三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
高功率开关使用
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
绝缘型
CM800HB-66H
q
I
C ...................................................................
800A
q
V
CES ................................................. ......
3300V
q
绝缘型
q
1 -元件在一包
应用
逆变器，转换器， DC菜刀，感应加热，直流到直流转换器。
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
130
114
57
±0.25
57
±0.25
4 - M8螺母
C
20
C
C
C
C
124
±0.25
G
E
E
E
CM
C
E
E
E
G
140
40
电路图
3 - M4螺母
10.35
10.65
48.8
6 -
φ7MOUNTING
孔
61.5
18
5.2
15
40
38
LABEL
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2000年2月
29.5
28
5
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
（ TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
评级
3300
±20
800
1600
800
1600
10400
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板， RMS ，正弦， 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
项
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 80毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 800A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 800A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 800A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 2.5
阻性负载开关操作
I
E
= 800A ，V
GE
= 0V
I
E
= 800A,
模具/ DT = -1600A /
s
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
6.0
—
3.80
4.00
120
12.0
3.6
5.7
—
—
—
—
2.80
—
270
—
—
0.008
最大
10
7.5
0.5
4.94
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.50
1.00
3.64
1.40
—
0.012
0.024
—
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
s
s
s
s
V
s
C
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
I
GES
栅极漏电流
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
C
IES
输入电容
C
OES
输出电容
C
水库
反向传输电容
Q
G
总栅极电荷
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注2）
发射极 - 集电极电压
t
RR （注2 ）
反向恢复时间
Q
RR （注2 ）
反向恢复电荷
R
日（J -C ） Q
热阻
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
接触热阻
（注4 ）
（注1 ）
注： 1 。
2.
3.
4.
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2000年2月
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
（典型值）
1600
T
j
=25°C
传输特性
（典型值）
1600
V
CE
=10V
集电极电流I
C
(A)
V
GE
=14V
1200
V
GE
=15V
V
GE
=20V
V
GE
=11V V
GE
=10V
集电极电流I
C
(A)
V
GE
=13V
V
GE
=12V
1200
800
V
GE
=9V
800
400
V
GE
=8V
V
GE
=7V
400
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
GE
=15V
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
8
10
T
j
= 25°C
6
8
I
C
= 1600A
6
I
C
= 800A
4
4
2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2
I
C
= 320A
0
0
400
800
1200
1600
0
0
4
8
12
16
20
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
电容与V
CE
（典型值）
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
发射极电流I
E
(A)
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
T
j
=25°C
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
C
IES ，
C
OES
F = 100kHz的
F = 1MHz的
C
水库
C
IES
10
2
7
5
3
2
10
1
10
1
7
5
3
2
C
OES
C
水库
0
1
2
3
4
5
10
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2000年2月
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
半桥
开关特性
（典型值）
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
反向恢复时间吨
rr
(
s
)
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
t
f
V
CC
= 1650V, V
GE
=
±15V
R
G
= 2.5, T
j
= 125°C
感性负载
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
I
rr
10
3
7
5
3
2
t
rr
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
10
2
7
5
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
（ IGBT部分）
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI部分）
10
1
7单脉冲
5 T
C
= 25°C
3 R
日（J - C ）
= 0.024 ° C / W
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
10
–3
2 3 5 7 10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
10
1
7单脉冲
5 T
C
= 25°C
3 R
日（J - C ）
= 0.012 ° C / W
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
10
–3
2 3 5 7 10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
V
GE
- 栅极电荷
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
V
CC
= 1650V
I
C
= 800A
16
12
8
4
0
0
2000
4000
6000
8000
10000
栅极电荷q
G
（ NC ）
2000年2月
反向恢复电流我
rr
(A)
开关时间（
s
)
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
5
5
V
CC
= 1650V ，T
j
= 125°C
3感性负载
3
2 V
GE
=
±15V,
R
G
= 2.5
2
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
高功率开关使用
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
绝缘型
CM800HB-66H
q
I
C ...................................................................
800A
q
V
CES ................................................. ......
