光电晶体管光耦合器
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
概要
特点
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色封装，通过指定-M后缀（例如CNY17-2 -M）个
UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可
-102497白包
- 添加选项V白色包（如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
黑包-add选项' 300' （例如， CNY17-2.300 ）
-file ＃ 94766
在选择组电流传输率
高BV
首席执行官
70V
最低
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
应用
电源稳压器
微处理器的输入
工业控制
数字逻辑输入
设备传感器系统
3
4发射器
白色包装（ -M后缀）
BLACK PACKAGE （ NO -M后缀）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
-M
非-M
所有
-M
非-M
-M
非-M
-M
非-M
-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
150
200
1.76
2.67
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
P
D
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
2001年仙童半导体公司
DS300208
6/06/01
P
D
非-M
-M
非-M
1 11
www.fairchildsemi.com
光电晶体管光耦合器
CNY17-1
CNY17-2
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
CNY17-3
CNY17-4
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
反向漏电流
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
8
20
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10
A,
I
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
V
V
V
测试条件
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
R
= 6 V
符号
V
F
C
J
I
R
设备
-M
非-M
非-M
-M
所有
民
典型值
1.35
1.15
50
18
0.001
10
最大
1.65
1.50
单位
V
pF
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
=
＆ QUOT ;,
F = 1 MHz的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
所有
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
10
11
0.5
0.2
典型**
最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
!
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
www.fairchildsemi.com
2 11
6/06/01
DS300208
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
在选择范围较窄组的电流传输比
CNY17-1 ， CNY17F -1： 40-80％
CNY17-2 ， CNY17F - 2 ： 63-125 ％
CNY17-3 ， CNY17F -3 ：100-200 ％
CNY17-4 ， CNY17F -4： 160-320 ％
输入和输出之间的高隔离电压
（维索= 5000 V有效值）
爬电距离> 7.6毫米
工作温度可达+ 110℃
该CNY17F -X系列提供了无需外接底座的连接
最小噪音的敏感性
紧凑型双列直插式封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
概要
描述
该CNY17 - X和CNY17F -X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管。
Ipackaged采用6引脚DIP封装，可
宽引线间距和SMD选项。
CNY17-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
CNY17F-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
1
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压*
1
产量
集电极电流
发射极 - 集电极电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
V
首席执行官
V
CBO
I
C
V
ECO
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
等级
60
1
6
100
3.8
80
80
50
7
150
9.0
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
V
mW
毫瓦/°C的
mW
VRMS
°C
°C
°C
笔记
* 1仅适用于CNY17 - X系列。
* 2交流电源，1分钟; RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 3 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
2
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
-
-
18
马克斯。
1.65
10
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
CNY17-X
只
符号
I
CBO
I
首席执行官
BV
首席执行官
CNY17-X
只
BV
CBO
BV
ECO
C
CE
分钟。
-
-
80
80
7
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
8
马克斯。
20
50
-
-
-
-
单位
nA
nA
V
V
V
pF
条件
V
CB
= 10V ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 1mA时，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
VCE = 0V ， F = 1MHz的
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
a
= 25°C
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
3
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
CNY17-1
CNY17F-1
当前
转让
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
CNY17-1
CNY17F-1
电流传输
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
T
r
T
f
T
r
T
f
CTR
符号
分钟。
40
63
CTR
100
160
13
22
34
56
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
10
9
6
8
2
3
200
320
-
-
-
-
0.3
-
-
12
12
10
10
10
10
TYP 。 *
-
-
马克斯。
80
125
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
单位
条件
%
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
V
Ω
pF
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安，R
L
= 100Ω
参见图。 11
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 75Ω ，见图。 11
s
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
4
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
5
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
2005年7月
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色包通过可
指定-M SUF科幻×（如： CNY17-2 -M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 102497白包
- 添加选项V白色包（例如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17-2.300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
3
4发射器
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
-M
非-M
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
-M
非-M
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
-M
非-M
-M
非-M
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
P
D
-M
非-M
-M
非-M
150
200
1.76
2.67
毫瓦/°C的
mW
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
V
F
-M
非-M
非-M
-M
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
所有
1.35
1.15
50
18
0.001
10
A
1.65
1.50
pF
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
8
20
10
2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件符号
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
1011
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= O，F = 1兆赫
所有
黑包
' -M '白包
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
符号
CTR
设备
CNY17-1/-1-M
CNY17-2/-2-M
CNY17-3/-3-M
CNY17-4
最小典型最大单位
40
63
100
160
80
125
200
320
.40
V
%
饱和电压
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
AC特性
非饱和开关时间
测试条件
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
t
on
设备
非-M
非-M
-M
-M
-M
-M
最小典型最大单位
10
10
5.6
4.0
4.1
3.5
s
s
s
s
s
s
开启时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
关断时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
延迟时间（图19和图20 ）
上升时间（图19和图20 ）
存储时间（图19和图20 ）
下降时间（图19和图20 ）
饱和开关时间
开启时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
5.5
8.0
s
上升时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
r
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M
4.0
6.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
延迟时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
