初步
CM3121
双路线性稳压器，用于DDR -I和DDR -II内存
特点
对于DDR内存完全集成的电源解决方案
ICS
理想的DDR -I （ 2.5V
DDQ
）和DDR - II （ 1.8V
DDQ
)
最低的系统成本和尺寸最小的只有
两个外部输出电容器
两个线性稳压器：
- V
DDQ
稳压器，最大输出电流
1.5A由DRAM和V共享
TT
调节器
- 源库V
TT
稳压器，最大输出
放0.5A （DDR -I）或者0.3A的电流（ DDR- II）的
故障输出指示过流条件
无论稳压器，欠压锁定和过
温度条件
如果主机电源关闭反向电流保护
PSOP - 8封装，集成散热器
提供无铅版本
产品说明
该CM3121提供了一个集成的电源解决方案
在消费电子 - DDR -I和DDR -II内存的系统
集成电路的应用程序。该CM3121是理想的2.8V至3.6V
供应DDR -I内存和2.2V至2.8V的DDR- II的MEM
ORY 。在CM3121配备了两个独立的线性稳压
器的V
DDQ
和V
TT
供应调控。默认
电压V
DDQ
为2.5V 。在V
DDQ
调节SENSE引脚
允许设置V
DDQ
在2.2V至2.8V范围内，或DDR -II
回忆从1.7V到1.9V 。在V
TT
稳压器输出
总是一半的V
DDQ
电压，内部获得。电容器
应连接到每两个输出。
当EN_DDR被设置为高，两个DDR调节器显示
体健到整个系统的功耗降至最低，如
当记忆处于待机状态。
FAULT引脚变为低电平时这两条法规的
器进入电流限制模式下，输入电压下降过
远或者如果温度过高发生。
应用
DDR -I和DDR- II内存电源：
机顶盒， DVD播放机，游戏
数字电视，平板显示器
打印机，数字投影
嵌入式系统
通信系统
该CM3121可在PSOP- 8封装，
优异的热耗散。
它提供可选
无铅精加工。
.
典型应用电路
2.8V至3.3V
电路原理图
V
CC
V
DDQ
调节器
V
DDQ
SENSE
V
DDQ
V
CC
V
DDQ
调节器
V
DDQ
SENSE
V
DDQ
V
REF
V
DDQ
= 2.5V
C
CC
V
REF
V
DDQ
SENSE_ V
DDQ
使DDR
记忆＃
EN_DDR
C
DDQ
EN_DDR
DDR
内存
R
R
V
TT
调节器
V
TT
R
V
TT
=1.25V
V
TT
调节器
V
TT
R
VTT
SENSE_V
TT
SENSE V
TT
C
TT
SENSE V
TT
电流限制
过温
低输入
故障
中央处理器
CORE
+ I / O
电流限制
过温
低输入
故障
GND
GND
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
11/12/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
www.calmicro.com
1
初步
CM3121
功能说明
该CM3121提供电源的DDR -I / DDR- II memo-
里斯片上两个电压调节器。有一个
超温过热关机，如果任何一个稳压的
lators过热。每个稳压器还具有反向电流
租保障在任何被关闭的事件。
在V
DDQ
线性稳压器可以提供2.5V / 1.8V
DDR -I / -II内存高达1.5A 。一个外部反馈
电阻分压器R1和R2 ，连接到时
SENSE_V
DDQ
销，使选择的V
DDQ
产量
电压范围为2.2V至2.8V与DDR -I使用memo-
里斯需要大于2.5V的V其他
DDQ
（见
图5）。
在这种模式下，在VDDQ的电压detemined按下列方法
低点：
(R1+R2)
V
DDQ
= 1.25V X ----------------------
R2
当SENSE_V
DDQ
连接到GND或悬空，
V
DDQ
固定为2.50V （和V
TT
在1.25V ） 。对于DDR- II
操作时， V
DDQ
可以设定从1.7V到1.9V 。在V
TT
稳压器是一个线性源库调节器供电
从V
DDQ
输出供给V
TT
供应
通过DDR -I内存端接电阻要求。这
调节水池或来源高达0.5A 。在V
TT
产量
电压准确地跟踪V
DDQ
/ 2 1％。当有
无V
CC
提供V
TT
断电时，其输出
为0V 。该稳压器具有过载电流的限制
0.6A最小。
当设为低电平有效的EN_DDR引脚使
CM3121中采用V正常模式下操作
DDQ
和V
TT
活跃的。当EN_DDR高， CM3121被禁用
和两个V
DDQ
和V
TT
被设置为0V。
