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三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
高功率开关使用
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
绝缘型
CM1600HC-34H
q
I
C ................................................................
1600A
q
V
CES ................................................. ......
1700V
q
绝缘型
q
1 -元件在一包
q
AISiC底座
q
软反向恢复二极管
应用
牵引传动,可靠性高转换器/逆变器,直流斩波器
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
130
114
57
±0.25
57
±0.25
4 - M8螺母
C
C
C
C
C
20
124
±0.25
CM
E
E
140
30
G
E
E
E
E
C
G
电路图
16.5
3 - M4螺母
2.5
18.5
61.5
旋入深度
分钟。 7.7
6 -
φ
7安装孔
5
旋入深度
分钟。 11.7
35
11
14.5
18
38
+1
0
28
+1
0
LABEL
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
31.5
5
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注2 )
I
EM (注2)
P
C(注3 )
T
j
T
op
T
英镑
V
ISO
t
PSC
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大功率耗散
结温
工作温度
储存温度
隔离电压
最大短路脉冲
宽度
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
T
C
= 80°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C, IGBT的一部分
条件
评级
1700
±20
1600
3200
1600
3200
12500
–40 ~ +150
–40 ~ +125
–40 ~ +125
4000
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
s
(注1 )
(注1 )
RMS ,正弦, F = 60Hz的, T = 1分。
V
CC
= 1150V, V
CES
1700V, V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
V
统(注2)
t
D(上)
t
r
E
on
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
RR (注2 )
Q
RR (注2 )
E
录制(注2)
注: 1 。
2.
3.
4.
集电极截止电流
栅极 - 射极
阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
I
C
= 160毫安,V
CE
= 10V ,T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ,T
j
= 25°C
I
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
V
CE
= 10V , F = 100kHz的
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
E
= 1600A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
(注4 )
I
E
= 1600A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C
(注4 )
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( OFF)
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A ,V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= 1.6, T
j
= 125 ℃下,L-
s
= 100nH的
感性负载
4.5
范围
典型值
5.5
2.60
3.10
140
20.0
7.6
13.2
2.30
1.85
540
580
420
220
最大
24
6.5
0.5
3.30
3.00
1.60
1.30
2.70
0.80
2.70
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
V
s
s
兆焦耳/脉冲
s
s
兆焦耳/脉冲
s
C
兆焦耳/脉冲
(注4 )
(注4 )
脉冲宽度和重复速率应使得结点温度(T
j
)不超过牛逼
opmax
评级( 125°C ) 。
各符号表示的反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
结温(T
j
)不应超过牛逼
JMAX
评级( 150 ° C) 。
脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
热特性
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
热阻
接触热阻
条件
结到管壳, IGBT的一部分
结到外壳, FWDI部分
案例鳍,
λ
油脂
= 1W / M ·K
范围
典型值
8.0
最大
10.0
17.0
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
符号
条件
M8 :主端子螺钉
M6 :安装螺丝
M4 :辅助接线端子螺丝
7.0
3.0
1.0
600
10.0
15.0
范围
典型值
1.0
18
最大
13.0
6.0
2.0
单位
M
CTI
d
a
d
s
L
C- E( INT )
安装力矩
漏电起痕指数
在空气间隙距离
除了表面爬电距离
内部电感
N·m的
kg
mm
mm
nH
IGBT的一部分
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
性能曲线
输出特性
(典型值)
3200
T
j
= 25°C
2800
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
2800
3200
传输特性
(典型值)
V
CE
= 10V
集电极电流( A)
集电极电流( A)
2400
2000
1600
1200
800
V
GE
= 20V
2400
2000
1600
1200
800
400
0
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
400
0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
集电极 - 发射极电压( V)
栅极 - 发射极电压( V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
续流二极管
正向特性
(典型值)
5
集电极 - 发射极饱和电压( V)
5
V
GE
= 15V
4
发射极 - 集电极电压(V)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
4
3
3
2
2
1
1
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0
800
1600
2400
3200
0
0
800
1600
2400
3200
集电极电流( A)
发射极电流( A)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
三菱HVIGBT模块
CM1600HC-34H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
电容特性
(典型值)
10
3
7
5
3
2
栅极电荷特性
(典型值)
20
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
F = 100KHz的
C
IES
电容( NF)
10
2
7
5
3
2
栅极 - 发射极电压( V)
5 7
10
2
16
12
C
OES
8
10
1
7
5
3
2
C
水库
4
10
0 -1
10
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2 3
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压( V)
栅极电荷(
C
)
半桥
开关能量特性
(典型值)
2000
V
CC
= 850V, V
GE
=
±15V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 1.6
T
j
= 125°C ,电感性负载
2400
E
on
半桥
开关能量特性
(典型值)
V
CC
= 850V ,我
C
= 1600A
V
GE
=
±15V
T
j
= 125°C ,电感性负载
E
on
切换能(兆焦耳/脉冲)
1600
切换能(兆焦耳/脉冲)
2000
1600
1200
E
关闭
800
1200
E
关闭
800
400
E
REC
400
E
REC
0
0
800
1600
2400
3200
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极电流( A)
栅极电阻(
)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2005年7月
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