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过程
小信号晶体管
NPN - 射频晶体管芯片
CP223
中央
TM
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
23,340
主体装置类型
2N3866
外延平面
22× 22密耳
8.0 MILS
3.5 MILS直径
3.5× 3.5密耳
艾尔 - 30,000
金 - 12,000
BACKSIDE集热器
145亚当斯大街
Hauppauge的,纽约州11788美国
联系电话: ( 631 ) 435-1110
传真: ( 631 ) 435-1824
www.centralsemi.com
R1 (2002年1月)
中央
TM
过程
CP223
半导体公司
典型电气特性
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R1 (2002年1月)
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联系人:刘先生
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CP223
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