FAULT输出通常为逻辑高电平，但是当
上发生的过电流或者V
DDQ
或V
TT
输出，
FAULT引脚变为低电平，并保持低电平，只要
过流故障依旧。此外，如果该芯片进入
热过载，或者在输入电压V
CC
滴suffi-
ciently该芯片进入欠压锁定，输出
模式（ UVLO ） ， FAULT引脚变为低电平，而遗体
低，只要条件仍然存在。
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
SENSE_V
DDQ
故障
SENSE_V
TT
EN_DDR
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
领导
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
名字
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
EN_DDR
SENSE_V
TT
故障
SENSE_V
DDQ
GND
描述
输入电源。
V
DDQ
输出。
V
TT
输出端接电阻或V
REF
接地参考。
启用DDR电源。低电平有效输入。
检测输入的V
TT
铁路调整。
过流故障/ UVLO指示，低电平有效输出。
检测输入的V
DDQ
铁路调整。
绑到参考地。
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
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初步
CM3121
订购信息
品名信息
标准完成
LEADS
8
包
PSOP-8
订购零件
数
1
CM3121-02SB
最热
CM3121 02SB
无铅完成
订购零件
数
1
CM3121-02SH
最热
CM3121 02SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
ESD（人体模型）
引脚电压
V
CC
EN_DDR ， SENSE_V
DDQ
， SENSE_V
TT
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
等级
单位
V
V
V
°C
°C
°C
±
2000
[ GND - 0.6 ]到[ 6.5 ]
[ GND - 0.6 ]到[V
CC
+ 0.6]
-40到+150
-40至+85
0到+125
标准工作条件
参数
工作温度范围
1. V
DDQ
调节器
DDR -I电源电压V
CC
DDR -II电源电压V
CC
负载电流（注1 ）
C
CC
, C
DDQ
2. V
TT
调节器
DDR -I电源电压V
DDQ
DDR -II电源电压V
DDQ
DDR -I负载电流
DDR -II负载电流
C
TT
2.3 2.8
1.7 1.9
0
±
500
0
±
300
47
V
V
mA
mA
F
[V
DDQ
+ 0.3 ] 3.6
2.2到2.8
0 1500
10, 10
V
V
mA
F
等级
-40至+85
单位
°C
注1： V
DDQ
稳压器提供电源同时为存储器加载和V
TT
调节器，一个总1.5A供给至V
DDQ
和V
TT
输出。例如，如果在V
DDQ
负载电流为1.2A ，则最大V
TT
负载电流将是0.3A ，而不管
实际的V
TT
输出电流额定值。
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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3
初步
CM3121
规格（续）
DDR -I规格
电气运行特性
符号
T
过度
T
HYST
I
CCN
I
CCQ
V
IH
V
IL
UVLO
t
上升
V
CC分钟
V
DDQ DEF
V
DDQ ADJ
V
DDQ LD
V
DDQ线
e
DDQ
I
DDQ LIM
I
DDQ SC
参数
关断结温
结温滞回
普通模式v
CC
供应
当前
关断模式V
CC
供应
当前
EN_DDR输入高门槛
EN_DDR输入低阈值
欠压锁定
V
DDQ
上升时间
输入电压
默认的输出电压范围
可调输出电压
范围
负载调整率
线路调整
输出噪声电压
电流限制
短路电流
IC在关机
EN_DDR =逻辑"0" ，
EN_CORE =逻辑"0"
EN_DDR =逻辑"1" ，
V
DDQ
= 0V, V
TT
= 0V
V
CC
=3.3V
V
CC
=3.3V
I
DDQ
= 10毫安
V
CC
