CLY38
HiRel它
C波段砷化镓电MESFET
HiRel它
离散和微波半导体
对于专业功率放大器
对于频率从100 MHz到4.2 GHz的
密封微波功率封装
低热阻
高电压应用
功率附加效率> 53 ％
空间资质预期1998
ESA / SCC详细规格。编号： 5614/008 ，
VARIANT类型号对应01 03
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码
引脚配置
1
2
S
3
D
包
CLY38-00 （ QL ）
CLY38-05 （ QL ）
CLY38-10 （ QL ）
-
见下文
G
MWP-35
CLY38 -NN ：指定输出功率电平（见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
Q62702L111
根据要求
根据要求
Q62702L110
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1 10
吃水d ， 99年9月
CLY38
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
门正向电流
压缩级别
1)
经营范围1
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
C
值
14
16
-6
5.6
32
1.5在V
DS
≤
9 V
2.5在V
DS
≤
8 V
3.5在V
DS
≤
7 V
单位
V
V
V
A
mA
dB
压缩级别
2)
经营范围2
压缩级别
3)
经营范围3
结温
存储温度范围
总功耗
4)
焊接温度
5)
热阻
结焊接点
注意事项：
P
C
P
C
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
3.5在V
DS
≤
7 V
待定。
175
- 65...+ 175
30
230
dB
dB
°C
°C
W
°C
R
日JS
≤
4.5
K / W
1 ）操作范围1 ： 930毫安
≤
I
D
≤
1860毫安
2 ）操作范围2 ：我
D
> 1860毫安
3 ）操作范围3 ：我
D
< 930毫安
4 ）在T
S
= + 40°C 。对于T
S
> + 40°C降额要求。
5）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2 10
吃水d ， 99年9月
CLY38
典型的公共源S参数
Z
o
= 50
| S22 | <S22 K-事实。 S
21
/S
12
MAG
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [分贝]
[分贝]
0,966
172
0,37
22,2
0,955
171
0,46
21,8
0,944
169
0,57
21,4
0,932
168
0,68
20,9
0,921
166
0,81
20,3
0,910
164
0,94
19,7
0,902
162
1,06
19,2
17,7
0,897
160
1,19
18,8
16,1
0,894
159
1,28
18,3
15,1
0,893
157
1,38
18,0
14,3
0,893
156
1,44
17,6
13,6
0,894
154
1,49
17,2
13,1
0,895
153
1,51
16,8
12,5
0,897
151
1,54
16,3
12,0
0,898
150
1,56
15,9
11,5
0,899
148
1,58
15,5
11,1
0,899
147
1,58
15,1
10,6
0,900
146
1,62
14,7
10,1
0,900
144
1,65
14,4
9,7
0,900
143
1,69
14,1
9,3
0,900
142
1,71
13,8
8,9
0,901
141
1,77
13,6
8,5
0,902
140
1,79
13,3
8,1
0,903
139
1,83
13,1
7,8
0,904
137
1,82
12,8
7,5
0,906
136
1,87
12,6
7,2
0,907
135
1,87
12,4
7,0
0,909
134
1,86
12,1
6,8
0,911
133
1,87
11,9
6,5
0,913
132
1,90
11,7
6,2
0,914
131
1,89
11,5
6,0
0,916
130
1,89
11,3
5,8
0,918
129
1,88
11,0
5,6
0,919
128
1,90
10,8
5,4
0,920
127
1,89
10,5
5,1
0,920
126
1,89
10,3
4,8
0,920
125
1,95
10,1
4,5
0,919
124
1,99
9,9
4,2
0,920
123
2,00
9,7
4,0
0,920
122
2,05
9,6
3,7
0,919
121
2,10
9,4
3,4
0,918
120
2,13
9,2
3,2
0,918
119
2,17
9,1
3,0
0,918
119
2,18
9,0
2,9
0,918
118
2,21
8,9
2,7
0,918
118
2,18
8,8
2,7
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN ] [角度]
0,5
0,927 -175
0,6
0,924 -178
0,7
0,922
180
0,8
0,921
177
0,9
0,921
173
1,0
0,924
170
1,1
0,926
167
1,2
0,927
164
1,3
0,929
161
1,4
0,930
158
1,5
0,931
156
1,6
0,932
153
1,7
0,933
151
1,8
0,934
149
1,9
0,934
147
2,0
0,935
145
2,1
0,935
143
2,2
0,936
141
2,3
0,936
139
2,4
0,936
137
2,5
0,937
136
2,6
0,936
134
2,7
0,937
132
2,8
0,937
131
2,9
0,937
129
3,0
0,937
127
3,1
0,937
126
3,2
0,937
124
3,3
0,937
123
3,4
0,936
121
3,5
0,936
120
3,6
0,937
119
3,7
0,936
117
3,8
0,936
116
3,9
0,935
114
4,0
0,935
113
4,1
0,933
112
4,2
0,933
111
4,3
0,933
109
4,4
0,932
108
4,5
0,931
107
4,6
0,931
106
4,7
0,930
105
4,8
0,931
104
4,9
0,931
103
5,0
0,931
103
V
DS
= 3 V，I
D
= 1400毫安，
| S21 | <S21 | S12 | <S12
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [视角]
2,300
84 0,0138
16
2,137
82 0,0140
16
1,960
80 0,0142
17
1,774
77 0,0144
16
1,582
74 0,0146
16
1,387
70 0,0148
16
1,235
66 0,0149
16
1,112
62 0,0148
16
1,010
59 0,0148
16
0,927
56 0,0148
16
0,856
53 0,0150
16
0,794
50 0,0152
15
0,740
47 0,0156
15
0,693
44 0,0161
15
0,651
42 0,0167
15
0,613
39 0,0171
15
0,579
36 0,0180
14
0,548
34 0,0184
15
0,519
31 0,0189
14
0,494
29 0,0192
14
0,471
26 0,0197
13
0,449
24 0,0197
14
0,429
22 0,0201
13
0,411
19 0,0202
12
0,394
17 0,0209
12
0,379
15 0,0207
11
0,364
13 0,0211
11
0,350
11 0,0214
9
0,338
9
0,0218
9
0,325
7
0,0220
9
0,314
5
0,0225
8
0,304
3
0,0227
7
0,294
1
0,0232
7
0,285
-1
0,0236
6
0,276
-3
0,0245
6
0,268
-4
0,0251
5
0,260
-6
0,0255
5
0,253
-8
0,0260
4
0,246
-9
0,0264
3
0,240
-11 0,0266
2
0,234
-12 0,0269
2
0,229
-14 0,0272
1
0,224
-15 0,0274
0
0,220
-16 0,0275
0
0,217
-17 0,0276
-1
0,214
-18 0,0279
-1
半导体集团
5 10
吃水d ， 99年9月
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