6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
在选择范围较窄组的电流传输比
CNY17-1 ， CNY17F -1： 40-80％
CNY17-2 ， CNY17F - 2 ： 63-125 ％
CNY17-3 ， CNY17F -3 ：100-200 ％
CNY17-4 ， CNY17F -4： 160-320 ％
输入和输出之间的高隔离电压
（维索= 5000 V有效值）
爬电距离> 7.6毫米
工作温度可达+ 110℃
该CNY17F -X系列提供了无需外接底座的连接
最小噪音的敏感性
紧凑型双列直插式封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
概要
描述
该CNY17 - X和CNY17F -X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管。
Ipackaged采用6引脚DIP封装，可
宽引线间距和SMD选项。
CNY17-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
CNY17F-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
1
Rev.5
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2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压*
1
产量
集电极电流
发射极 - 集电极电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
V
首席执行官
V
CBO
I
C
V
ECO
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
等级
60
1
6
100
3.8
80
80
50
7
150
9.0
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
V
mW
毫瓦/°C的
mW
VRMS
°C
°C
°C
笔记
* 1仅适用于CNY17 - X系列。
* 2交流电源，1分钟; RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 3 10秒。
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2
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2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
-
-
18
马克斯。
1.65
10
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
CNY17-X
只
符号
I
CBO
I
首席执行官
BV
首席执行官
CNY17-X
只
BV
CBO
BV
ECO
C
CE
分钟。
-
-
80
80
7
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
8
马克斯。
20
50
-
-
-
-
单位
nA
nA
V
V
V
pF
条件
V
CB
= 10V ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 1mA时，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
VCE = 0V ， F = 1MHz的
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
a
= 25°C
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
CNY17-1
CNY17F-1
当前
转让
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
CNY17-1
CNY17F-1
电流传输
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
T
r
T
f
T
r
T
f
CTR
符号
分钟。
40
63
CTR
100
160
13
22
34
56
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
10
9
6
8
2
3
200
320
-
-
-
-
0.3
-
-
12
12
10
10
10
10
TYP 。 *
-
-
马克斯。
80
125
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
单位
条件
%
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
V
Ω
pF
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安，R
L
= 100Ω
参见图。 11
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 75Ω ，见图。 11
s
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
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5
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
特点
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6
NC
5 C
4 E
用于改进没有相应的终端连接
共模接口免疫
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
18216
机构认证
描述
该CNY17F是光耦组成的镓
砷化镓红外发光二极管光耦合到一个硅
在一个塑料插件DIP - 6的平面光电晶体管探测器
封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。潜力
不允许被连接的电路之间的区别
超过允许的最大参考电压。
与此相反的CNY17系列，所述的基极端
F型不conected ，产生了显着改善
共模干扰免疫。
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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221
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极发射极击穿电压
集电极电流
总功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间的称为
标准的气候23/50 DIN 50014
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
t
≤
1.0毫秒
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
70
50
100
150
V
mA
mA
mW
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
基地集电极电容
发射基地电容
热阻
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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222
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CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
电气特性的影响
参数
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17F-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17F-1
I
F
= 10毫安
电流传输比
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
记
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
=受短线数字5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流。
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
线性运算（不饱和）
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
开关操作（与饱和度）
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
F
1 KΩ
V
CC
= 5
Ω
45
Ω
47
Ω
icny17f_01
icny17f_02
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
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文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
威世半导体
1000
(T
A
= - 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17f_03
1
1
10
0.1
icny17f_06
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 0 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 75 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
10
1
2
3
4
I
C
(%)
I
F
100
100
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_04
1
1
10
0.1
icny17f_07
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
I
C
(%)
I
F
100
I
C
(%)
I
F
100
3
2
1
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_05
1
10
10
- 25
icny17f_08
0
25
50
75
I
F
（MA ）
T
A
(°C)
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
在选择范围较窄组的电流传输比
CNY17-1 ， CNY17F -1： 40-80％
CNY17-2 ， CNY17F - 2 ： 63-125 ％
CNY17-3 ， CNY17F -3 ：100-200 ％
CNY17-4 ， CNY17F -4： 160-320 ％
输入和输出之间的高隔离电压
（维索= 5000 V有效值）
爬电距离> 7.6毫米
工作温度可达+ 110℃
该CNY17F -X系列提供了无需外接底座的连接
最小噪音的敏感性
紧凑型双列直插式封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准（编号716108 /编号716109 ）
NEMKO （第P06206747 ）
DEMKO （编号313924 ）
FIMKO （编号FI 22807 ）
CSA认证（ No.1969132 ）
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
概要
描述
该CNY17 - X和CNY17F -X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管。
它们封装在一个6引脚DIP封装，
可在宽引线间距和SMD选项。
CNY17-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
CNY17F-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
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文件编号： DPC - 717-045修订版3
1
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2007年4月1日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压*
1
产量
发射极 - 集电极电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
等级
50
1
6
70
3.8
80
80
7
150
9.0
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mW
VRMS
°C
°C
°C
笔记
* 1仅适用于CNY17 - X系列。
* 2交流电源，1分钟; RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 3 10秒。
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
-
-
18
马克斯。
1.65
10
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
CNY17-X
只
符号
I
CBO
I
首席执行官
BV
首席执行官
CNY17-X
只
BV
CBO
BV
ECO
C
CE
分钟。
-
-
80
80
7
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
8
马克斯。
20
50
-
-
-
-
单位
nA
nA
V
V
V
pF
条件
V
CB
= 10V ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 1mA时，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
VCE = 0V ， F = 1MHz的
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
a
= 25°C
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3
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
CNY17-1
CNY17F-1
当前
转让
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
CNY17-1
CNY17F-1
电流传输
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
T
r
T
f
T
r
T
f
CTR
34
56
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
10
9
6
8
2
3
-
-
0.3
-
-
12
12
10
10
10
10
CTR
100
160
13
22
-
-
-
-
200
320
-
-
符号
分钟。
40
63
TYP 。 *
-
-
马克斯。
80
125
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
单位
条件
%
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
V
Ω
pF
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安，R
L
= 100Ω
参见图。 11
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 75Ω ，见图。 11
s
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
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CNY17F - 1X ， CNY17F -2X ， CNY17F -3X ， CNY17F -4X
CNY17F -1， CNY17F -2， CNY17F -3， CNY17F -4-
非铅基
光耦合隔离器
光电晶体管输出
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
l
通过以下认证， EN60950
检验机构： -
NEMKO - 证书号P01102464
FIMKO - 证书编号FI18166
SEMKO - 编号为0202037 / 01-22
DEMKO - 证书311158-01号
l
BSI认可 - Cetificate 8001号
描述
TheCNY17F-1,CNY17F-2,CNY17F-3,CNY17F-4
系列光耦合隔离器由
红外发光二极管和NPN型硅
在一个标准的6引脚双列直插式光电晶体管
塑料封装，管脚悬空。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
管脚悬空，以提高噪声
免疫力高EMI环境
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
60mA
6V
105mW
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
70V
6V
160mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
总功耗
200mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦， TS25 1YD England电话： （ 01429 ） 863609
传真： （ 01429 ） 863581电子邮件sales@isocom.co.uk
http://www.isocom.com
11/2/03
DB92179m-AAS/A3
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
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