CHA2095a
36-40GHz低噪声非常高的增益放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2095a是四阶段的单片低
噪声放大器。它被设计为广泛
的应用，从军事到商业
通信系统。
该电路具有的HEMT制造
过程： 0.25μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
In
Vd
Vd
OUT
VG 1,2
VG 3,4
典型的晶圆上测量：
宽带演出
3.5分贝噪声系数
26分贝GAIN
±1.0dB
增益平坦度
低DC功耗， 90毫安@ 3.5V
芯片尺寸： 2.07 X 1.11 X 0.10毫米
增益& NF（ dB）的
主要特点
30
25
20
15
10
5
0
30
35
40
频率（GHz ）
45
50
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
P1dB
NF
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
噪声系数
民
36
22
8
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
26
10
3.5
4.0
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20958147
1/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2095a
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.5V
符号
FOP
G
G
ΔGsb
Is
P1dB
VSWRin
36-40GHz低噪声放大器
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
增益波动超过40MHz的（在-30 + 75 ° C）
反向隔离（ 1 ）
在1分贝增益压缩输出功率
输入电压驻波比（1）
民
36
22
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
dB
26
±1.0
0.5
dBpp的
dB
DBM
35
8
40
10
2.5:1
2.5:1
3.5
3.0:1
3.0:1
4.0
4
+0.4
140
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
NF
VDC
噪声图（2）
直流电压
Vd
Vg
dB
V
V
mA
3.5
-2
90
Id
偏置电流（ 2）
（1）这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。
（2） 90毫安是用于在晶片测量的典型的偏置电流，以调节Vg1,2
电压，以获得最佳的噪声系数和Vg3,4调整的最大增益。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
Vd
Vg
Id
针
Ta
TSTG
(1)
(2)
参数
漏偏置电压
栅极偏置电压
漏极偏置电流
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
-2.0到+0.4
200
+15
-40至+85
-55 155
单位
V
V
mA
DBM
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA20958147
2/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
36-40GHz低噪声放大器
偏置条件：
频率。
GHz的
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
S11
dB
-4.08
-5.88
-5.85
-5.39
-4.86
-4.42
-4.08
-3.86
-3.75
-3.74
-3.79
-3.86
-4.07
-4.25
-4.62
-5.10
-5.86
-6.96
-8.56
-10.85
-13.21
-12.39
-11.54
-17.21
-20.36
-13.92
-10.14
-8.35
-8.59
-10.56
-16.13
-22.46
-15.92
-12.13
-9.91
-8.25
-6.10
-3.79
-1.93
-1.26
-0.92
-0.73
-0.64
-0.66
-0.63
CHA2095a
典型的散射参数
（晶圆骶髂关节测量）
VD = 3.5伏， Vg1,2 = -0.5V ， Vg3,4 = -0.3V ，ID = 90毫安。
S11
/
°
-69.3
-96.9
-115.9
-131.8
-145.7
-158.3
-170.2
177.7
165.3
152.0
145.3
137.4
129.4
120.4
110.0
98.1
83.9
66.3
43.0
9.2
-44.9
-121.0
161.0
82.0
-35.5
-105.9
-139.8
-170.4
157.4
122.6
80.3
-18.9
-81.9
-107.0
-119.3
-123.9
-125.8
-139.9
-154.8
-167.8
179.8
170.5
162.0
154.0
147.5
S12
dB
-72.96
-66.24
-64.15
-60.47
-58.55
-56.57
-54.57
-51.14
-50.79
-50.87
-50.09
-51.20
-50.03
-48.55
-48.26
-49.21
-51.02
-53.65
-55.77
-57.30
-56.20
-49.77
-49.70
-51.44
-47.38
-46.89
-47.95
-46.59
-45.05
-44.36
-42.19
-41.27
-40.37