= 3.3V ，C
DDQ
= 10F
V
DDQ
= 2.5V ，我
DDQ
= 1.5A,
SENSE_V
DDQ
= 0V ，说明2
I
DDQ
= 0.01A ， 2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V,
SENSE_V
DDQ
= 0V ，说明2
V
CC
= 3.6V ， SENSE_V
DDQ
绑
外部电阻R1和R2 ，注2
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V,
0.01A
≤
I
DDQ
≤
1.0A ，注2
-1.0
-
49
1.7
2.0
0.5
1.0
%
μVRMS
A
A
2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V ，注2
BW = 10Hz的 - 100kHz时，C
DDQ
= 10F
注2
V
DDQ
＆ LT ; 0.3V
2.80
2.45
1.6
-
-
2.50
2.55
2.8
2.5
0.5
2.0
0.4
1.8
条件
常规参数
-
-
150
25
700
2
-
-
1100
10
°C
°C
A
A
V
V
V
ms
（见注1）
民
典型值
最大
单位
V
DDQ
调节参数
V
V
V
%
T
A
= 25 ° C，I
DDQ
= 0.01A,
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
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初步
CM3121
电气工作特性（续）
（见注1）
V
TT
调节参数
V
TT
V
TT REF
V
TT LD
V
TT线
e
TT
I
TT LIM
I
TT SC
输出电压范围
输出电压范围
负载调整率
线路调整
输出噪声电压
电流限制
短路电流
V
TT
＆ LT ; 0.3V
V
DDQ
= 2.5V ，我
TT
= 0.01A,
V
DDQ
= 2.500V ，我
TT
= 0.01A
T
A
= 25 ° C，V
DDQ
= 2.5V,
0.01A
≤
I
TT
≤
±0.5A
T
A
= 25 ° C，I
TT
= 0.01A,
1.20
1.225
-1.0
-1.0
1.25
1.250
-
-
51
0.6
0.8
0.3
1.30
1.275
1.0
1.0
V
V
%
%
μVRMS
A
A
2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V ，注2
BW = 10Hz的 - 100kHz时，C
TT
= 10F
注1 ：在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
注2：注意，我
DDQ
当前指定的是从V负载电流输出的
DDQ
引脚。 V
DDQ
还提供电流在内部的
V
TT
调节时，拉电流。的最大电源电流可高达0.5A 。这样的最大总电流
从V
DDQ
调节器是外部V
DDQ
电流I
DDQ
加到最大V
TT
采购电流I
TT
。所有负载电流
被指定为这样的，但在V
DDQ
被指定的电流限制在一个当前正上方的总的最大电流。
DDR- II产品规格
电气运行特性
符号
T
过度
T
HYST
I
CCN
I
CCQ
V
IH
V
IL
UVLO
t
上升
参数
关断结温
结温滞回
普通模式v
CC
供应
当前
关断模式V
CC
供应
当前
EN_DDR输入高门槛
EN_DDR输入低阈值
欠压锁定
V
DDQ
上升时间
IC在关机
EN_DDR =逻辑"0" ，
EN_DDR =逻辑"1" ，
V
DDQ
= 0V, V
TT
= 0V
V
CC
=3.3V
V
CC
=3.3V
I
DDQ
= 10毫安
V
CC
= 3.3V ，C
DDQ
= 10F
0.5
2.0
0.4
1.8
条件
常规参数
-
-
150
25
700
2
-
-
1100
10
°C
°C
A
A
V
V
V
ms
（见注3 ）
民
典型值
最大
单位
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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初步
CM3121
双路线性稳压器，用于DDR -I和DDR -II内存
特点
对于DDR内存完全集成的电源解决方案
ICS
理想的DDR -I （ 2.5V
DDQ
