CM3106
2安培源出/吸入总线终端稳压器
特点
理想的DDR -I和DDR- II V
TT
应用
汇和源2.0A的DDR -I
过电流保护
过温保护
集成的功率MOSFET
出色的精度（ 0.5 ％负载调整率）
引脚和LP2995功能兼容
8引脚SOIC和PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3106是一个下沉和采购监管specif-
ically设计提供功率的DDR内存
终端电阻和配套芯片组V
TT
力。输出电压准确地跟踪V
DDQ
/2.
该CM3106可以提供和吸收电流高达2A ，
理想的DDR -I内存的系统，并为1.2A DDR- II
系统，同时保持0.5％的负载调节
无论是应用程序。
该CM3106提供过流和过温
温保护该保护装置的exces-
西伯加热，由于高电流和高的温度下进行。
使用外部晶体管关断功能
降低功耗，提供了一种高
阻抗输出。
该CM3106封装在8引脚SOIC和PSOP
包，并提供可选无铅整饰
ING 。
应用
单通道和双通道DDR内存
总线终端
主动终止巴士
显卡的显存终止
简化的电气原理图
AV
IN
V
DDQ
PV
IN
温度过高
过电流
参考
50K
司机
V
REF
OUT
IN
V
TT
50K
卜FF器
V
SENSE
GND
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CM3106
PACKAGE /引脚布局图
T
OP VIEW
NC
GND
V
SENSE
V
REF
1
2
3
4
8
7
6
5
顶视图
V
TT
PV
IN
AV
IN
V
DDQ
NC
GND
V
SENSE
V
REF
1
2
3
4
8
7
GND
6
5
V
TT
PV
IN
AV
IN
V
DDQ
8引脚SOIC
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
铅（ S）
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
NC
GND
V
SENSE
V
REF
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
V
TT
描述
无连接
地
反馈
参考输出， VDDQ / 2
V
DDQ
输入
模拟量输入
电源输入
产量
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
引脚
8
8
包
SOIC-8
PSOP-8
数
1
CM3106-12SN
CM3106-12SB
最热
CM310601S
CM3106-12SB
无铅完成
订购零件
数
1
CM3106-12SM
CM3106-12SH
最热
CM3106-12SM
CM3106-12SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3106
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
AV
IN
工作电源电压
V
DDQ
输入电压
引脚电压
V
TT
产量
所有其他引脚
静电放电（ HBM）的
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
功率耗散（见注1 ）
等级
7
7
7
7
±2000
-40到+150
-40到+85 （见注1）
-40到+150
内部限制
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
注1 ：这些设备必须基于在高温下的热电阻降额。封装在一个8引脚设备
SOIC封装引线框架必须被降级
θ
JA
= 151
° C / W
.
θ
JA
的8引脚PSOP是40
° C / W 。
标准工作条件
参数
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
工作环境温度
C
TT
价值
2.5
2.5
2.5
0至+70
220 +20%
单位
V
V
V
°C
F
电气运行特性
（见注1 ）
符号
V
IN
参数
输入电压范围
V
DDQ
AV
IN
AV
IN
静态电流
负载调整率
输出参考电压
从V输出偏移
REF
V
REF
输出阻抗
V
DDQ
输入阻抗
V
TT
电流限制
关断温度
热滞
-5μA <我
REF
＆ LT ; 5μA
I
VTT
= 0A
0A <我
VTT
< 2.0A或-2.0A <我
VTT
< 0A
V
DDQ
= 2.5V ，我
REF
=0A
1.225
-20
5
100
2.5
150
50
条件
民
2.2
2.2
典型值
2.5
2.5
450
6.25
1.25
1.275
20
最大
AV
IN
5.5
单位
V
V
A
mV
V
mV
k
k
A
°C
°C
I
CC
V
RLOAD
V
REF
VOS
VTT
Z
REF
Z
VDDQ
I
LIM
T
关闭
T
HYST
注1 ：经营特点是在标准工作条件，除非另有说明。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
3
CM3106
演出信息
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图1.输出电压与
AV
IN
电源（V
DDQ
=2.5V)
图3.参考电压与
AV
IN
电源（V
DDQ
=2.5V)
图2.负载调整率（汇）
图4.负载调整率（资料来源）
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3106
性能信息（续）
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图5.过流限制（汇）
图7.过电流限制（来源）
图6. AV
IN
电源电流与电源电压
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
5
CM3106
2安培源出/吸入总线终端稳压器
特点
理想的DDR -I和DDR- II V
TT
应用
汇和源2.0A的DDR -I
过电流保护
过温保护
集成的功率MOSFET
出色的精度（ 0.5 ％负载调整率）
引脚和LP2995功能兼容
8引脚SOIC和PSOP封装
提供无铅版本
产品说明
该CM3106是一个下沉和采购监管specif-
ically设计提供功率的DDR内存
终端电阻和配套芯片组V
TT
力。输出电压准确地跟踪V
DDQ
/2.