关断时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
关闭
t
d
4.0
6.0
5.5
8.0
34.0
39.0
ms
s
CNY17-1-M
CNY17-2,
CNY17-3
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
3
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编） （续）
DC特性
下降时间（图19和图20）
测试条件
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4V
符号
t
f
设备
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
最小典型最大单位
20.0
24.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
储存时间（图19和图
20)
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
t
s
20.0
24.0
34.0
39.0
s
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
4
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
图1归CTR与正向电流
（黑色包装）
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.6
图2归CTR与正向电流
（白包）
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.4
1.2
1.0
归一化CTR
1.0
0.8
归一化CTR
0
5
10
15
20
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
（黑色包装）
1.6
图。 4归CTR与环境温度
（白包）
1.4
1.4
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0.4
I
F
= 20毫安
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-40
-20
0
0.4
-75
0
25
50
75
100
125
0.2
-60
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5 CTR与RBE （不饱和）
（黑色包装）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
图。 6 CTR与RBE （不饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 20毫安
1.0
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
5
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
e3
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
美国保险商实验室文件＃ E52744
系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
i179004
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的
一个砷化镓红外发光二极管光
耦合到一个硅NPN晶体管。
信号的信息，包括一个DC电平，可以是反式
通过该装置，同时保持较高程度mitted
的输入和输出之间的电隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和反
剂在许多数字接口的应用程序，以及
作为模拟应用诸如CRT调制。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射极简称&探测器
气候DIN 50014 ，
第2部分11月74）
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
吨= 1秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥1
0
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V，I
首席执行官
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
测试条件
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
CNY17
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17_06
icny17_03
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ T A = 0 ° C，
V
CE = 5.0
V)
I C / I F = F （ I F ）
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
1
2
3
4
icny17_04
icny17_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17_05
icny17_08
TA
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的一个
砷化镓红外发光二极管光耦合到
硅NPN phototransitor 。
信号的信息，包括一个DC电平，可以传送
通过该装置，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和变压器
在许多数字接口的应用程序，以及模拟
应用诸如CRT调制。
美国保险商实验室的文件中没有。 E52744系统代号H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC 60950 IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器与检测器之间被称为气候
DIN 50014第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
吨< 1.0毫秒
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17-1
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1毫安
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
记
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C).
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
部分
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
250
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
千赫
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
线性运算（不饱和）
开关操作（与饱和度）
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
CNY17
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
(T
A
= 0 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
47
Ω
10
1
icny17_01
0.1
icny17_04
1
10
I
F
（MA ）
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
I
F
1 kΩ
V
CC
= 5
V
(T
A
= 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
100
47
Ω
10
1
2
3
4
icny17_02
1
0.1
icny17_05
1
10
I
F
（MA ）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= - 25 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17_03
1
1
10
icny17_06
0.1
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
CNY17
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
威世半导体
1000
(T
A
= 75 °C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
40
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 14毫安
30
I
C
(%)
I
F
100
I
C
20
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
10
1
2
3
4
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
15
1
0.1
icny17_07
0
1
10
0
icny17_10
5
I
F
（MA ）
V
CE
(V)
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
1.2
V
F
= F（我
F
)
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
I
C
(%)
I
F
100
1
V
F
(V)
1.0
0.9
0
25
50
75
icny17_11
3
2
10
- 25
icny17_08
0.1
1
10
100
T
A
(°C)
I
F
（MA ）
图。 11 - 正向电压
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
30
25
20
15
I
B
= 20
A
1
I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 0
I
B
= 40
A
V
CE
= 35
V
I
首席执行官
= F （V ， T）
(I
F
= 0)
I
首席执行官
(A)
I
C
（MA ）
0.1
10
5
0
0
icny17_09
I
B
= 15
A
I
B
= 10
A
I
B
=
I
B
=
0.01
V
CE
= 12
V
5
A
2
A
0.001
5
V
CE
(V)
10
15
icny17_12
0
25
50
75 °C
TA
100
图。 9 - 晶体管特性
图。 12 - 集电极发射极截止电流
文档编号： 83606
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
5
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
2005年7月
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色包通过可
指定-M SUF科幻×（如： CNY17-2 -M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 102497白包
- 添加选项V白色包（例如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17-2.300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
3
4发射器
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
-M
非-M
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
-M
非-M
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
-M
非-M
-M
非-M
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
P
D
-M
非-M
-M
非-M
150
200
1.76
2.67
毫瓦/°C的
mW
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
V
F
-M
非-M
非-M
-M
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
所有
1.35
1.15
50
18
0.001
10
A
1.65
1.50
pF
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
8
20
10
2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件符号
