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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
P沟道增强型场效应晶体管
电压30伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHM2307PT
当前3.2安培
特征
*小型扁平封装。 ( SC - 59 )
*高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
1.7~2.1
(2)
(3)
SC-59/SOT-346
0.95
2.7~3.1
0.95
(1)
施工
* P沟道增强
0.3~0.51
1.2~1.9
0.89~1.3
0.085~0.2
0.3~0.6
2.1~2.95
1
G
2
S
电路
3
D
0~0.1
单位:毫米
SC-59/SOT-346
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHM2307PT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
-30
V
V
±
20
-3.2
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
最大功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
(注3)
A
-12
1250
-55到150
-55到150
mW
°C
°C
注: 1.表面安装在FR4板,T < = 10秒
2.脉冲测试,脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
3.重复评级,脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证,不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
(注1 )
100
° C / W
2008-05
额定值特性曲线( CHM2307PT )
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门体漏
V
GS
= 0 V,I
D
= -250 A
V
DS
= -30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V,V
DS
= 0 V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
-30
-1
+100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
(注2 )
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -10V ,我
D
=-3.2A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.5A
-1.0
60
98
5
-3.0
78
120
V
m
S
正向跨导
V
DS
= -10V ,我
D
= -3.2A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
552
91
61
pF
开关特性
(注4 )
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
V
DS
= -15V ,我
D
=-3.2A
V
GS
=-10V
V
DD
= -15V
I
D
= -1A ,V
GS
= -10 V
R
= 6
9.5
3.4
1.7
11
3
23
4
12.5
nC
22
8
45
10
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
漏源二极管的正向电流
(注1 )
-3.2
-1.2
A
V
漏源二极管正向电压I
S
= -0.75A ,V
GS
= 0 V
(注2 )
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