三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
高功率开关使用
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
绝缘型
CM1600HC-34H
q
I
C ................................................................
1600A
q
V
CES ................................................. ......
1700V
q
绝缘型
q
1 -元件在一包
q
AISiC底座
q
软反向恢复二极管
应用
牵引传动,可靠性高转换器/逆变器,直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
130
114
57
±0.25
57
±0.25
4 - M8螺母
C
C
C
C
C
20
124
±0.25
CM
E
E
140
30
G
E
E
E
E
C
G
电路图
16.5
3 - M4螺母
2.5
18.5
61.5
旋入深度
分钟。 7.7
6 -
φ
7安装孔
5
旋入深度
分钟。 11.7
35
11
14.5
18
38
+1
0
28
+1
0
LABEL
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
31.5
5
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注2 )
I
EM (注2)
P
C(注3 )
T
j
T
op
T
英镑
V
ISO
t
PSC
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大功率耗散
结温
工作温度
储存温度
隔离电压
最大短路脉冲
宽度
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
T
C
= 80°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C, IGBT的一部分
条件
评级
1700
±20
1600
3200
1600
3200
12500
–40 ~ +150
–40 ~ +125
–40 ~ +125
4000
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
s
(注1 )
(注1 )
RMS ,正弦, F = 60Hz的, T = 1分。
V
CC
= 1150V, V
CES
≤
1700V, V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
V
统(注2)
t
D(上)
t
r
E
on
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
RR (注2 )
Q
RR (注2 )
E
录制(注2)
注: 1 。
2.
3.
4.
项
集电极截止电流
栅极 - 射极
阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
I
C
= 160毫安,V
CE
= 10V ,T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
I
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
V
CE
= 10V , F = 100kHz的
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
E
= 1600A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
(注4 )
I
E
= 1600A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C
(注4 )
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( OFF)
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
5.5
—
2.60
3.10
140
20.0
7.6
13.2
2.30
1.85
—
—
540
—
—
580
—
420
220
最大
24
6.5
0.5
3.30
—
—
—
—
—
3.00
—
1.60
1.30
—
2.70
0.80
—
2.70
—
—
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
V
s
s
兆焦耳/脉冲
s
s
兆焦耳/脉冲
s
C
兆焦耳/脉冲
(注4 )
(注4 )
脉冲宽度和重复速率应使得结点温度(T
j
)不超过牛逼
opmax
评级( 125°C ) 。
各符号表示的反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
结温(T
j
)不应超过牛逼
JMAX
评级( 150 ° C) 。
脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
热特性
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
项
热阻
接触热阻
条件
结到管壳, IGBT的一部分
结到外壳, FWDI部分
案例鳍,
λ
油脂
= 1W / M ·K
民
—
—
—
范围
典型值
—
—
8.0
最大
10.0
17.0
—
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
项
条件
M8 :主端子螺钉
M6 :安装螺丝
M4 :辅助接线端子螺丝
民
7.0
3.0
1.0
—
600
10.0
15.0
—
范围
典型值
—
—
—
1.0
—
—
—
18
最大
13.0
6.0
2.0
—
—
—
—
—
单位
M
—
CTI
d
a
d
s
L
C- E( INT )
安装力矩
块
漏电起痕指数
在空气间隙距离
除了表面爬电距离
内部电感
N·m的
kg
—
mm
mm
nH
IGBT的一部分
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
(典型值)
3200
T
j
= 25°C
2800
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
2800
3200
传输特性
(典型值)
V
CE
= 10V
集电极电流( A)
集电极电流( A)
2400
2000
1600
1200
800
V
GE
= 20V
2400
2000
1600
1200
800
400
0
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
400
0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
集电极 - 发射极电压( V)
栅极 - 发射极电压( V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
续流二极管
正向特性
(典型值)
5
集电极 - 发射极饱和电压( V)
5
V
GE
= 15V
4
发射极 - 集电极电压(V)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
4
3
3
2
2
1
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
800
1600
2400
3200
0
0
800
1600
2400
3200
集电极电流( A)
发射极电流( A)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
电容特性
(典型值)
10
3
7
5
3
2
栅极电荷特性
(典型值)
20
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
F = 100KHz的
C
IES
电容( NF)
10
2
7
5
3
2
栅极 - 发射极电压( V)
5 7
10
2
16
12
C
OES
8
10
1
7
5
3
2
C
水库
4
10
0 -1
10
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2 3
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压( V)
栅极电荷(
C
)
半桥
开关能量特性
(典型值)
2000
V
CC
= 850V, V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 1.6
T
j
= 125°C ,电感性负载
2400
E
on
半桥
开关能量特性
(典型值)
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A
V
GE
=
±15V
T
j
= 125°C ,电感性负载
E
on
切换能(兆焦耳/脉冲)
1600
切换能(兆焦耳/脉冲)
2000
1600
1200
E
关闭
800
1200
E
关闭
800
400
E
REC
400
E
REC
0
0
800
1600
2400
3200
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极电流( A)
栅极电阻(
)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月