三菱IGBT模块
CM400HX-24A
高功率开关使用
CM400HX-24A
I
C ...................................................................
400A
V
CES ................................................. ........
1200V
*单
Flatbase
类型/绝缘封装/
铜（非电镀）底板
· RoHS指令
指令兼容
应用
通用变频器，伺服驱动器，电源等
外形绘图&电路图
152
137
121.7
110
±0.5
99
94.5
尺寸（mm）
(3.81)
(13.5)
7
4 -M6螺母
(3)
1.15
0.65
(7.4)
1.2
(13.5)
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
TERMINAL吨= 0.8
φ4.3
39
50
±0.5
57.5
62
1.5
(14)
(14)
22
17
17
12
12
6
6
47
24
φ2.5
φ2.1
48
23
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
＊4.2
3.5
0
(7.75)
＊15
＊18.8
＊95
(102.25)
＊68.33
＊72.14
6.5
(21.14)
0.8
A
4 - φ5.5安装孔
13
17
(20.5)
(5.4)
12.5
（旋盖深度）
17
+1
-0.5
*引脚
职位
与宽容
12.5
A节
φ0.5
LABEL
宽容另有规定
C
(47)
E
(24)
维司
0.5
过度
3
6
30
to
to
to
to
to
3
6
30
120
400
公差
±0.2
±0.3
±0.5
±0.8
±1.2
C
(48)
TH1
(1)
NTC
TH2
(2)
G1
(15)
E1
(16)
C
(22)
E
(23)
过度
过度
超过120个
电路图
2009年1月
三菱IGBT模块
CM400HX-24A
高功率开关使用
电气特性
逆变部分
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注3 ）
Q
RR （注3 ）
参数
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 40毫安，V
CE
= 10V
栅极漏电流
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ，我
C
= 400A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ，我
C
= 400A
V
GE
=
±15V,
R
G
= 0.75Ω
感性负载
（注6 ）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
（注6 ）
(I
E
= 400A)
I
E
= 400A ，V
GE
= 0V
（注6 ）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
V
EC(Note.3)
发射极 - 集电极电压
R
领导
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
R
GINT
R
G
I
E
= 400A ，V
GE
= 0V
模块引线电阻
主要终端芯片
热阻
每个IGBT
每续流二极管（注1 ）
（结点到外壳）
接触热阻
导热硅脂应用
（案件散热片） （注1 ）
T
C
= 25°C
内部栅极电阻
T
C
= 125°C
外部栅极电阻
分钟。
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.1
4.2
0.75
范围
典型值。
—
7
—
2.0
2.2
1.9
—
—
—
2000
—
—
—
—
—
13
2.6
2.16
2.5
0.6
—
—
0.015
3
6
—
马克斯。
1
8
0.5
2.6
—
—
66
6.0
1.3
—
660
190
700
600
250
—
3.4
—
—
—
0.033
0.048
—
3.9
7.8
7.8
单位
mA
V
μA
V
nF
nC
ns
μC
V
mΩ
K / W
（注2 ）
Ω
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
参数
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
通过近似公式
T
C
= 25°C
（注7）
分钟。
4.85
–7.3
—
—
范围
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
外壳温度（T
C
） ，散热片温度（T
f
）测量点就是芯片下。 （参考芯片位置的图。）
典型的值是通过使用导热润滑脂测
λ
= 0.9W / （M ·K ） 。
I
E
, I
企业风险管理
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过TJMAX评级。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
（参考测试电路为Ⅴ的数字
CE （ SAT ）
和V
EC
)
1
7:
B
(25/50)
=在（R
25
)/( 1
)
T
50
R
50
T
25
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 ° C] 273.15 = 298.15 [ K]
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] 273.15 = 323.15 [K]的
2009年1月
3
三菱IGBT模块
CM400HX-24A
高功率开关使用
芯片位置（顶视图）
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
(152)
(121.7)
(110)
0
46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
47
Tr
Tr
Di
Di
24
21.8
(62)
(50)
35.2
23
48
Th
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
45.0
73.6
74.3
每个标记点的每个芯片的中心位置。 TR ： IGBT ，迪： FWDI ，钍： NTC热敏电阻
C（铯）
C
I
C
V
V
GE
= 0V
87.9
标签的一面
0
C（铯）
C
I
E
V
V
GE
= 15V
G
E（ ES）
G
E（ ES）
E
E
V
CE （ SAT ）
测试电路
V
EC
测试电路
V
GE
0V
负载
–
V
GE
I
E
+
V
CC
I
C
90%
0%
I
E
t
rr
90%
+
V
GE
0V
–
V
GE
0A
t
R
G
V
CE
V
GE
I
C
0A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
rr
10%
1/2
I
rr
Q
rr
= 1/2
I
rr
t
rr
开关时间测试电路和波形
t
rr,
Q
rr
测试波形
2009年1月
4
三菱IGBT模块
CM400HX-24A
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）逆变器的一部分
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）逆变器的一部分
集电极电流I
C
(A)
V
GE
=
700 20V
600
500
400
300
200
15
T
j
= 25°C
13
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
800
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
V
GE
= 15V
12
11
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
9 10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
100 200 300 400 500 600 700 800
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）逆变器的一部分
续流二极管
正向特性
（典型值）逆变器的一部分
10
3
7
5
3
2
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
T
j
= 25°C
8
6
发射极电流I
E
(A)
10
2
7
5
3
2
4
I
C
= 800A
2
I
C
= 400A
I
C
= 160A
0
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容特性
（典型值）逆变器的一部分
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
半桥
开关特性
（典型值）逆变器的一部分
10
3
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
t
r
电容（ NF）
10
2
C
IES
切换时间（纳秒）
10
2
7
5
3
2
10
1
C
OES
10
1
7
5
3
2
10
0
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 1
10
条件：
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 0.75Ω
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
集电极电流I
C
(A)
2009年1月
5
QQ：2880707522 复制
