CM1431
液晶显示器和照相机的EMI滤波器阵列与ESD保护
特点
四,六,八通道EMI滤波与
集成ESD保护
在电容电阻电容丕式EMI滤波器
(C -R -C )网络
±15kV
在每个通道上的ESD保护
( IEC 61000-4-2第4级,接触放电)
±30kV
在每个通道上的ESD保护( HBM)的
超过35dB的衰减量(典型值) ,在1 GHz的更高
TDFN封装, 0.40毫米引线间距:
4路。 = 8引脚TDFN
6路。 = 12引脚的TDFN
8路。 = 16引脚TDFN
微型TDFN封装尺寸:
8引脚:1.7毫米X 1.35毫米
12引线:2.5毫米X 1.35毫米
16引线: 3.3毫米X 1.35毫米
对垂直冲击提高了稳定性,
在制造过程中
无铅整理
产品说明
该CM1431是一个与家人PI式EMI滤波器阵列
ESD保护于一体的四,六,八滤波器
TER值( CRC )在小尺寸TDFN 0.40毫米间距
包。该CM1431拥有的元件值
为15pF - 100Ω - 15pF的每个通道。该CM1431具有的断点
关的120MHz的频率,并且可以在应用程序中使用
系统蒸发散,数据速率高达48Mbps的。该部件包括
ESD二极管每个引脚上,从而提供了一个非常高的
保护敏感的电子元件的电平
即可以经受静电放电(ESD ) 。
ESD保护二极管安全地耗散静电
罢工
±15kV,
远远超出了最大要求一
换货的IEC61000-4-2国际标准。
采用MIL -STD- 883 (方法3015 )规格
为人体模型( HBM ) ESD ,针脚亲
在大于tected的接触放电
±30kV.
这些设备特别适合于便携式
电子产品(如无线手机,PDA ,笔记本电脑
计算机,因为他们的小包装且易于)
对使用的引脚分配。特别是, CM1431是
理想的EMI滤波和保护数据和控制
对于I / O数据接口, LCD显示器和照相机线
接口在手机中。
该CM1431坐落在节省空间的,低调的8位,
12和16引脚TDFN封装用0.40毫米间距
和可与无铅精加工。这小
尺寸TDFN封装提供高达42 %的电路板空间
节能主场迎战0.50毫米间距TDFN封装。
应用
在手机LCD和相机数据线
用于手机,笔记本电脑的I / O端口保护
计算机,PDA等。
在手机,掌上电脑的EMI滤波的数据端口或
笔记本电脑等。
无线手机
掌上电脑/ PDA的
LCD和相机模块
电气原理图
100Ω
过滤器+ ESDN *
15pF
过滤器+ ESDN *
R
15pF
C
GND
C
*请参阅封装/引脚排列图
为扩大销信息。
1,4,6或8的EMI / RFI + ESD频道的
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/06/06
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
●
传真: 408.263.7846
●
www.cmd.com
1
CM1431
PACKAGE /引脚图
(引脚往下看)
8 7 6 5
顶视图
底部视图
(引脚最多查看)
1 2 3 4
(引脚往下看)
12 11 10 9 8 7
顶视图
底部视图
(引脚最多查看)
1 2 3 4 5 6
销1
记号
XX
1 2 3 4
GND
PAD
销1
记号
XXXX
1 2 3 4 5
6
GND
PAD
8 7 6 5
12 11 10 9 8 7
CM1431-04DF/DE
8引脚TDFN封装
顶视图
(引脚往下看)
CM1431-06DF/DE
12引脚TDFN封装
底部视图
(引脚最多查看)
1 2 3 4 5 6 7 8
16 15 14 13 12 11 10 9
销1
记号
XXXXX
1 2 3 4 5
6 7
8
GND
PAD
16 15 14 13 12 11 10 9
注意事项:
1 )这些附图不按比例绘制。
CM1431-08DF/DE
16引脚TDFN封装
引脚说明
器件的引脚(S )
-04
1
2
3
4
-06
1
2
3
4
5
6
-08
1
2
3
4
5
6
7
8
GND焊盘
名字
FILTER1
FILTER2
FILTER3
FILTER4
FILTER5
FILTER6
FILTER7
FILTER8
GND
描述
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
接地装置
器件的引脚(S )
-04
8
7
6
5
-06
12
11
10
9
8
7
-08
16
15
14
13
12
11
10
9
名字
FILTER1
FILTER2
FILTER3
FILTER4
FILTER5
FILTER6
FILTER7
FILTER8
描述
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
8
12
16
包
TDFN-8
TDFN-12
TDFN-16
订购零件
数
1
CM1431-04DF
CM1431-06DF
CM1431-08DF
最热
WF
N31F
N318F
无铅完成
订购零件
数
1
CM1431-04DE
CM1431-06DE
CM1431-08DE
最热
WE
N31E
N318E
注1 :部件是运带&卷轴形式,除非另有规定。
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
2
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