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
1011
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= O，F = 1兆赫
所有
黑包
' -M '白包
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
符号
CTR
设备
CNY17-1/-1-M
CNY17-2/-2-M
CNY17-3/-3-M
CNY17-4
最小典型最大单位
40
63
100
160
80
125
200
320
.40
V
%
饱和电压
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
AC特性
非饱和开关时间
测试条件
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
t
on
设备
非-M
非-M
-M
-M
-M
-M
最小典型最大单位
10
10
5.6
4.0
4.1
3.5
s
s
s
s
s
s
开启时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
关断时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
延迟时间（图19和图20 ）
上升时间（图19和图20 ）
存储时间（图19和图20 ）
下降时间（图19和图20 ）
饱和开关时间
开启时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
5.5
8.0
s
上升时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
r
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M
4.0
6.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
延迟时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
关断时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
关闭
t
d
4.0
6.0
5.5
8.0
34.0
39.0
ms
s
CNY17-1-M
CNY17-2,
CNY17-3
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
3
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编） （续）
DC特性
下降时间（图19和图20）
测试条件
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4V
符号
t
f
设备
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
最小典型最大单位
20.0
24.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
储存时间（图19和图
20)
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
t
s
20.0
24.0
34.0
39.0
s
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
4
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
图1归CTR与正向电流
（黑色包装）
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.6
图2归CTR与正向电流
（白包）
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.4
1.2
1.0
归一化CTR
1.0
0.8
归一化CTR
0
5
10
15
20
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
（黑色包装）
1.6
图。 4归CTR与环境温度
（白包）
1.4
1.4
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0.4
I
F
= 20毫安
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-40
-20
0
0.4
-75
0
25
50
75
100
125
0.2
-60
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5 CTR与RBE （不饱和）
（黑色包装）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
图。 6 CTR与RBE （不饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 20毫安
1.0
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
5
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1X ， CNY17-2X ， CNY17-3X ， CNY17-4X ， CNY17-5X
CNY17-1 ， CNY17-2 ， CNY17-3 ， CNY17-4 ， CNY17-5
光耦合
隔离器
光电晶体管输出
l
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
l
通过以下认证， EN60950
检验机构： -
NEMKO - 证书号P01102464
FIMKO - 证书编号FI18166
SEMKO - 编号为0202037 / 01-22
DEMKO - 证书311158-01号
BSI认可 - 证书8001号
尺寸（mm）
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
7.62
4.0
3.0
0.5
3.0
0.5
3.35
0.26
13°
最大
1
2
3
6
5
4
描述
该CNY17-1 ， CNY17-2 ， CNY17-3 ， CNY17-4 ，
CNY17-5系列光耦合隔离器
由一个红外发光二极管和一对
在一个标准的6针NPN硅光电晶体管
双列直插式塑料封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
集电极 - 基极电压BV
CBO
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
70V
70V
6V
160mW
60mA
6V
105mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
总功耗
200mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦， TS25 1YD England电话： （ 01429 ） 863609
传真： （ 01429 ） 863581电子邮件sales@isocom.co.uk
http://www.isocom.com
5/2/03
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB91081m-AAS/A5
CNY17系列
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该CNY17系列由一个光电晶体管的opti-
美云耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口， microproces-
感器系统的接口。
B
6
C
5
E
4
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
2
A（ + ）， C（ - ）
3
北卡罗来纳州
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信
处理
设备
和
数据
D
IEC 65
为了安全电源操作电子
相关的家用电器
订购说明
订购代码
点击率排行
CNY17-1 / CNY17G - 1
1)
4080％
CNY17-2 / CNY17G - 2
1)
63至125％
1)
CNY17-3 / CNY17G - 3
100200％
CNY17-4 / CNY17G - 4
1)
160 320 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
108
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
95 10805
VDE标准
CNY17系列
威世德律风根
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110第1部分RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR 4组提供
D
CTR的低温度系数
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压
（瞬态过电压）V
IOTM
= 6千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
32
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
109
光电晶体管光耦合器
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
概要
特点
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色封装，通过指定-M后缀（例如CNY17-2 -M）个
UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可
-102497白包
- 添加选项V白色包（如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
黑包-add选项' 300' （例如， CNY17-2.300 ）
-file ＃ 94766
在选择组电流传输率
高BV
首席执行官
70V
最低
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
应用
电源稳压器
微处理器的输入
工业控制
数字逻辑输入
设备传感器系统
3
4发射器
白色包装（ -M后缀）
BLACK PACKAGE （ NO -M后缀）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
-M
非-M
所有
-M
非-M
-M
非-M
-M
非-M
-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
150
200
1.76
2.67
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
P
D
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
2001年仙童半导体公司
DS300208
6/06/01
P
D
非-M
-M
非-M
1 11
www.fairchildsemi.com
光电晶体管光耦合器
CNY17-1
CNY17-2
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
CNY17-3
CNY17-4
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
反向漏电流
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
8
20
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10
A,
I
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
V
V
V
测试条件
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
R
= 6 V
符号
V
F
C
J
I
R
设备
-M
非-M
非-M
-M
所有
民
典型值
1.35
1.15
50
18
0.001
10
最大
1.65
1.50
单位
V
pF
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
=
＆ QUOT ;,
F = 1 MHz的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
所有
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
10
11
0.5
0.2
典型**
最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
!
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
www.fairchildsemi.com
2 11
6/06/01
DS300208
QQ：2881677436 复制
