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CEP05P03/CEB05P03
4
单P沟道增强型MOSFET
特点
-30V ， -4.9A ，R
DS （ ON）
=70m
@V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
=120m
@V
GS
=-4.5V
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO-220封装为通孔。
D
D
G
G
D
S
G
S
S
CEP系列
TO-220
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏Gurrent ，连续@T
J
=125 C
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
-30
20
4.9
30
-1.7
50
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热特性
热阻，结到环境
R
JA
62.5
C / W
4-12
CEP05P03/CEB05P03
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.0A
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
DS
= -15V ，我
D
=-4.9A
最小典型最大单位
-30
-1
V
A
100 nA的
-1
-1.5
42
78
-20
5
1040
420
150
-3
70
120
V
m
m
A
S
P
F
P
F
P
F
4
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= -15V,
I
D
= -1A,
V
根
= -10V,
R
根
= 6
8
11
23
14
15
20
40
25
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
22.5 29
V
DS
= -15V ，我
D
= -4.9A,
V
GS
= -10V
4-13
2
6
CEP05P03/CEB05P03
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
4
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -1.7A
最小典型最大单位
-0.79 -1.2
V
漏源二极管的特性
a
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
-20
-10V
-16
-9V
V
GS
=-6V
-16
-5V
-12
-20
-55 C
25 C
TJ = 125℃
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
-2.5
-3.0
-12
-8
-4V
-4
-3V
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-8
-4
0
0
-1
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
1500
1250
图2.传输特性
0.18
V
GS
=-10V
0.15
0.12
TJ = 125℃
0.09
0.06
0.03
0.00
25 C
-55 C
西塞
1000
750
科斯
500
250
0
0
5
10
15
20
25
30
CRSS
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
C，电容（pF ）
0
-2.5
-5
-7.5
-10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
4-14
CEP05P03/CEB05P03
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
V
DS
=V
GS
I
D
=-250 A
1.15
I
D
=-250 A
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
4
0
25
50
75 100 125 150
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
10
图6.击穿电压变化
随温度
20.0
g
FS
，跨导（ S）
8
6
4
2
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
20
-is ，源极 - 漏极电流（ A）
10.0
V
GS
=0V
1.0
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-I
DS
，漏源电流（A ）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
10
-I
D
，漏电流（ A）
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
70
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=-15V
I
D
=-4.9A
10
0
s
10
R
D
S
(
O
L
N)
im
it
1m
10
ms
s
1
V
GS
=-10V
单脉冲
TC = 25℃
DC
3
6
9
12
15
18
21 24
1
10
30
60
QG ，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
4-15
图10.最大安全
工作区
CEP05P03/CEB05P03
4
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
-V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
S
V
50%
10%
50%
倒
脉冲宽度
IN
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.01
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
1
10
100
1000
10000
0.1
方波脉冲持续时间（毫秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
4-16
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