【订购数量： ENA0922CPH3348三洋半导体数据表P沟道MOSFET硅CPH3348特点通用开】,IC型号CPH3348,CPH3348 PDF资料,CPH3348经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0922

CPH3348

三洋半导体

数据表

P沟道MOSFET硅

CPH3348

特点

通用开关设备

应用

超高速开关。

1.8V驱动

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 1200毫米

0.8mm)

条件

评级

--12

±10

--3

--12

1.0

150

--55到150

单位

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = -

-12V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = -

-6V ， ID = - 1毫安

VDS = -

-6V ， ID = - 1.5A

ID = - 1.5A ， VGS = -

-4.5V

ID = - 0.8A ， VGS = -

-2.5V

ID = - 0.3A ， VGS = -

-1.8V

评级

民

--12

--10

±10

--0.4

2.7

4.5

125

115

215

--1.4

典型值

最大

单位

标记： WE

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得

意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天

仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全

设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，

故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证

物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们

客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请

与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们

客户应自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不

的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证

客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态

设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或

设备。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

91907PE TI IM TC- 00000901号A0922-1 / 4

CPH3348

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

条件

VDS =

6V ， F = 1MHz的

VDS =

6V ， F = 1MHz的

VDS =

6V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS =

6V ， VGS =

4.5V ，ID =

VDS =

6V ， VGS =

4.5V ，ID =

VDS =

6V ， VGS =

4.5V ，ID =

是“

3A ， VGS = 0V

评级

民

典型值

405

145

100

8.8

5.6

0.7

1.6

最大

单位

0.85

1.2

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7015A-004

2.9

0.6

开关时间测试电路

VIN

--4.5V

VDD = --6V

0.15

0.2

VIN

ID = --1.5A

RL=4

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

2.8

1.6

0.05

0.6

0.95

0.4

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

三洋： CPH3

CPH3348

P.G

0.9

0.2

--3

ID - VDS

--5.0V

--6.0V

--3.0

--2.5

--1

.8V

--4

ID - VGS

VDS = --6V

--4.5

漏极电流ID -

--3

--2

.5V

V GS = --1

--1

--2

--1

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

IT12599

漏极至源极电压VDS - V

300

IT12598

200

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

250

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

--0.8A

200

150

--0.3A

， I D =

= --1.

V GS

150

--1.5A

ID = --0.3A

100

= --0.

为4.5V ， I D

--2

V GS =

= --1.5A

4.5V ， I D

V GS = -

--2

--4

--6

--8

IT12600

--60

--40

--20

Ta=75

--25

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

环境温度，钽 -

IT12601

第A0922-2 / 4

CPH3348

fs - ID

VDS = --6V

正向转移导纳，

fs - S

--10

IS - VSD

VGS=0V

1.0

源出电流，是 - 个

--2

--1.0

--0.1

--0.01

--0.2

0.1

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--0.4

--25

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT12603

漏极电流ID -

IT12602

1000

SW时间 - ID

VDD = --6V

VGS = --4.5V

西塞，科斯，的Crss - VDS

f=1MHz

二极管的正向电压， VSD - V

切换时间， SW时间 - NS

100

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

科斯

100

TD （上）

CRSS

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7

IT12604

--10

--2

--4

--6

--8

--10

--12

IT12605

漏极电流ID -

--4.5

--4.0

--3.5

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

ASO

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --6V

ID = --3A

IDP = --12A

漏极电流ID -

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

IT12606

--1.0

--0.1

ID ↓

--3A

RAT

离子

PW≤10s

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

)

--0.01

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 1200毫米

0.8mm)

5 7 --0.1

2 3

5 7 --1.0

2 3

5 7 --10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.2

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

IT12869

允许功耗， PD - 含

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

)

120

140

160

100

环境温度，钽 -

°C

IT12870

第A0922-3 / 4

CPH3348

注意使用情况：由于CPH3348是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数）。

本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或

故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦

烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用

安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不

为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构

设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，

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这导致从使用的技术信息和产品提intellctual产权

以上。

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更改，恕不另行通知。

PS第A0922-4 / 4