.6
0.6
1
2
0.95
3
0.4
TL
1 :排水
2 :排水
3 :门
4 :源
5 :排水
6 :排水
三洋: CPH6
0.2
电气连接
1, 2, 5, 6
0.9
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM / 61808PE TIIM TC- 00001429号A1242-1 / 7
ZU
CPH6442
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 6A , VGS = 0V
VDS = 30V , VGS = 10V , ID = 6A
VDS = 20V , F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = -
60V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 3A
ID = 3A , VGS = 10V
ID = 1.5A , VGS = 4.5V
ID = 1.5A , VGS = 4V
1.2
2.6
4.4
33
42
46
1040
90
55
12
请参阅特定网络版测试电路。
18
80
35
20
3.0
4.2
0.82
1.2
43
59
65
评级
民
60
1
±10
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
VDD=30V
ID=3A
RL=10Ω
VOUT
D
PW=10μs
D.C.≤1%
G
CPH6442
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
CPH6442-TL-E
包
CPH6
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
第A1242-2 / 7