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CM1431
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
每个电阻的直流电源
DC封装额定功率
等级
-65到+150
100
500
单位
°C
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
(见注1)
符号
R
C
总
C
V
二极管
I
泄漏
V
SIG
参数
阻力
总的信道容量
电容C
断态电压
二极管的漏电流(反向偏置)
信号钳位电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一)人体模型, MIL -STD- 883 ,
方法3015
二)符合IEC接触放电61000-4-
2第4级
动态电阻
积极
负
截止频率
Z
来源
=50Ω, Z
负载
=50Ω
从0分贝绝对衰减@ 1GHz的
水平
从0分贝6GHz的水平
道R = 100Ω ,
通道C = 15pF的
Z
来源
= 50Ω, Z
负载
= 50Ω,
DC偏压= 0V ;注1 ,第4和第5
Z
来源
= 50Ω, Z
负载
= 50Ω,
DC偏压= 0V ;注1 ,第4和第5
在2.5VDC反向偏置, 1MHz时,
30mVAC
在2.5VDC反向偏置, 1MHz时,
30mVAC
I
二极管
=10μA
V
二极管
=
+
3.3V
I
负载
= 10毫安
I
负载
= -10mA
注意到图2和3
±30
±15
kV
kV
5.6
-1.5
条件
民
80
24
12
典型值
100
30
15
6.0
0.1
6.8
-0.8
1.0
9.0
-0.4
最大
120
36
18
单位
Ω
pF
pF
V
μA
V
V
V
ESD
R
DYN
2.3
0.9
110
35
30
Ω
Ω
兆赫
dB
dB
f
C
A
1GHz
A
800MHz的 -
绝对衰减@ 800MHz至
6GHz
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
静电施加到输入和输出引脚相对于GND ,一次一个。
这些参数由设计保证的。
特征在于使用微探针网络分析器衰减/射频曲线。
这些参数由设计,特性和产品不能保证。
2006加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
02/06/06
490 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
●
联系电话: 408.263.3214
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传真: 408.263.7846
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3
CM1431
演出信息
典型滤波器性能(T
A
= 25 ° C, DC偏压= 0V , 50欧姆环境)
图1.插入损耗与频率(过滤器1输入到GND)
图2.插入损耗与频率( FILTER2输入到GND)
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4
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CM1431
性能信息(续)
典型滤波器性能(T
A
= 25 ° C, DC偏压= 0V , 50欧姆环境)
图3.插入损耗与频率(过滤器3输入到GND)
图4.插入损耗与频率( FILTER4输入到GND)
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5
液晶显示器和照相机的EMI滤波器
与ESD保护阵列
CM1431
特点
四,六,八通道EMI滤波与
集成ESD保护
在电容电阻与PI式EMI滤波器
电容(C -R -C )网络
±15kV
在每个通道上的ESD保护
( IEC 61000-4-2第4级,接触放电)
±30kV
在每个通道上的ESD保护( HBM)的
超过35dB的衰减量(典型值) ,在1 GHz的更高
TDFN封装, 0.40毫米引线间距:
4路。 = 8引脚TDFN
6路。 = 12引脚的TDFN
8路。 = 16引脚TDFN
微型TDFN封装尺寸:
8引脚:1.7毫米X 1.35毫米
12引线:2.5毫米X 1.35毫米
16引线: 3.3毫米X 1.35毫米
对垂直冲击提高了稳定性,
在制造过程中
无铅整理
产品说明
该CM1431是一个家庭PI式EMI滤波器阵列
具有ESD保护功能,它集成了四,六,
8过滤器(C -R -C )在小尺寸TDFN
0.40毫米间距封装。该CM1431拥有
为15pF - 100Ω - 15pF的每通道的元件值。
的CM1431具有在120MHz的截止频率和
可以在数据速率高达应用中使用
48Mbps的。该部分包括ESD二极管每个引脚上,
它提供了一个非常高的水平的保护
敏感的电子部件,其可以是
受到静电放电( ESD ) 。静电放电
保护二极管安全地消散静电放电
±15kV,
远远超出的最大需求
IEC61000-4-2国际标准。使用MIL-
STD- 883 (方法3015 )规范人类
人体模型( HBM ) ESD ,该引脚为保护
在大于接触放电
±30kV.
