CNY17-1 ， CNY17-2 ， CNY17-3
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
输入LED
正向电压（ IF = 60 mA）的
TA = 25°C
TA = -55°C
TA = 100℃
VF
—
—
—
—
—
1.35
1.5
1.25
—
18
1.65
—
—
10
—
伏
符号
民
典型值
最大
单位
反向漏电流（ VR = 6 V）
电容（V = 0中，f = 1 MHz）的
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
（ VCE = 10 V ， TA = 25 ° C）
（ VCE = 10 V ， TA = 100 ° C）
集电极 - 基极暗电流（ VCB = 10V）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1 mA）的
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100
A)
发射极 - 基极击穿电压（IE = 100
A)
直流电流增益（ IC = 2毫安， VCE = 5V） （典型值）
集电极 - 发射极电容（ F = 1MHz时， VCE = 0 ）
集电极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VCB = 0 ）
发射极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VEB = 0 ）
再加
输出集电极电流
（ IF = 10 mA时， VCE = 5V）
CNY17–1
CNY17–2
CNY17–3
CNY17–1,2
CNY17–3
所有器件
IR
CJ
A
pF
I
首席执行官
—
—
—
—
70
70
7
—
—
—
—
5
5
1.6
0.5
120
120
7.8
400
8
21
8
50
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
A
nA
伏
伏
伏
—
pF
pF
pF
I
首席执行官
ICBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
的hFE
CCE
建行
CEB
集成电路（ CTR）， （2）
4 (40)
6.3 (63)
10 (100)
—
—
—
—
—
—
—
6 (60)
10 (100)
15 (150)
0.18
1.6
1.6
0.7
2.3
1.2
1.8
3.3
5
4.4
2, 7
9.7
9.4, 20
—
—
0.2
8 (80)
12.5 (125)
20 (200)
0.4
5.6
4
4.1
3.5
5.5
8
MA（ ％ ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 2.5 mA时， IF = 10 mA）的
延迟时间（ IF = 10 mA时， VCC = 5V ， RL = 75
,
图11）的
上升时间（ IF = 10 mA时， VCC = 5V ， RL = 75
,
图11）的
存储时间（ IF = 10 mA时， VCC = 5V ， RL = 75
,
图11）的
下降时间（ IF = 10 mA时， VCC = 5V ， RL = 75
,
图11）的
延迟时间
（IF = 20毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
（IF = 10毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
上升时间
（IF = 20毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
（IF = 10毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
贮存时间
（IF = 20毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
（IF = 10毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
下降时间
（IF = 20毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
（IF = 10毫安， Vcc = 5V， RL = 1千欧）， （3）
隔离电压中（f = 60赫兹，吨= 1秒）（4）
隔离电阻（ V = 500伏）（4）
隔离电容（ V = 0中，f = 1 MHz）的（4）
1.
2.
3.
4.
CNY17–1
CNY17–2,3
VCE （ SAT ）
td
tr
ts
tf
td
伏
s
s
s
s
s
tr
CNY17–1
CNY17–2,3
ts
CNY17–1
CNY17–2,3
tf
CNY17–1
CNY17–2,3
VISO
RISO
CISO
—
—
7500
1011
—
20
24
—
—
0.5
—
—
34
39
—
—
4
6
s
s
s
VAC （ PK）
pF
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR） = IC / IF ×100％ 。
测试电路的设置和波形，参见图11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
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