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过程
超快速整流器
CPD18
中央
TM
8安培玻璃钝化整流芯片
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
阳极接合焊盘面积
顶面金属化
背面金属化
玻璃钝化MESA
98 X 98 MILS
12.2 MILS
82.5 X 82.5 MILS
金 - 5000埃
金 - 2000埃
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
1,170
主体装置类型
1N5807 1N5811直通
UES1301通UES1306
UES1401通UES1403
CUDD8-02系列
BACKSIDE阴极
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110
传真: ( 631 ) 435-1824
www.centralsemi.com
R2 ( 2003年19月)
中央
TM
过程
CPD18
半导体公司
典型电气特性
0.001
0
200
400
600
800
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模具厚度
阳极接合焊盘面积
顶面金属化
背面金属化
玻璃钝化MESA
98 X 98 MILS
12.2 MILS
82.5 X 82.5 MILS
金 - 5000埃
金 - 2000埃
几何
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1,170
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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