CAT93C76 （ A版）
8K位Microwire串行EEPROM
特点
高速运转： 3MHz的@ V
CC
≥
2.5V
低功耗CMOS技术
1.8至5.5伏特操作
可选x8或x16内存组织
自定时写周期自动清零
软件写保护
上电时疏忽造成的写保护
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
顺序读取
提供“绿色”封装选项
描述
该CAT93C76是一个8K位串行EEPROM存储器
其被配置为16的任一寄存器设备
位（ ORG引脚为V
CC
或无法接通）或8位
（ ORG引脚的GND） 。每个寄存器可以写入（或
读）连续使用DI （或DO ）引脚。该
CAT93C76使用催化剂制造的
先进的CMOS EEPROM浮动门技术。
该设备被设计为承受百万
编程/擦除周期和具有100数据保留
年。该器件采用8引脚PDIP ， SOIC两种封装，
TSSOP和8焊盘TDFN封装。
引脚配置
PDIP （L ） ， SOIC （ V）
TSSOP （ Y） ， TDFN （ ZD4 ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 ORG
5 GND
功能符号
V
CC
ORG
CS
SK
DI
DO
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
功能
芯片选择
串行时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
无连接
如需订购信息的详细信息，请参阅第12页。
注意：
当ORG引脚连接到V
CC
， X16组织
选择。当它被连接到地， x8组织
被选中。如果ORG引脚悬空，那么
内部上拉器件将选择x16组织。
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。编号MD -1090版本B
CAT93C76 （ A版）
绝对最大额定值
(1)
参数
在偏置温度
储存温度
电压的任何引脚对地
V
CC
相对于地面
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流
(3)
可靠性的特点
(3)
符号
N
END(4)
T
DR(4)
V
ZAP(4)
I
LTH(4)(5)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
1,000,000
100
2000
100
单位
周期/字节
岁月
V
mA
(2)
评级
-55到+125
-65到150
-2.0至+ V
CC
+2.0
-2.0到+7.0
300
100
单位
C
C
V
V
C
mA
直流工作特性
V
CC
= +除非另有规定1.8V至+ 5.5V 。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
I
LORG
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16Mode ）
输入漏电流
输出漏电流
ORG引脚漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz的; V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz的; V
CC
= 5.0V
CS = 0V ORG = GND
CS = 0V ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
， CS = 0V
ORG = GND或ORG = V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V ;我
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V ;我
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
< 4.5V ;我
OL
= 100A
1.8V
≤
V
CC
< 4.5V ;我
OH
= -100A
民
典型值
1
300
2
0
(6)
0
(6)
0
(6)
1
最大
3
500
10
10
10
10
10
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
2.4
0.1
V
CC
- 0.2
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20ns的周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20ns的周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。
（ 4 ）这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供（ 5 ）闩锁保护的压力高达100毫安的I / O引脚从-1V到V
CC
+1V.
（6） 0μA被定义为小于900nA 。
文档。编号MD -1090版本B
2
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT93C76 （ A版）
引脚电容
(1)
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
指令集
(2)
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A10-A0
A10-A0
A10-A0
11XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x16
A9-A0
A9-A0
A9-A0
11XXXXXXXX
00XXXXXXXX
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D7-D0
D15-D0
D7-D0
D15-D0
x8
数据
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
写地址AN- A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
交流特性
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(1)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
(1)(4)
TEST
条件
V
CC
= 1.8V - 2.5V
民
100
0
100
100
250
最大
V
CC
= 2.5V - 5.5V
民
50
0
50
50
150
150
100
5
150
150
150
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
100
DC
3000
ns
千赫
C
L
= 100pF的
(3)
250
150
5
200
250
250
250
DC
1000
上电时序
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
注意事项：
（ 1 ）这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
（ 2 ）地址位A10为1,024x8组织。和A9为512x16组织。是“不关心”位，但必须保持在任一个为“1”或“0”读，
写入和擦除命令。
（3）输入电平与定时基准点被显示在“交流测试条件”表。
(4) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD -1090版本B
CAT93C76 （ A版）
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
≤
50ns
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
设备操作
该CAT93C76是一个8192位的非易失性存储器
旨在与业界标准微处理器的应用
处理机。该CAT93C76可以组织成任
的16位或8位寄存器。当组织为X16 ，
7 13位指令控制的读，写和
擦除装置的操作。当组织成
X8 ， 7 14 - bit指令控制读，写
和擦除设备的操作。该CAT93C76
工作在单电源供电，并会产生
在芯片上，在任何写操作所需的高电压
操作。
指令，地址和写入数据的时钟
插入时钟（SK）的上升沿DI引脚。
DO引脚通常处于高阻抗状态
从设备中读取数据时，或当除
检查后，写操作就绪/忙状态。
就绪/忙碌状态可后确定
通过选择设备启动的写操作（CS
高点）和查询DO管脚; DO低指示
写操作未完成，而做高
表明该设备已准备好为下
指令。如果有必要， DO引脚可以被放置
返回到高阻抗状态的芯片通过选择期间
转移一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚。 DO引脚会
输入上的下降沿为高阻抗状态
时钟（SK） 。把DO引脚进入高
阻抗状态，建议在应用程序中
其中DI引脚和DO引脚都被捆绑
在一起，形成一个共同的DI / O引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑"1"起始位，2-位（或4位）操作码， 10位
地址（一个额外的位，当组织X8 ）和
写操作的一个16位的数据字段（8位为X8
机构） 。地址的最显著位
是“不关心”，但它必须存在。
读
一旦接收到一个READ命令和地址
（移入DI引脚） ，该CAT93C76的DO引脚
将出来的高阻抗状态，并且，后
发送一个初始虚拟零位，将开始转变
从数据处理（ MSB在前） 。该输出数据
位将触发对SK时钟的上升沿和
是特定网络版的延迟时间后稳定（T
PD0
或T
PD1
).