）和DDR - II （ 1.8V
DDQ
)
最低的系统成本和尺寸最小的只有
两个外部输出电容器
两个线性稳压器：
- V
DDQ
稳压器，最大输出电流
1.5A由DRAM和V共享
TT
调节器
- 源库V
TT
稳压器，最大输出
放0.5A （DDR -I）或者0.3A的电流（ DDR- II）的
故障输出指示过流条件
无论稳压器，欠压锁定和过
温度条件
如果主机电源关闭反向电流保护
PSOP - 8封装，集成散热器
提供无铅版本
产品说明
该CM3121提供了一个集成的电源解决方案
在消费电子 - DDR -I和DDR -II内存的系统
集成电路的应用程序。该CM3121是理想的2.8V至3.6V
供应DDR -I内存和2.2V至2.8V的DDR- II的MEM
ORY 。在CM3121配备了两个独立的线性稳压
器的V
DDQ
和V
TT
供应调控。默认
电压V
DDQ
为2.5V 。在V
DDQ
调节SENSE引脚
允许设置V
DDQ
在2.2V至2.8V范围内，或DDR -II
回忆从1.7V到1.9V 。在V
TT
稳压器输出
总是一半的V
DDQ
电压，内部获得。电容器
应连接到每两个输出。
当EN_DDR被设置为高，两个DDR调节器显示
体健到整个系统的功耗降至最低，如
当记忆处于待机状态。
FAULT引脚变为低电平时这两条法规的
器进入电流限制模式下，输入电压下降过
远或者如果温度过高发生。
应用
DDR -I和DDR- II内存电源：
机顶盒， DVD播放机，游戏
数字电视，平板显示器
打印机，数字投影
嵌入式系统
通信系统
该CM3121可在PSOP- 8封装，
优异的热耗散。
它提供可选
无铅精加工。
.
典型应用电路
2.8V至3.3V
电路原理图
V
CC
V
DDQ
调节器
V
DDQ
SENSE
V
DDQ
V
CC
V
DDQ
调节器
V
DDQ
SENSE
V
DDQ
V
REF
V
DDQ
= 2.5V
C
CC
V
REF
V
DDQ
SENSE_ V
DDQ
使DDR
记忆＃
EN_DDR
C
DDQ
EN_DDR
DDR
内存
R
R
V
TT
调节器
V
TT
R
V
TT
=1.25V
V
TT
调节器
V
TT
R
VTT
SENSE_V
TT
SENSE V
TT
C
TT
SENSE V
TT
电流限制
过温
低输入
故障
中央处理器
CORE
+ I / O
电流限制
过温
低输入
故障
GND
GND
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
11/12/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
www.calmicro.com
1
初步
CM3121
功能说明
该CM3121提供电源的DDR -I / DDR- II memo-
里斯片上两个电压调节器。有一个
超温过热关机，如果任何一个稳压的
lators过热。每个稳压器还具有反向电流
租保障在任何被关闭的事件。
在V
DDQ
线性稳压器可以提供2.5V / 1.8V
DDR -I / -II内存高达1.5A 。一个外部反馈
电阻分压器R1和R2 ，连接到时
SENSE_V
DDQ
销，使选择的V
DDQ
产量
电压范围为2.2V至2.8V与DDR -I使用memo-
里斯需要大于2.5V的V其他
DDQ
（见
图5）。
在这种模式下，在VDDQ的电压detemined按下列方法
低点：
(R1+R2)
V
DDQ
= 1.25V X ----------------------
R2
当SENSE_V
DDQ
连接到GND或悬空，
V
DDQ
固定为2.50V （和V
TT
在1.25V ） 。对于DDR- II
操作时， V
DDQ
可以设定从1.7V到1.9V 。在V
TT
稳压器是一个线性源库调节器供电
从V
DDQ
输出供给V
TT
供应
通过DDR -I内存端接电阻要求。这
调节水池或来源高达0.5A 。在V
TT
产量
电压准确地跟踪V
DDQ
/ 2 1％。当有
无V
CC
提供V
TT
断电时，其输出
为0V 。该稳压器具有过载电流的限制
0.6A最小。
当设为低电平有效的EN_DDR引脚使
CM3121中采用V正常模式下操作
DDQ
和V
TT
活跃的。当EN_DDR高， CM3121被禁用
和两个V
DDQ
和V
TT
被设置为0V。
FAULT输出通常为逻辑高电平，但是当
上发生的过电流或者V
DDQ
或V
TT
输出，
FAULT引脚变为低电平，并保持低电平，只要
过流故障依旧。此外，如果该芯片进入