3300V
q
绝缘型
q
1 -元件在一包
应用
逆变器，转换器， DC菜刀，感应加热，直流到直流转换器。
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
130
114
57
±0.25
57
±0.25
4 - M8螺母
C
20
C
C
C
C
124
±0.25
G
E
E
E
CM
C
E
E
E
G
140
40
电路图
3 - M4螺母
10.35
10.65
48.8
6 -
φ7MOUNTING
孔
61.5
18
5.2
15
40
38
LABEL
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
29.5
28
5
2003年3月
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
（ TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
DC ，T
C
= 100°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
条件
评级
3300
±20
800
1600
800
1600
10400
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板， RMS ，正弦， 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
项
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 80毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 800A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 800A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 1650V ，我
C
= 800A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 2.5
阻性负载开关操作
I
E
= 800A ，V
GE
= 0V
I
E
= 800A,
模具/ DT = -1600A /
s
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
6.0
—
3.80
4.00
120
12.0
3.6
5.7
—
—
—
—
2.80
—
270
—
—
0.008
最大
10
7.5
0.5
4.94
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.50
1.00
3.64
1.40
—
0.012
0.024
—
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
s
s
s
s
V
s
C
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
总栅极电荷
Q
G
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注2）
发射极 - 集电极电压
t
RR （注2 ）
反向恢复时间
Q
RR （注2 ）
反向恢复电荷
R
日（J -C ） Q
热阻
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
接触热阻
注： 1 。
2.
3.
4.
（注4 ）
（注1 ）
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2003年3月
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
（典型值）
1600
T
j
=25°C
集电极电流I
C
(A)
传输特性
（典型值）
1600
集电极电流I
C
(A)
V
GE
=14V
1200
V
GE
=15V
V
GE
=20V
800
V
GE
=13V
V
GE
=12V
V
GE
=11V V
GE
=10V
V
CE
=10V
1200
800
V
GE
=9V
400
V
GE
=8V
V
GE
=7V
0
0
2
4
6
8
10
400
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
8
V
GE
=15V
10
T
j
= 25°C
8
I
C
= 1600A
6
I
C
= 800A
6
4
4
2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
400
800
1200
1600
2
I
C
= 320A
0
4
8
12
16
20
0
集电极电流I
C
(A)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
8
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
电容特性
（典型值）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
C
IES ，
C
OES
F = 100kHz的
F = 1MHz的
C
水库
C
IES
6
4
C
OES
2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
400
800
1200
1600
C
水库
10
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2003年3月
发射极电流I
E
(A)
三菱HVIGBT模块
CM800HB-66H
第二-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
开关时间（
s
)
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
t
f
V
CC
= 1650V, V
GE
=
±15V
R
G
= 2.5, T
j
= 125°C
感性负载
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
I
rr
10
3
7
5
3
2
t
rr
5 7 10
2
2 3
5 7 10
3
2 3
5
10
2
7
5
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
开关能量（J / P）
2.0
E
on
1.5
E
关闭
1.0
0.5
0
E
REC
开关能量（J / P）
半桥
开关能量特性
（典型值）
3.0
V
CC
= 1650V, V
GE
=
±15V,
R
G
= 2.5Ω ， TJ = 125°C ，
2.5感性负载
半桥
开关能量特性
（典型值）
10
V
CC
= 1650V ，我
C
= 800A,
V
GE
=
±15V,
TJ = 125°C ，
8感性负载
6
E
on
4
2
E
关闭
0
400
800
电流（A ）
1200
1600
0
0
10
20
30
栅极电阻（
)
栅极电荷特性
（典型值）
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
归一化瞬时
热阻抗Z
日（J - C ）
瞬态热
阻抗特性
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
10
–3
2 3 5 7 10
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
2003年3月
V
CC
= 1650V
I
C
= 800A
16
单脉冲
T
C
= 25°C
R
日（J - C ） Q
= 0.012K / W
R
日（J - C ）R
= 0.024K / W
12
8
4
0
0
2000
4000
6000
8000
10000
栅极电荷q
G
（ NC ）
反向恢复电流我
rr
(A)
半桥
切换时间特性
（典型值）
5
反向恢复时间吨
rr
(
s
)
反向恢复特性
作者：续流二极管
（典型值）
5
5
V
CC
= 1650V ，T
j
= 125°C
3
3感性负载
2
2 V
GE
=
±15V,
R
G
= 2.5
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