订购数量: ENA0151A
CPH3350
三洋半导体
数据表
CPH3350
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
超高速开关
1.8V驱动
无卤合规
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--20
±10
-
-3
--12
1.0
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7015A-004
CPH3350-TL-H
2.9
0.6
0.15
产品&包装信息
包
: CPH3
JEITA , JEDEC
: SC - 59 , TO- 236 , SOT -23
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
记号
3
WG
TL
2.8
1.6
0.05
0.6
1
0.95
2
0.4
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: CPH3
电气连接
3
0.9
0.2
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
60612 TKIM / D1411PE TKIM TC- 00002683号A0151-1 / 7
LOT号
0.2
CPH3350
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = - 3A , VGS = 0V
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 3A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 10V , F = 1MHz的
条件
-1mA,
VGS=0V
ID = -
-20V,
VGS=0V
VDS = -
VGS = ± 8V , VDS = 0V
-10V,
ID = -
-1mA
VDS = -
-10V,
ID = -
-1.5A
VDS = -
-1.5A,
VGS = -
-4.5V
ID = -
-1A,
VGS = -
-2.5V
ID = -
-0.2A,
VGS = -
-1.8V
ID = -
评级
民
--20
-
-1
±10
--0.4
4.3
64
89
131
375
77
58
8.1
26
42
37
4.6
0.8
1.3
-
-0.83
-
-1.2
83
124
196
-
-1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VDD = --10V
ID = --1.5A
RL=6.67Ω
D
VOUT
0V
--4.5V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
CPH3350
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
CPH3350-TL-H
包
CPH3
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A0151-2 / 7