订购数量： ENA1078
CPH6003A
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管
CPH6003A
特点
高频中功率扩增fi er
应用
高增益（ FT = 7GHz的典型值）。
大电流（ IC = 150毫安） 。
超小型和超薄6PIN包。
大收藏家Disspation （ 800mW的） 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
0.8mm)
2
条件
评级
20
12
2
150
800
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 50毫安
VCE = 5V ， IC = 50毫安
100
7
条件
评级
民
典型值
最大
1.0
10
180
GHz的
单位
μA
μA
标记： GC
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
D2408AB MS IM TC- 00001809号A1078-1 / 5
CPH6003A
从接下页。
参数
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
COB
CRE
2
S21e
NF
条件
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
评级
民
典型值
1.3
0.9
9
1.8
3.0
最大
2.0
单位
pF
pF
dB
dB
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7018A-002
0.6
2.9
0.15
6
5
4
0.2
2.8
1.6
0.05
0.6
1
2
0.95
3
0.4
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
0.9
0.2
160
140
IC - VCE
μ
A
1000
A
900
μ
A
800
μ
700
μ
A
5
的hFE - IC
VCE=5V
集电极电流， IC - 毫安
100
80
60
40
20
0
0
直流电流增益， hFE参数
120
3
600
μ
A
500
μ
A
400
μ
A
300
μ
A
2
100
200
μA
100
μA
IB=0
μA
2
4
6
8
10
IT14230
7
7
5
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7 100
2
3
集电极 - 发射极电压VCE - V
10
F T - IC
集电极电流， IC - 毫安
IT14231
COB - VCB
f=1MHz
VCE=5V
5
增益带宽积， F T - GHz的
5
输出电容，科夫 - pF的
2
3
5
7
2
3
5
7 100
2
3
7
3
2
3
2
1.0
7
1.0
1.0
10
5
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
集电极电流， IC - 毫安
IT10199
集电极 - 基极电压VCB - V
IT10200
第A1078-2 / 5
CPH6003A
的S参数（共发射极）
VCE = 5V ， IC = 20mA时， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
S11
0.550
0.492
0.477
0.470
0.518
0.513
0.510
0.508
0.503
0.497
0.493
0.489
∠S
11
254.1
218.1
201.9
192.4
181.0
175.8
171.5
167.6
163.7
160.1
156.8
153.4
S21
21.532
12.273
8.448
6.427
5.015
4.221
3.658
3.234
2.900
2.636
2.419
2.243
∠S
21
119.9
103.0
95.3
90.4
86.8
83.9
81.3
78.9
76.7
74.4
72.5
70.5
S12
0.036
0.050
0.063
0.078
0.089
0.104
0.120
0.135
0.150
0.166
0.181
0.196
∠S
12
54.6
56.5
61.7
65.3
68.2
70.2
71.7
72.7
73.2
73.7
73.9
74.1
S22
0.527
0.332
0.267
0.242
0.217
0.216
0.214
0.220
0.225
0.231
0.239
0.247
∠S
22
-62.8
-80.3
-88.3
268.1
245.3
245.8
247.2
249.3
251.3
254.6
256.3
258.8
VCE = 5V ， IC = 50mA时ZO = 50Ω
频率（MHz ）
S11
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.465
0.449
0.445
0.443
0.502
0.497
0.494
0.490
0.485
0.478
0.473
0.468
∠S
11
231.1
203.4
191.6
184.2
175.0
170.3
166.4
162.8
159.1
155.5
152.3
149.0
S21
25.203
13.519
9.177
6.947
5.407
4.550
3.944
3.483
3.127
2.845
2.608
2.423
∠S
21
111.9
98.7
92.7
88.8
86.1
83.7
81.5
79.4
77.4
75.5
73.6
71.9
S12
0.029
0.045
0.061
0.078
0.092
0.110
0.127
0.144
0.161
0.178
0.195
0.211
∠S
12
59.2
65.7
70.4
72.8
74.7
75.6
76.2
76.4
76.2
76.1
75.9
75.5
S22
0.413
0.269
0.230
0.218
0.231
0.229
0.225
0.228
0.230
0.230
0.236
0.239
∠S
22
-79.9
259.6
250.7
247.3
224.3
225.5
227.1
229.9
232.4
236.1
238.6
242.0
VCE = 5V ， IC = 100mA时ZO = 50Ω
频率（MHz ）
S11
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.451
0.448
0.448
0.446
0.508
0.503
0.500
0.497
0.490
0.484
0.479
0.473
∠S
11
219.5
196.7
187.0
180.7
172.6
168.3
164.6
161.2
157.6
154.2
151.0
147.8
S21
25.808
13.593
9.193
6.953
5.408
4.550
3.944
3.480
3.132
2.842
2.614
2.423
∠S
21
108.5
96.8
91.4
87.8
85.5
83.1
81.0
79.0
77.0
75.0
73.3
71.6
S12
0.026
0.043
0.060
0.078
0.093
0.110
