【过程CP337V小信号晶体管NPN - 饱和开关晶体管芯片流程细节过程模具尺寸模具厚度BASE焊盘区】,IC型号CP337V,CP337V PDF资料,CP337V经销商,ic,电子元器件-51电子网

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过程

CP337V

小信号晶体管

NPN - 饱和开关晶体管芯片

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

13,192

主体装置类型

2N3725A

2N4014

外延平面

29 X 29 MILS

7.1 MILS

11.8 X 4.5 MILS

11.8 X 4.5 MILS

艾尔 -

30,000

金 - 为 - 13,000

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R0 （ 2005年26月）

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