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三菱HVIGBT模块
CM2400HCB-34N
高功率开关使用
第四-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
绝缘型
CM2400HCB-34N
I
C ...............................................................
2400 A
V
CES ................................................. .....
1700 V
绝缘型
1 -元件在一包
AISiC底座
沟槽栅IGBT : CSTBT
TM
软反向恢复二极管
应用
牵引传动,可靠性高转换器/逆变器,直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
57
±0.1
190
±0.5
171
±0.1
57
±0.1
57
±0.1
6 - M8螺母
20
–0.2
+0.1
C
C
C
C
C
C
C
124
±0.1
140
±0.5
40
±0.2
CM
C
E
E
E
G
E
E
E
E
E
G
电路图
20.25
±0.2
41.25
±0.3
3 - M4螺母
79.4
±0.3
61.5
±0.3
61.5
±0.3
13
±0.2
5
±0.15
38
+1
0
8 -
φ7
±0.1
安装孔
旋入深度
分钟。 16.5
15
±0.2
40
±0.3
5.2
±0.2
29.5
±0.5
旋入深度
分钟。 7.7
28
+1
0
LABEL
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年9月
1
三菱HVIGBT模块
CM2400HCB-34N
第四-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
T
j
T
op
T
英镑
t
PSC
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
(注2 )
条件
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
DC ,T
c
= 80°C
脉冲
DC
脉冲
T
c
= 25 ° C, IGBT的一部分
RMS ,正弦, F = 60Hz的, T = 1分。
评级
1700
±
20
2400
4800
2400
4800
15600
4000
–40 ~ +150
–40 ~ +125
–40 ~ +125
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
V
°C
°C
°C
s
(注1 )
(注1 )
最大功率耗散(注3 )
隔离电压
结温
工作温度
储存温度
最大短路电流脉冲宽度V
CC
= 1000V, V
CE
V
CES
, V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
V
CE ( SAT )
t
D(上)
t
r
E
on(10%)
t
D(关闭)
t
f
E
off(10%)
V
EC
t
rr
Q
rr
E
rec(10%)
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
集电极 - 发射极饱和
电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
(注5 )
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
(注5 )
发射极 - 集电极电压
(注2 )
反向恢复时间
(注2 )
反向恢复电荷
(注2 )
反向恢复能量
(注2 ) (注5 )
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
CE
= 10 V,I
C
= 240毫安,T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0 V , F = 100千赫,T
j
= 25°C
V
CC
= 900 V,I
C
= 2400 ,V
GE
=
±15
V,T
j
= 25°C
I
C
= 2400 A
(注4 )T
j
= 25°C
V
GE
= 15 V
T
j
= 125°C
V
CC
= 900 V,I
C
= 2400 ,V
GE
=
±15
V
R
G( ON)的
= 0.8
,
T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 80 nH的
感性负载
V
CC
= 900 V,I
C
= 2400 ,V
GE
=
±15
V
R
G( OFF)
= 1.1
,
T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 80 nH的
感性负载
I
E
= 2400 A
V
GE
= 0 V
(注4 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5.5
V
CC
= 900 V,I
E
= 2400 ,V
GE
=
±15
V
R
G( ON)的
= 0.8
,
T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 80 nH的
感性负载
范围
典型值
7.0
6.5
396
21.6
6.3
27.4
2.10
2.35
0.65
0.70
2.20
1.85
750
0.50
最大
9
18
7.5
0.5
2.70
1.50
0.60
3.00
0.60
3.00
1.50
单位
mA
V
A
nF
nF
nF
C
V
s
s
焦耳/ P
s
s
焦耳/ P
V
s
C
焦耳/ P
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年9月
2
三菱HVIGBT模块
CM2400HCB-34N
第四-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
热特性
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
热阻
热阻
接触热阻
条件
结到管壳, IGBT的一部分
结到外壳, FWDI部分
案例鳍,
λ
油脂
= 1W / M ·K ,D
( C-F )
= 100
m
范围
典型值
6.0
最大
8.0
12.0
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
M
t
M
s
M
t
m
CTI
d
a
d
s
L
P CE
R
CC' + EE '
条件
M8 :主端子螺钉
M6 :安装螺丝
M4 :辅助接线端子螺丝
7.0
3.0
1.0
600
19.5
32.0
范围
典型值
1.5
10
0.18
最大
13.0
6.0
2.0
单位
N·m的
N·m的
N·m的
kg
mm
mm
nH
m
安装力矩
漏电起痕指数
净空
爬电距离
寄生杂散电感
内部引线电阻
T
c
= 25°C
注1.脉冲宽度和重复速率应使得结点温度(T
j
)不超过牛逼
opmax
评级( 125°C ) 。
2.符号代表反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
3.结温(T
j
)不应超过牛逼
JMAX
评级( 150 ° C) 。
4.脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
5. E
on(10%)
/ E
off(10%)
/ E
rec(10%)
是的积分
0.1V
CE
X 0.1I
C
X DT 。
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年9月
3
三菱HVIGBT模块
CM2400HCB-34N
第四-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
(典型值)
5000
T
j
= 125°C
V
GE
= 20V
4000
5000
传输特性
(典型值)
V
CE
= 20V
集电极电流( A)
V
GE
= 15V
3000
V
GE
= 12V
集电极电流( A)
V
GE
= 10V
4000
3000
2000
V
GE
= 8V
1000
2000
1000
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压( V)
栅极 - 发射极电压( V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
5000
V
GE
= 15V
5000
续流二极管
正向特性
(典型值)
4000
4000
集电极电流( A)
发射极电流( A)
3000
3000
2000
2000
1000
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
1
2
3
4
1000
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极饱和电压( V)
发射极 - 集电极电压(V)的
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年9月
4
三菱HVIGBT模块
CM2400HCB-34N
第四-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
电容特性
(典型值)
10
4
7
5
3
2
栅极电荷特性
(典型值)
20
V
CE
= 900V ,我
C
= 2400A
T
j
= 25°C
15
10
3
电容( NF)
7
5
3
2
C
IES
栅极 - 发射极电压( V)
10
5
10
2
7
5
3
2
0
C
OES
10
1
7
5
3
2
-5
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
F = 100KHz的
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
-10
C
水库
2 3
5 7
10
2
10
0 -1
10
-15
0
10
20
30
40
集电极 - 发射极电压( V)
栅极电荷(
C
)
半桥开关能量
特征
(典型值)
2.5
V
CC
= 900V, V
GE
=
±15V
R
G(上)
= 0.8, R
G( OFF)
= 1.1
T
j
= 125°C ,电感性负载
2.0
E
on
5
6
半桥开关能量
特征
(典型值)
V
CC
= 900V ,我
C
= 2400A
V
GE
=
±15V,
T
j
= 125°C
感性负载
E
on
4
切换能(焦耳/ P)
E
关闭
1.5
切换能(焦耳/ P)
3
1.0
E
REC
0.5
2
E
关闭
1
E
REC
0
2
4
6
8
10
12
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
集电极电流( A)
栅极电阻(
)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年9月
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    -
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联系人:李
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