为CAT93C76 ，在初始数据字具有
移出和CS保持有效的SK
时钟不断切换，器件将
自动递增到下一地址和偏移
在一种连续读模式下的下一个数据字。
只要CS持续有效和SK
不断切换，设备将保持递增
到下一个地址，自动，直到它到达
该地址空间的端部，然后循环返回地址
0在连续读模式下，只有最初的数据
字是由一个虚拟的零位preceeded 。所有
随后的数据字将遵循无虚设
零位。
写
后接收到写命令，地址和
数据显示， CS （片选）引脚必须被取消了
最小的t
CSMIN
。 CS下降沿将启动
的自我时钟清晰，数据存储周期
在指令中指定的内存位置。该
后SK管脚的时钟是没有必要的
器件进入自动时钟模式。该
该CAT93C76的准备/繁忙状态可
通过选择器件和查询DO确定
引脚。由于该器件具有自动清除之前
写的，它不是必要擦除的存储器位置
之前被写入。
文档。编号MD -1090版本B
4
Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT93C76
8 KB Microwire串行
EEPROM
描述
该CAT93C76是8 KB串行EEPROM存储器装置，其
被配置为16位的任一寄存器（ ORG引脚在V
CC
或不
连接）或8位（ ORG引脚为GND） 。每个寄存器可以写成
（或读取）连续使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C76是
采用安森美半导体先进的CMOS EEPROM制造
浮动门技术。该设备被设计为承受百万
编程/擦除周期，具有100年的数据保持能力。该装置
是采用8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP和8焊盘TDFN封装。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V后缀
CASE 751BD
TDFN8
ZD4后缀
CASE 511AL
高速运行： 3兆赫@ V
CC
≥
2.5 V
低功耗CMOS技术
1.8至5.5伏特操作
可选x8或x16内存组织
自定时写周期，自动清除
软件写保护
上电时不会放电写保护
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
顺序读取
提供“绿色”封装选项
该器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和RoHS
柔顺
V
CC
ORG
CS
SK
GND
DI
DO
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
TSSOP8
后缀
CASE 948AL
引脚配置
CS
SK
DI
DO
1
V
CC
NC
ORG
GND
PDIP （L ） ， SOIC （V ） ，
TSSOP （ Y） ， TDFN （ ZD4 ）
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
功能
芯片选择
串行时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
无连接
图1.功能符号
注： ORG引脚连接到V
CC
，在x16组织的选择。
当它被连接到地，所述x8组织的选择。如果ORG引脚
悬空，则内部上拉器件将选择x16组织。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第3版
1
出版订单号：
CAT93C76/D
CAT93C76
表1.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注1 ）
V
CC
相对于地面
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注2 ）
评级
55
+125
65
+150
2.0
到+ V
CC
+2.0
2.0
到+7.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最低直流输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
2.输出短路不超过一秒。
表2.可靠性的特点
（注2 ）
符号
N
结束
（注3）
T
DR
（注3）
V
ZAP
（注3）
I
LTH
（注3,4）
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
基准测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
1,000,000
100
2,000
100
单位
周期/字节
岁月
V
mA
3.这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的I / O引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表3.直流工作特性
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
I
LORG
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
ORG引脚漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
CS = 0 V ， ORG = GND
CS = 0 V ， ORG =浮动或V
CC
V
IN
= 0 V到V
CC
V
OUT
= 0 V到V
CC
， CS = 0 V
ORG = GND或ORG = V
CC
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
1.8 V
v
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
v
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V，I
OL
= 2.1毫安
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V，I
OH
=
400
mA
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V，I
OL
= 100
mA
1.8 V
v
V
CC
< 4.5 V，I
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.1