该CM3106可以提供和吸收电流高达2A ，
理想的DDR -I内存的系统，并为1.2A DDR- II
系统，同时保持0.5％的负载调节
无论是应用程序。
该CM3106提供过流和过温
温保护该保护装置的exces-
西伯加热，由于高电流和高的温度下进行。
使用外部晶体管关断功能
降低功耗，提供了一种高
阻抗输出。
该CM3106封装在8引脚SOIC和PSOP
包，并提供可选无铅整饰
ING 。
应用
单通道和双通道DDR内存
总线终端
主动终止巴士
显卡的显存终止
简化的电气原理图
AV
IN
V
DDQ
PV
IN
温度过高
过电流
参考
50K
司机
V
REF
OUT
IN
V
TT
50K
卜FF器
V
SENSE
GND
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
1
CM3106
PACKAGE /引脚布局图
T
OP VIEW
NC
GND
V
SENSE
V
REF
1
2
3
4
8
7
6
5
顶视图
V
TT
PV
IN
AV
IN
V
DDQ
NC
GND
V
SENSE
V
REF
1
2
3
4
8
7
GND
6
5
V
TT
PV
IN
AV
IN
V
DDQ
8引脚SOIC
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
铅（ S）
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
NC
GND
V
SENSE
V
REF
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
V
TT
描述
无连接
地
反馈
参考输出， VDDQ / 2
V
DDQ
输入
模拟量输入
电源输入
产量
订购信息
品名信息
标准完成
订购零件
引脚
8
8
包
SOIC-8
PSOP-8
数
1
CM3106-12SN
CM3106-12SB
最热
CM310601S
CM3106-12SB
无铅完成
订购零件
数
1
CM3106-12SM
CM3106-12SH
最热
CM3106-12SM
CM3106-12SH
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3106
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
AV
IN
工作电源电压
V
DDQ
输入电压
引脚电压
V
TT
产量
所有其他引脚
静电放电（ HBM）的
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
功率耗散（见注1 ）
等级
7
7
7
7
±2000
-40到+150
-40到+85 （见注1）
-40到+150
内部限制
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
注1 ：这些设备必须基于在高温下的热电阻降额。封装在一个8引脚设备
SOIC封装引线框架必须被降级
θ
JA
= 151
° C / W
.
θ
JA
的8引脚PSOP是40
° C / W 。
标准工作条件
参数
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
工作环境温度
C
TT
价值
2.5
2.5
2.5
0至+70
220 +20%
单位
V
V
V
°C
F
电气运行特性
（见注1 ）
符号
V
IN
参数
输入电压范围
V
DDQ
AV
IN
AV
IN
静态电流
负载调整率
输出参考电压
从V输出偏移
REF
V
REF
输出阻抗
V
DDQ
输入阻抗
V
TT
电流限制
关断温度
热滞
-5μA <我
REF
＆ LT ; 5μA
I
VTT
= 0A
0A <我
VTT
< 2.0A或-2.0A <我
VTT
< 0A
V
DDQ
= 2.5V ，我
REF
=0A
1.225
-20
5
100
2.5
150
50
条件
民
2.2
2.2
典型值
2.5
2.5
450
6.25
1.25
1.275
20
最大
AV
IN
5.5
单位
V
V
A
mV
V
mV
k
k
A
°C
°C
I
CC
V
RLOAD
V
REF
VOS
VTT
Z
REF
Z
VDDQ
I
LIM
T
关闭
T
HYST
注1 ：经营特点是在标准工作条件，除非另有说明。
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
3
CM3106
演出信息
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图1.输出电压与
AV
IN
电源（V
DDQ
=2.5V)
图3.参考电压与
AV
IN
电源（V
DDQ
=2.5V)
图2.负载调整率（汇）
图4.负载调整率（资料来源）
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
02/02/04
CM3106
性能信息（续）
典型的直流特性（标称条件，除非另有说明）
图5.过流限制（汇）
图7.过电流限制（来源）
图6. AV
IN
电源电流与电源电压
2004加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/02/04
430 N.麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
L
联系电话： 408.263.3214
L
传真： 408.263.7846
L
www.calmicro.com
5
QQ：2881677436 复制