0.128
0.145
0.163
0.180
0.197
0.214
∠S
12
62.4
69.8
73.8
75.5
76.9
77.5
77.8
77.8
77.4
77.1
76.7
76.3
S22
0.359
0.240
0.212
0.205
0.228
0.226
0.223
0.226
0.228
0.227
0.232
0.236
∠S
22
-86.7
253.1
244.9
242.3
219.9
221.5
223.4
226.5
229.1
233.1
235.8
239.3
第A1078-4 / 5
CPH6003A
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的12月， 2008年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1078-5 / 5
订购数量： ENA1078A
CPH6003A
三洋半导体
数据表
CPH6003A
特点
NPN外延平面硅晶体管
高频中功率扩增fi er
应用
高增益（ FT = 7GHz的典型值）
高电流（ IC = 150毫安）
超小型，薄型封装6PIN
大收藏家Disspation （ 800mW的）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
20
12
2
150
800
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7018A-002
CPH6003A-TL-E
0.2
产品&包装信息
包
： CPH6
JEITA ， JEDEC
： SC - 74 ， SOT- 26 ， SOT- 457
最小包装数量： 3000个/卷。
0.6
2.9
6
5
4
0.15
包装类型： TL
记号
GC
TL
0.6
1
2
0.95
3
0.4
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
电气连接
1, 2, 5, 6
0.9
0.2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / D2408ABMS IM TC- 00001809号A1078-1 / 7
LOT号
2.8
1.6
0.05
CPH6003A
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
CRE
|
S21e
|
NF
2
条件
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
评级
民
典型值
最大
1.0
10
100
7
1.3
0.9
9
1.8
3.0
2.0
180
单位
μA
μA
GHz的
pF
pF
dB
dB
标记： GC接下页
订购信息
设备
CPH6003A-TL-E
包
CPH6
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
第A1078-2 / 7
CPH6003A
的S参数（共发射极）
VCE = 5V ， IC = 20mA时， ZO = 50
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
S11
0.550
0.492
0.477
0.470
0.518
0.513
0.510
0.508
0.503
0.497
0.493
0.489
S11
254.1
218.1
201.9
192.4
181.0
175.8
171.5
167.6
163.7
160.1
156.8
153.4
S21
21.532
12.273
8.448
6.427
5.015
4.221
3.658
3.234
2.900
2.636
2.419
2.243
S21
119.9
103.0
95.3
90.4
86.8
83.9
81.3
78.9
76.7
74.4
72.5
70.5
S12
0.036
0.050
0.063
0.078
0.089
0.104
0.120
0.135
0.150
0.166
0.181
0.196
S12
54.6
56.5
61.7
65.3
68.2
70.2
71.7
72.7
73.2
73.7
73.9
74.1
S22
0.527
0.332
0.267
0.242
0.217
0.216
0.214
0.220
0.225
0.231
0.239
0.247
S22
-62.8
-80.3
-88.3
268.1
245.3
245.8
247.2
249.3
251.3
254.6
256.3
258.8
VCE = 5V ， IC = 50mA时ZO = 50
频率（MHz ）
S11
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.465
0.449
0.445
0.443
0.502
0.497
0.494
0.490
0.485
0.478
0.473
0.468
S11
231.1
203.4
191.6
184.2
175.0
170.3
166.4
162.8
159.1
155.5
152.3
149.0
S21
25.203
13.519
9.177
6.947
5.407
4.550
3.944
3.483
3.127
2.845
2.608
2.423
S21
111.9
98.7
92.7
88.8
86.1
83.7
81.5
79.4
77.4
75.5
73.6
71.9
S12
0.029
0.045
0.061
0.078
0.092
0.110
0.127
0.144
0.161
0.178
0.195
0.211
S12
59.2
65.7
70.4
72.8
74.7
75.6
76.2
76.4
76.2
76.1
75.9
75.5
S22
0.413
0.269
0.230
0.218
0.231
0.229
0.225
0.228
0.230
0.230
0.236
0.239
S22
-79.9
259.6
250.7
247.3
224.3
225.5
227.1
229.9
232.4
236.1
238.6
242.0
VCE = 5V ， IC = 100mA时ZO = 50
频率（MHz ）
S11
100
0.451
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.448
0.448
0.446
0.508
0.503
0.500
0.497
0.490
0.484
0.479
0.473
S11
219.5
196.7
187.0
180.7
172.6
168.3
164.6
161.2
157.6
154.2
151.0
147.8
S21
25.808
13.593
9.193
6.953
5.408
4.550
3.944
3.480
3.132
2.842
2.614
2.423
S21
108.5
96.8
91.4
87.8
85.5
83.1
81.0
79.0
77.0
75.0
73.3
71.6
S12
0.026
0.043
0.060
0.078
0.093
0.110
0.128
0.145
0.163
0.180
0.197
0.214
S12
62.4
69.8
73.8
75.5
76.9
77.5
77.8
77.8
77.4
