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CED603AL/CEU603AL
1998年3月
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
30V ， 20A ，R
DS （ ON）
=22m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=40m
@V
GS
=4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
G
S
G
D
S
D
6
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@T
J
=125 C
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
20
77
20
50
0.3
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
6-37
3
50
C / W
C / W
CED603AL/CEU603AL
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
最小典型最大单位
30
1
V
A
100 nA的
1
1.6
18
28
60
35
770
330
100
3
22
40
V
m
m
A
S
P
F
P
F
P
F
6
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DD
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 15V,
I
D
=20A,
V
GS
= 10V,
R
根
= 24
15
55
95
100
20
30
110
150
130
26
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 24V ，我
D
= 20A,
V
GS
=10V
6-38
3
5
CED603AL/CEU603AL
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 25A
最小典型最大单位
0.95
1.3
V
漏源二极管的特性
a
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
40
35
V
GS
=10,8,7,6,5,4V
30
40
25 C
6
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
=3V
I
D
，漏电流（ A）
30
TJ = 125℃
20
10
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
1800
1.3
图2.传输特性
R
DS （ ON）
归一化
漏源，导通电阻
V
GS
=10V
1.2
TJ = 125℃
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
25 C
-55 C
C，电容（pF ）
1500
1200
900
西塞
600
科斯
300
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
6-39
CED603AL/CEU603AL
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
ID = 250一
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
60
V
DS
=10V
图6.击穿电压变化
随温度
40
g
FS
，跨导（ S）
是，源极 - 漏极电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
10
I
D
，漏电流（ A）
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
300
200
100
1m
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=24V
I
D
=20A
10
R
DS
(O
N
i
)L
t
mi
10
s
10
0m
s
ms
1s
DC
1
0.5
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
3
6
9
12 15
18
21 24
1
10
30
60
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
6-40
图10.最大安全
工作区
CED603AL/CEU603AL
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
t
2
1. R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
2. R
JA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
10
10
1
10
10
方波脉冲持续时间（秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-41
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