【CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。表面贴装N沟道增强型网络场效晶体管电压10】,IC型号CHM540APAPT,CHM540APAPT PDF资料,CHM540APAPT经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

N沟道增强型网络场效晶体管

电压100伏

应用

*伺服电机控制。

*功率MOSFET栅极驱动器。

*其他开关应用。

CHM540APAPT

当前25安培

特征

*小型封装。（TO- 252A ）

*超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

*高功率和电流移交能力。

.280 (7.10)

.238 (6.05)

.220 (5.59)

.195 (4.95)

TO-252A

.094 (2.40)

.087 (2.20)

.035 (0.89)

.018 (0.45)

* N沟道增强

(1)

(3) (2)

.417 (10.6)

.346 (8.80)

施工

.261 (6.63)

.213 (5.40)

.035 (0.90)

.025 (0.64)

.102 (2.59)

.078 (1.98)

1门

.024 (0.61)

.016 (0.40)

电路

(1)

G

D

(3)

2 SOURCE

3漏极（散热器）

S

(2)

尺寸以英寸（毫米）

TO-252A

绝对最大额定值

符号

参数

T

A

= 25 ° C除非另有说明

CHM540APAPT

单位

V

DSS

V

GSS

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

100

V

V

±

20

25

I

D

- 脉冲

P

D

T

J

T

英镑

（注3）

A

100

68

-55到150

-55到150

W

°C

°C

在Tc最大功率耗散= 25°C

工作温度范围

存储温度范围

注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒

2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％

3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温

4.设计保证，不受生产trsting

热特性

R

θ

JA

热阻，结到环境

（注1 ）

50

° C / W

2006-02

额定值特性曲线（ CHM540APAPT ）

电气特性

T

符号

参数

A

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

门体漏

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20V,V

DS

= 0 V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0 V

100

25

+100

-100

V

A

nA

nA

基本特征

（注2 ）

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

GS

= 10V ，我

D

=18A

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

2

4

46

14

V

m

S

开关特性

（注4 ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

on

t

r

t

关闭

t

f

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

上升时间

打开-O FF时间

下降时间

V

DS

= 80V ，我

D

=18A

V

GS

=10V

V

DD

= 50V

I

D

= 18A ，V

GS

= 10 V

R

根

= 5.1

37.5

6

18

13

11

32

15

48

nC

40

35

65

45

nS

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向电压I

S

= 18A ，V

GS

= 0 V

25

1.3

A

V

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21+22+

15800

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全新原装正品/质量有保证

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2443+

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