CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
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5
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
特点
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6
NC
5 C
4 E
用于改进没有相应的终端连接
共模接口免疫
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
18216
机构认证
描述
该CNY17F是光耦组成的镓
砷化镓红外发光二极管光耦合到一个硅
在一个塑料插件DIP - 6的平面光电晶体管探测器
封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。潜力
不允许被连接的电路之间的区别
超过允许的最大参考电压。
与此相反的CNY17系列，所述的基极端
F型不conected ，产生了显着改善
共模干扰免疫。
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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221
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极发射极击穿电压
集电极电流
总功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间的称为
标准的气候23/50 DIN 50014
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
t
≤
1.0毫秒
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
70
50
100
150
V
mA
mA
mW
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
基地集电极电容
发射基地电容
热阻
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
电气特性的影响
参数
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17F-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17F-1
I
F
= 10毫安
电流传输比
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
记
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
=受短线数字5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流。
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
线性运算（不饱和）
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
开关操作（与饱和度）
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
F
1 KΩ
V
CC
= 5
Ω
45
Ω
47
Ω
icny17f_01
icny17f_02
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
威世半导体
1000
(T
A
= - 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17f_03
1
1
10
0.1
icny17f_06
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 0 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 75 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
10
1
2
3
4
I
C
(%)
I
F
100
100
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_04
1
1
10
0.1
icny17f_07
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
I
C
(%)
I
F
100
I
C
(%)
I
F
100
3
2
1
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_05
1
10
10
- 25
icny17f_08
0
25
50
75
I
F
（MA ）
T
A
(°C)
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号： 83607
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