热过载，或者在输入电压V
CC
滴suffi-
ciently该芯片进入欠压锁定，输出
模式（ UVLO ） ， FAULT引脚变为低电平，而遗体
低，只要条件仍然存在。
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
SENSE_V
DDQ
故障
SENSE_V
TT
EN_DDR
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
领导
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
名字
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
EN_DDR
SENSE_V
TT
故障
SENSE_V
DDQ
GND
描述
输入电源。
V
DDQ
输出。
V
TT
输出端接电阻或V
REF
接地参考。
启用DDR电源。低电平有效输入。
检测输入的V
TT
铁路调整。
过流故障/ UVLO指示，低电平有效输出。
检测输入的V
DDQ
铁路调整。
绑到参考地。
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
●
www.calmicro.com
11/12/04
初步
CM3121
订购信息
品名信息
标准完成
LEADS
8
包
PSOP-8
订购零件
数
1
CM3121-02SB
最热
CM3121 02SB
无铅完成
订购零件
数
1
CM3121-02SH
最热
CM3121 02SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
ESD（人体模型）
引脚电压
V
CC
EN_DDR ， SENSE_V
DDQ
， SENSE_V
TT
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
等级
单位
V
V
V
°C
°C
°C
±
2000
[ GND - 0.6 ]到[ 6.5 ]
[ GND - 0.6 ]到[V
CC
+ 0.6]
-40到+150
-40至+85
0到+125
标准工作条件
参数
工作温度范围
1. V
DDQ
调节器
DDR -I电源电压V
CC
DDR -II电源电压V
CC
负载电流（注1 ）
C
CC
, C
DDQ
2. V
TT
调节器
DDR -I电源电压V
DDQ
DDR -II电源电压V
DDQ
DDR -I负载电流
DDR -II负载电流
C
TT
2.3 2.8
1.7 1.9
0
±
500
0
±
300
47
V
V
mA
mA
F
[V
DDQ
+ 0.3 ] 3.6
2.2到2.8
0 1500
10, 10
V
V
mA
F
等级
-40至+85
单位
°C
注1： V
DDQ
稳压器提供电源同时为存储器加载和V
TT
调节器，一个总1.5A供给至V
DDQ
和V
TT
输出。例如，如果在V
DDQ
负载电流为1.2A ，则最大V
TT
负载电流将是0.3A ，而不管
实际的V
TT
输出电流额定值。
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
11/12/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话： 408.263.3214
●
传真： 408.263.7846
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www.calmicro.com
3
初步
CM3121
规格（续）
DDR -I规格
电气运行特性
符号
T
过度
T
HYST
I
CCN
I
CCQ
V
IH
V
IL
UVLO
t
上升
V
CC分钟
V
DDQ DEF
V
DDQ ADJ
V
DDQ LD
V
DDQ线
e
DDQ
I
DDQ LIM
I
DDQ SC
参数
关断结温
结温滞回
普通模式v
CC
供应
当前
关断模式V
CC
供应
当前
EN_DDR输入高门槛
EN_DDR输入低阈值
欠压锁定
V
DDQ
上升时间
输入电压
默认的输出电压范围
可调输出电压
范围
负载调整率
线路调整
输出噪声电压
电流限制
短路电流
IC在关机
EN_DDR =逻辑"0" ，
EN_CORE =逻辑"0"
EN_DDR =逻辑"1" ，
V
DDQ
= 0V, V
TT
= 0V
V
CC
=3.3V
V
CC
=3.3V
I
DDQ
= 10毫安
V