77.1
76.7
76.3
S22
0.359
0.240
0.212
0.205
0.228
0.226
0.223
0.226
0.228
0.227
0.232
0.236
S22
-86.7
253.1
244.9
242.3
219.9
221.5
223.4
226.5
229.1
233.1
235.8
239.3
第A1078-4 / 7
订购数量： ENA1078A
CPH6003A
三洋半导体
数据表
CPH6003A
特点
NPN外延平面硅晶体管
高频中功率扩增fi er
应用
高增益（ FT = 7GHz的典型值）
高电流（ IC = 150毫安）
超小型，薄型封装6PIN
大收藏家Disspation （ 800mW的）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
20
12
2
150
800
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7018A-002
CPH6003A-TL-E
0.2
产品&包装信息
包
： CPH6
JEITA ， JEDEC
： SC - 74 ， SOT- 26 ， SOT- 457
最小包装数量： 3000个/卷。
0.6
2.9
6
5
4
0.15
包装类型： TL
记号
GC
TL
0.6
1
2
0.95
3
0.4
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
电气连接
1, 2, 5, 6
0.9
0.2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / D2408ABMS IM TC- 00001809号A1078-1 / 7
LOT号
2.8
1.6
0.05
CPH6003A
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
CRE
|
S21e
|
NF
2
条件
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
VCE = 5V ， IC = 50mA时F = 1GHz的
评级
民
典型值
最大
1.0
10
100
7
1.3
0.9
9
1.8
3.0
2.0
180
单位
μA
μA
GHz的
pF
pF
dB
dB
标记： GC接下页
订购信息
设备
CPH6003A-TL-E
包
CPH6
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
第A1078-2 / 7
CPH6003A
的S参数（共发射极）
VCE = 5V ， IC = 20mA时， ZO = 50
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
S11
0.550
0.492
0.477
0.470
0.518
0.513
0.510
0.508
0.503
0.497
0.493
0.489
S11
254.1
218.1
201.9
192.4
181.0
175.8
171.5
167.6
163.7
160.1
156.8
153.4
S21
21.532
12.273
8.448
6.427
5.015
4.221
3.658
3.234
2.900
2.636
2.419
2.243
S21
119.9
103.0
95.3
90.4
86.8
83.9
81.3
78.9
76.7
74.4
72.5
70.5
S12
0.036
0.050
0.063
0.078
0.089
0.104
0.120
0.135
0.150
0.166
0.181
0.196
S12
54.6
56.5
61.7
65.3
68.2
70.2
71.7
72.7
73.2
73.7
73.9
74.1
S22
0.527
0.332
0.267
0.242
0.217
0.216
0.214
0.220
0.225
0.231
0.239
0.247
S22
-62.8
-80.3
-88.3
268.1
245.3
245.8
247.2
249.3
251.3
254.6
256.3
258.8
VCE = 5V ， IC = 50mA时ZO = 50
频率（MHz ）
S11
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.465
0.449
0.445
0.443
0.502
0.497
0.494
0.490
0.485
0.478
0.473
0.468
S11
231.1
203.4
191.6
184.2
175.0
170.3
166.4
162.8
159.1
155.5
152.3
149.0
S21
25.203
13.519
9.177
6.947
5.407
4.550
3.944
3.483
3.127
2.845
2.608
2.423
S21
111.9
98.7
92.7
88.8
86.1
83.7
81.5
79.4
77.4
75.5
73.6
71.9
S12
0.029
0.045
0.061
0.078
0.092
0.110
0.127
0.144
0.161
0.178
0.195
0.211
S12
59.2
65.7
70.4
72.8
74.7
75.6
76.2
76.4
76.2
76.1
75.9
75.5
S22
0.413
0.269
0.230
0.218
0.231
0.229
0.225
0.228
0.230
0.230
0.236
0.239
S22
-79.9
259.6
250.7
247.3
224.3
225.5
227.1
229.9
232.4
236.1
238.6
242.0
VCE = 5V ， IC = 100mA时ZO = 50
频率（MHz ）
S11
100
0.451
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.448
0.448
0.446
0.508
0.503
0.500
0.497
0.490
0.484
0.479
0.473
S11
219.5
196.7
187.0
180.7
172.6
168.3
164.6
161.2
157.6
154.2
151.0
147.8
S21
25.808
13.593
9.193
6.953
5.408
4.550
3.944
3.480
3.132
2.842
2.614
2.423
S21
108.5
96.8
91.4
87.8
85.5
83.1
81.0
79.0
77.0
75.0
73.3
71.6
S12
0.026
0.043
0.060
0.078
0.093
0.110
0.128
0.145
0.163
0.180
0.197
0.214
S12
62.4
69.8
73.8
75.5
76.9
77.5
77.8
77.8
77.4
77.1
76.7
76.3
S22
0.359
0.240
0.212
0.205
0.228
0.226
0.223
0.226
0.228
0.227
0.232
0.236
S22
-86.7
253.1
244.9
242.3
219.9
221.5
223.4
226.5
229.1
233.1
235.8
239.3
第A1078-4 / 7
QQ：2880707522 复制
