CMPT3904 CMPT3904G *
CMPT3906 CMPT3906G *
NPN
PNP
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
表面贴装
补充
硅晶体管
描述:
这些中央半导体器件
由生产互补硅晶体管
外延平面工艺,环氧树脂模制在一个表面
贴装封装,专为小信号一般
目的放大器和开关应用。
SOT- 23 CASE
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
标记代码: CMPT3904 :
CMPT3906 :
CMPT3904G * :
CMPT3906G * :
C1A
C2A
CG1
CG2
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
CMPT3904
CMPT3906
CMPT3904G * CMPT3906G *
60
40
40
6.0
200
350
-65到+150
357
CMPT3906
CMPT3906G*
民
最大
-
50
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
40
5.0
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性:
(TA=25°C)
符号
测试条件
ICEV
VCE = 30V , VEB = 3.0V
IBL
VCE = 30V , VEB = 3.0V
BVCBO
IC=10μA
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
IC=1.0mA
IE=10μA
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IC=0.1mA
CMPT3904
CMPT3904G*
民
最大
-
50
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=1.0mA
VCE = 1.0V , IC = 10毫安
VCE = 1.0V , IC = 50毫安
VCE = 1.0V , IC =百毫安
R7 ( 2010年1月)
CMPT3904 CMPT3904G *
CMPT3906 CMPT3906G *
NPN
PNP
表面贴装
补充
硅晶体管
CMPT3904
电气特性 - 续:
(TA=25°C)
CMPT3904G*
符号
测试条件
民
最大
fT
VCE = 20V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
300
-
COB
兴业银行
缺氧缺血性脑病
HRE
的hFE
HOE
NF
td
tr
ts
tf
VCB = 5.0V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 10V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE=10V,
VCE=10V,
IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
-
-
1.0
0.5
100
1.0
-
-
-
-
-
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
35
35
200
50
CMPT3906
CMPT3906G*
民
最大
250
-
-
-
2.0
0.1
100
3.0
-
-
-
-
-
4.5
10
12
10
400
60
4.0
35
35
225
75
单位
兆赫
pF
pF
kΩ
x10
-4
μS
dB
ns
ns
ns
ns
VCE = 5.0V , IC = 100μA , RS = 1.0kΩ ,
F = 10Hz到15.7kHz
VCC = 3.0V , VBE = 0.5 ,
VCC = 3.0V , VBE = 0.5 ,
IC = 10毫安, IB1 = 1.0毫安
IC = 10毫安, IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V , IC = 10毫安, IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V , IC = 10毫安, IB1 = IB2 = 1.0毫安
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
标记代码:
CMPT3904 :
C1A
CMPT3906 :
C2A
CMPT3904G * : CG1
CMPT3906G * : CG2
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
R7 ( 2010年1月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米