CND2047
10GHz的频率分4固定模数分频器
GaAs单片微波IC
描述
该CND2047是一款低功耗
消费非常高的速度分4
砷化镓制造预分频器用
0.7μm的自对准注入MESFET
流程。
设计是全差分输入/输出
允许直接驱动到50Ω负载。
该CND2047是芯片形式提供
而在2封装形式：
*成本低SOIC8塑料包装
* 8引线扁平封装陶瓷表面贴装
包
2047
FTP8陶瓷封装
主要特点
非常广泛的工作频率范围
低功耗： 300mW的
单电源工作： 3V至5V
高输入灵敏度：
-10dBm @ 8兆赫，在25℃和
在125°C -5dBm @ 8GHz的
低相位噪声： -139dBc / Hz的在1KHz的
SOIC8塑料包装
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
VDD
PDISS
FMAX
漏极电压
功耗
最大输入频率
FTP8
SOIC8
参数
民
3
120
9
8
典型值
5
300
10
9
最大
6
400
单位
V
mW
GHz的
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCND20470077 -17 -MAR- 00
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CND2047
10GHz的频率分频器4
在FTP8陶瓷封装及裸片形式电气特性
保证电气规格上的温度范围内
-55 ° C至+ 125 ° C，但在环境温度Tamb = 25°C下图1描述的配置下进行测试
（ VDD = 5V ，差分输入;引脚= 0dBm的;咗= 50
)
符号
FMAX
国际直拨电话
参数
最大输入频率
电源电流
民
8.25
典型值
8.75
60
75
最大
单位
GHz的
mA
典型的设计信息在-55 ℃的温度范围至+ 125°C
（ VDD = 5V ，Z0 = 50
)
符号
FMAX
参数
最大输入频率
差分输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
一个输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
噘
国际直拨电话
输出功率
电源电流
8
8.25
7.5
8
-4
8.5
8.75
8
8.5
-1.5
60
75
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
mA
民
典型值
最大
单位
典型的设计信息在-55 ° C至+ 125°C的温度范围内。
（ VDD = 3.3V ，Z0 = 50
)
符号
FMAX
参数
最大输入频率
差分输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
一个输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
噘
国际直拨电话
输出功率
电源电流
7.5
8
7
7.5
-7
8
8.5
7.5
8
-4.5
40
55
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
mA
民
典型值
最大
单位
参考文献。 ： DSCND20470077 -17 -MAR- 00
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
10GHz的频率分频器4
在SOIC8封装电气特性
CND2047
保证电气规格上的温度范围内
-40 ° C至+ 85° C，但在环境温度Tamb = 25°C下图1描述的配置下进行测试
（ VDD = 5V ，差分输入;引脚= 0dBm的;咗= 50
)
符号
FMAX
国际直拨电话
参数
最大输入频率
电源电流
民
8.5
典型值
9
60
75
最大
单位
GHz的
mA
典型的设计信息在-40 ℃的温度范围内+ 85°C
（ VDD = 5V ，Z0 = 50
)
符号
FMAX
参数
最大输入频率
差分输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
一个输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
噘
国际直拨电话
输出功率
电源电流
8
8.5
7.25
7.75
-4
8.5
9
7.75
8.25
-1.5
60
75
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
mA
民
典型值
最大
单位
典型的设计信息在-40 ° C至+ 85°C的温度范围内。
（ VDD = 3.3V ，Z0 = 50
)
符号
FMAX
参数
最大输入频率
差分输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
一个输入
PIN = -5dBm
引脚为0dBm =
噘
国际直拨电话
输出功率
电源电流
7
7.5
6.5
6.75
-7
7.5
8
7
7.25
-4.5
40
55
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
mA
民
典型值
最大
单位
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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CND2047
绝对最大额定值
(1)
环境温度Tamb = 25°C
符号
VDD
针
顶部
漏极电压
最大输入功率
工作温度范围
参数
10GHz的频率分频器4
值
7
15
SOIC8
-40至+85
-55到+125
-65到+175
单位
V
DBM
°C
模具成型/ FTP8
TSTG
存储温度范围
°C
该装置的（ 1）操作上面这些参数中的任何人都可能会造成永久性的损害
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10GHz的频率分频器4
典型特征
环境温度Tamb = 25°C ，Z0 = 50Ω ， VDD = 5V
输出功率电平与输入频率和Vdd
2
0
输出电平（dBm ）
-2
CND2047
Vdd=5V
-4
-6
-8
-10
1
3
5
7
频率（GHz ）
9
11
Vdd=3.3V
器件电流与电压和温度
80
70
60
IDD （MA ）
50
40
30
20
10
0
2,5
3
3,5
4
4,5
Vdd的（V）的
5
5,5
6
25°C
-55°C
125°C
SSB相位噪声和频率偏移（FIN = 3.9千兆赫）
0
SSB相位噪声（ dBc的/赫兹）
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
10
100
1000
OFFSET频率（Hz ）
10000
100000
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