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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
NPN数字硅晶体管
电压50伏
应用
*开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路。
CHDTC144EEPT
目前的30 mAmpere
特征
*小型表面安装型。 ( SC - 75 / SOT- 416 )
*高电流增益。
*适用于高封装密度。
*
*
*
*
低colloector发射极饱和。
高饱和电流能力。
内部隔离的NPN型晶体管在一个封装中。
内置偏置电阻( R1 = 47千欧姆,典型值)。
0.1
0.2±0.05
0.5 1.6±0.2
0.5
SC-75/SOT-416
(2)
(3)
1.0±0.1
0.1
0.3±0.05
施工
*一个NPN晶体管和薄膜电阻器于一体的偏见
封装。
0.1
0.2±0.05
0.8±0.1
(1)
记号
WE
GND
In
1
0.15±0.05
0.1Min.
0.6~0.9
0~0.1
1.6±0.2
电路
2
R2
TR
R1
3
OUT
单位:毫米
SC-75/SOT-416
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CC
V
IN
I
O
直流输出电流
I
C(最大值)。
P
合计
T
英镑
T
J
-S
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2003-12
参数
电源电压
输入电压
条件
分钟。
马克斯。
50
+40
30
V
V
单位
-10
T
AMB
25
O
C,注意1
55
结 - 焊接点
mA
100
150
+150
150
150
mW
O
总功耗
储存温度
结温
热阻
C
C
C / W
O
O
额定特性( CHDTC144EEPT )
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
IOFF )
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
C( OFF)
h
FE
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入过电压
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入电阻
电阻率
跃迁频率
I
C
= 5毫安,V
CE
=10.0V
f=100MHz
=
条件
I
O
=为100uA ; V
CC
=5.0V
I
O
= 2毫安; V
O
=0.3V
I
O
= 10毫安;我
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
I
=0V; V
CC
=50V
I
O
= 5毫安; V
O
=5.0V
68
32.9
0.8
分钟。
0.5
47
1.0
250
典型值。
马克斯。
3.0
0.3
0.18
0.5
61.1
1.2
K
兆赫
V
V
V
mA
uA
单位
1.Pulse测试: tp≤300uS ;
δ≤0.02.
额定值特性曲线( CHDTC144EEPT )
典型电气特性
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
100
50
V
O
=0.3V
图2输出电流与输入电压
(关特征)
10m
5m
输出电流:木卫一
(A)
V
CC
=5V
输入电压: V
我(上)
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100
200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
TA = - 40
O
C
25
O
C
=
100
O
C
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100
O
C
25
O
C
-40
O
C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
图3直流电流增益与输出
当前
1k
500
直流电流增益:摹
I
图4输出电压和输出
当前
1
500m
输出电压: V
O(上)
(V)
V
O
=5V
Ta=100
O
C
25
O
C
-40
O
C
l
O
/l
I
=20
Ta=100
O
C
25
O
C
-40
O
C
200
100
50
20
10
5
2
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1
100 200
500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
1m
100
200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流:我
O
(A)
输出电流:我
O
(A)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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