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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
P沟道增强型场效应晶体管
电压30伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHT2303PT
当前1.9安培
特征
*小型扁平封装。 （ SC - 59 ）
*高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
1.7~2.1
(2)
(3)
SC-59/SOT-346
0.95
2.7~3.1
0.95
(1)
施工
* P沟道增强
0.3~0.51
1.2~1.9
0.89~1.3
0.085~0.2
0.3~0.6
2.1~2.95
1
G
2
S
电路
3
D
0~0.1
单位：毫米
SC-59/SOT-346
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHT2303PT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
-30
V
V
±
20
-1.9
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
最大功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
（注3）
A
10
1250
-55到150
-55到150
mW
°C
°C
注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒
2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证，不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
（注1 ）
100
° C / W
2005-02
额定值特性曲线（ CHT2303PT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V,V
DS
= 0 V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
-30
-1
+100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.3A
-1
150
230
2.4
-3
200
320
V
m
S
正向跨导
V
DS
= -10V ，我
D
= -1.7A
开关特性
（注4 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
V
DS
= -15V ，我
D
=-1.7A
V
GS
=-10V
V
DD
= -15V
I
D
= -1.0A ，V
GS
= -10 V
R
根
= 6
6.0
0.8
1.5
10
10
20
6
10
nC
20
20
35
20
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
漏源二极管的正向电流
（注1 ）
-1.25
-1.2
A
V
漏源二极管正向电压I
S
= -1.25A ，V
GS
= 0 V
（注2 ）
额定值特性曲线（ CHT2303PT ）
典型电气特性
图1.输出特性
10
-V
GS
=10,8,6V
10
25 C
图2.传输特性
-I
D
，漏电流（ A）
8
-V
GS
=5V
6
-I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
-V
GS
=4V
4
2
0
0
2
4
6
-V
GS
=3V
2
T
J
=125 C
0
-55 C
3
4
5
6
8
10
0
1
2
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4.导通电阻变化
随温度
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
I
D
=-1.7A
V
GS
=-10V
图3.电容
600
500
400
300
西塞
200
100
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5中。
栅极阈值变化
随温度
V
TH
归一化
门源阈值电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
I
D
=250A
T
J
，结温（ C）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
-I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
1
V
DS
=V
GS
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
，结温（ C）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
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