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
民
典型值
1
300
2
0 （注5 ）
0 （注5 ）
0 （注5 ）
1
最大
3
500
10
10
10
10
10
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
5. 0
mA
被定义为小于900 nA的。
表4.引脚电容
（注3）
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
http://onsemi.com
2
CAT93C76
表5.指令集
（注6 ）
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A10A0
A10A0
A10A0
11XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
10XXXXXXXXX
01XXXXXXXXX
x16
A9A0
A9A0
A9A0
11XXXXXXXX
00XXXXXXXX
10XXXXXXXX
01XXXXXXXX
D7D0
D15D0
D7D0
D15D0
x8
数据
x16
评论
读地址AN- A0
清除地址AN- A0
写地址AN- A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
6.地址位A10为1,024x8组织。和A9为512x16组织。是“不关心”位，但必须保持在任一个为“1”或“0” READ，WRITE
和擦除命令。
表6.交流特征
范围
V
CC
= 1.8 V
2.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
（注8）
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
200
250
250
250
1000
DC
C
L
= 100 pF的（注7 ）
测试条件
民
100
0
100
100
250
250
150
5
150
150
150
100
3000
最大
V
CC
= 2.5 V
5.5 V
民
50
0
50
50
150
150
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
千赫
7.输入电平与定时基准点显示在“交流测试条件”表。
8.这些参数，并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
表7.电时序
（注8,9）
符号
t
PUR
t
PUW
上电到读操作
上电到写操作
参数
最大
1
1
单位
ms
ms
9. t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
表8.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
≤
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2 V
CC
0.7 V
CC
0.5 V
CC
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
4.5 V
v
V
CC
v
5.5 V
1.8 V
v
V
CC
v
4.5 V
1.8 V
v
V
CC
v
4.5 V
http://onsemi.com
3
CAT93C76
设备操作
该CAT93C76是一个8192位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C76可以组织16任寄存器
位或8位。当组织为X16 ， 7 13位
指令控制的读，写和擦除操作
该设备。当组织为X8 ， 7 14 - bit指令
控制读，写和擦除设备的操作。
该CAT93C76工作在单电源供电和意志
在芯片上产生，在任何写操作所需的高电压
操作。
指令，地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态，在读取数据时，除了
从设备上，或检查时，就绪/忙状态
在写操作后。
就绪/忙碌状态可开始后确定
通过选择设备的写操作（ CS高点）和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要，在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的下降沿为高阻抗状态
时钟（SK） 。把DO引脚进入高阻
状态，建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起，形成一个共同的DI / O
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 10位地址
（当组织X8的一个附加位）和用于写入
操作的16位数据字段（8位为X8的组织）。
地址的最显著位是“不关心”，但它
必须存在。
t
SKHI
SK
t
DIS
DI
t
CSS
CS
t
DIS
DO
t
PD0
, t
PD1
数据有效
t
CSMN
有效
有效
t
DIH
读
一旦接收到一个READ命令和地址
（移入DI引脚） ，该CAT93C76的DO引脚会
走出来的高阻抗状态，发送后
最初的虚拟零位，将开始移出数据
解决（ MSB在前） 。输出的数据位将切换上
后的SK时钟的上升沿和稳定
特定网络版时间延迟（T
PD0
或T
PD1
).
对于CAT93C76 ，在最初的数据字
移出和CS保持有效的SK时钟
不断切换，设备会自动
递增到下一个地址和移出的下一个数据字
在顺序读模式。只要CS连续是
断言和SK的不断切换，器件将保持
自动递增到下一个地址，直到它
到达地址空间的末端，然后循环回到
地址0。在连续读模式下，只有最初的数据
字是由一个虚拟的零位preceeded 。所有后续数据
也就是说将按照无虚设零位。
写
接收到写命令，地址和数据之后，
在CS （片选）引脚必须取消最少
的t
CSMIN
。 CS的下降沿将启动自同步
内存位置的指定明确的数据存储周期
在指令。在SK管脚的时钟不
该设备后，需要进入自动计时
模式。该CAT93C76的准备/繁忙状态可
通过选择器件和查询DO管脚来确定。
由于该器件具有自动清除写入前，它是
删除一个内存位置是之前没有必要
写入。
t
SKLOW
t
CSH
图2.同步数据时序
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