CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ，可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X （如CNY17F2M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性（续）
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。 （4）
F = 60赫兹，吨= 1秒。 （4）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC （ 4 ）
V
我-O
= O，F = 1兆赫（4）
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
—
—
0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
on
—
（典型值） *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
QQ：2881677436 复制