CC
= 3.3V ，C
DDQ
= 10F
V
DDQ
= 2.5V ，我
DDQ
= 1.5A,
SENSE_V
DDQ
= 0V ，说明2
I
DDQ
= 0.01A ， 2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V,
SENSE_V
DDQ
= 0V ，说明2
V
CC
= 3.6V ， SENSE_V
DDQ
绑
外部电阻R1和R2 ，注2
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V,
0.01A
≤
I
DDQ
≤
1.0A ，注2
-1.0
-
49
1.7
2.0
0.5
1.0
%
μVRMS
A
A
2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V ，注2
BW = 10Hz的 - 100kHz时，C
DDQ
= 10F
注2
V
DDQ
＆ LT ; 0.3V
2.80
2.45
1.6
-
-
2.50
2.55
2.8
2.5
0.5
2.0
0.4
1.8
条件
常规参数
-
-
150
25
700
2
-
-
1100
10
°C
°C
A
A
V
V
V
ms
（见注1）
民
典型值
最大
单位
V
DDQ
调节参数
V
V
V
%
T
A
= 25 ° C，I
DDQ
= 0.01A,
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4
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初步
CM3121
电气工作特性（续）
（见注1）
V
TT
调节参数
V
TT
V
TT REF
V
TT LD
V
TT线
e
TT
I
TT LIM
I
TT SC
输出电压范围
输出电压范围
负载调整率
线路调整
输出噪声电压
电流限制
短路电流
V
TT
＆ LT ; 0.3V
V
DDQ
= 2.5V ，我
TT
= 0.01A,
V
DDQ
= 2.500V ，我
TT
= 0.01A
T
A
= 25 ° C，V
DDQ
= 2.5V,
0.01A
≤
I
TT
≤
±0.5A
T
A
= 25 ° C，I
TT
= 0.01A,
1.20
1.225
-1.0
-1.0
1.25
1.250
-
-
51
0.6
0.8
0.3
1.30
1.275
1.0
1.0
V
V
%
%
μVRMS
A
A
2.8V
≤
V
CC
≤
3.6V ，注2
BW = 10Hz的 - 100kHz时，C
TT
= 10F
注1 ：在T指定的所有参数
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
注2：注意，我
DDQ
当前指定的是从V负载电流输出的
DDQ
引脚。 V
DDQ
还提供电流在内部的
V
TT
调节时，拉电流。的最大电源电流可高达0.5A 。这样的最大总电流
从V
DDQ
调节器是外部V
DDQ
电流I
DDQ
加到最大V
TT
采购电流I
TT
。所有负载电流
被指定为这样的，但在V
DDQ
被指定的电流限制在一个当前正上方的总的最大电流。
DDR- II产品规格
电气运行特性
符号
T
过度
T
HYST
I
CCN
I
CCQ
V
IH
V
IL
UVLO
t
上升
参数
关断结温
结温滞回
普通模式v
CC
供应
当前
关断模式V
CC
供应
当前
EN_DDR输入高门槛
EN_DDR输入低阈值
欠压锁定
V
DDQ
上升时间
IC在关机
EN_DDR =逻辑"0" ，
EN_DDR =逻辑"1" ，
V
DDQ
= 0V, V
TT
= 0V
V
CC
=3.3V
V
CC
=3.3V
I
DDQ
= 10毫安
V
CC
= 3.3V ，C
DDQ
= 10F
0.5
2.0
0.4
1.8
条件
常规参数
-
-
150
25
700
2
-
-
1100
10
°C
°C
A
A
V
V
V
ms
（见注3 ）
民
典型值
最大
单位
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
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430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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