这些设备特别适合于便携式
电子产品(如无线手机,PDA ,笔记本电脑
计算机,因为他们的小包装且易于)
对使用的引脚分配。特别是, CM1431是
理想的EMI滤波和保护数据和控制
对于I / O数据接口, LCD显示器和照相机线
接口在手机中。
该CM1431坐落在节省空间的薄型
8位, 12位和16引脚TDFN封装用0.40毫米
音调和可与无铅精加工。这
更小的尺寸TDFN封装提供高达42 %
电路板空间节省主场迎战0.50毫米间距TDFN
包。
应用
在手机LCD和相机数据线
用于手机,笔记本电脑的I / O端口保护
计算机,PDA等。
EMI滤波用于手机数据端口,掌上电脑
或笔记本电脑等。
无线手机
掌上电脑/ PDA的
LCD和相机模块
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年4月第2版
出版订单号:
CM1431/D
CM1431
电气原理图
1,4,6或8的EMI / RFI + ESD频道的
8
7 6 5
第2版|第12页2 | www.onsemi.com
CM1431
引脚说明
器件的引脚(S )
-04
1
2
3
4
-06
1
2
3
4
5
6
-08
1
2
3
4
5
6
7
8
GND焊盘
名字
FILTER1
FILTER2
FILTER3
FILTER4
FILTER5
FILTER6
FILTER7
FILTER8
GND
描述
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
接地装置
器件的引脚(S )
-04
8
7
6
5
-06
12
11
10
9
8
7
-08
16
15
14
13
12
11
10
9
名字
FILTER1
FILTER2
FILTER3
FILTER4
FILTER5
FILTER6
FILTER7
FILTER8
描述
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
订购信息
品名信息
标准完成
引脚
8
12
16
包
TDFN-8
TDFN-12
TDFN-16
订购零件
1
数
CM1431-04DF
CM1431-06DF
CM1431-08DF
无铅完成
订购零件
1
数
CM1431-04DE
CM1431-06DE
CM1431-08DE
最热
WF
N31F
N318F
最热
WE
N31E
N318E
注1 :部件是运带&卷轴形式,除非另有规定。
第2版|第12页3 | www.onsemi.com
CM1431
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
每个电阻的直流电源
DC封装额定功率
等级
-65到+150
100
500
单位
°
C
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°
C
第2版|第12页的4 | www.onsemi.com
CM1431
电气运行特性
(见注1)
符号
R
C
总
C
参数
阻力
总的信道容量
在2.5VDC反向偏置, 1MHz时,
30mVAC
在2.5VDC反向偏置, 1MHz时,
30mVAC
I
二极管
=10A
V
二极管
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
I
负载
= -10mA
注2
±30
±15
kV
kV
5.6
-1.5
条件
民
80
24
典型值
100
30
最大
120
36
单位
pF
电容C
12
15
18
pF
V
二极管
I
泄漏
V
SIG
断态电压
二极管的漏电流(反向偏置)
信号钳位电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一)人体模型, MIL -STD- 883 ,
方法3015
二)符合IEC接触放电61000-4-
2第4级
动态电阻
积极
负
截止频率
Z
来源
=50, Z
负载
=50
从0分贝绝对衰减@ 1GHz的
水平
6.0
0.1
1.0
V
A
6.8
-0.8
9.0
-0.4
V
V
V
ESD
R
DYN
2.3
0.9
道R = 100Ω ,
通道C = 15pF的
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50,
DC偏压= 0V ;注释1和3
Z
来源
= 50, Z
负载
= 50,
DC偏压= 0V ;注1和3
兆赫
dB
f
C
110
35
A
1GHz
A
800MHz的 - 6GHz的
绝对衰减@ 800MHz至
从0分贝6GHz的水平
30
dB
注1:T
A
=25
°
除非另有规定ED 。
C
注2 :静电放电施加到输入和输出引脚相对于GND ,一次一个。
注3 :其特征在于使用微探针网络分析器衰减/射频曲线。
第2版|第12页5 | www.onsemi.com