-39.92
-40.59
-37.38
-37.23
-34.59
-44.23
-44.58
-41.46
-44.38
-65.24
-51.59
-52.88
S12
/
°
56.9
-10.3
-39.7
-85.0
-120.4
-140.8
-164.6
165.0
138.4
107.8
105.4
85.4
84.9
76.9
52.0
33.2
11.8
3.4
2.9
-12.5
32.7
-1.8
-31.8
-35.1
-81.5
-126.8
-139.2
164.0
177.2
142.8
111.1
88.1
70.8
43.0
19.9
-1.2
-30.8
-85.7
-109.4
-75.7
-68.6
-120.1
64.9
-46.4
-54.0
S21
dB
-33.56
-27.97
-25.45
-25.28
-26.33
-28.30
-30.70
-32.77
-33.89
-36.01
-36.43
-38.94
-46.43
-51.42
-33.66
-25.59
-19.53
-13.18
-6.22
1.29
9.14
17.49
24.39
26.82
27.07
26.81
26.72
27.05
27.29
27.30
25.35
25.09
24.61
23.99
23.49
22.86
21.97
19.73
16.66
13.11
9.27
5.69
2.23
-1.42
-4.88
S21
/
°
147.7
81.3
18.8
-35.2
-78.4
-111.9
-135.8
-149.9
-156.4
-165.6
-171.9
-167.0
-171.8
-4.6
-13.4
-17.0
-20.6
-27.7
-37.3
-52.8
-76.6
-114.9
-175.8
115.0
61.7
17.6
-19.2
-55.3
-91.5
-129.0
-164.2
157.8
128.8
98.5
68.1
34.0
-3.5
-41.4
-76.2
-105.0
-129.2
-148.8
-166.3
176.6
162.4
S22
dB
-1.13
-2.97
-4.33
-5.19
-5.62
-5.76
-5.71
-5.49
-5.28
-4.99
-4.92
-4.85
-4.85
-4.76
-4.84
-4.99
-5.14
-5.49
-5.97
-6.73
-7.93
-9.65
-11.68
-10.76
-8.74
-7.39
-7.28
-7.82
-9.01
-10.33
-11.12
-10.65
-10.47
-11.70
-13.82
-16.93
-15.21
-10.25
-7.41
-6.75
-6.70
-6.99
-7.31
-7.72
-8.06
S22
/
°
-47.0
-80.6
-103.3
-119.2
-131.5
-141.3
-150.4
-158.9
-167.9
-177.6
177.3
171.4
166.3
159.4
152.4
144.9
136.4
126.2
114.7
99.1
78.0
41.0
-29.6
-104.3
-142.6
-171.4
167.6
151.2
141.8
136.3
138.9
139.4
130.8
122.6
118.6
129.0
174.9
172.2
152.0
136.3
123.0
112.4
103.1
95.1
87.4
参考文献。 ： DSCHA20958147
3/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2095a
典型的晶圆上测量
TAMB = + 25°C
36-40GHz低噪声放大器
噪声系数与漏极电流60 ， 85 ， 100毫安：
增益（dB ）
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
34
35
36
37
频率（GHz ）
38
39
40
Gain_60mA
NF_60mA
Gain_85mA
NF_85mA
Gain_100mA
NF_100mA
CHA2095 Vd的= 3,5v标识= 60和85和百毫安
NF（ dB）的
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
晶圆骶髂关节参数测量宽带：
CHA2095 VD = 3,5v n = 90毫安
30
25
20
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
30
35
40
45
频率（ GHz）的
50
55
RLoss_IN
RLoss_OUT
参考文献。 ： DSCHA20958147
4/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
36-40GHz低噪声放大器
芯片组装和机械数据
到VDD DC漏极供电饲料
100pF
CHA2095a
IN
OUT
要VGS1 DC门供应饲料
100pF
100pF
要VGS2 DC门供应饲料
注：供应饲料应电容旁路。
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
参考文献。 ： DSCHA20958147
5/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2095a
36-40GHz低噪声非常高的增益放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2095a是四阶段的单片低
噪声放大器。它被设计为广泛
的应用，从军事到商业
通信系统。
该电路具有的HEMT制造
过程： 0.25μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
In
Vd
Vd
OUT
VG 1,2
VG 3,4
典型的晶圆上测量：
宽带演出
3.5分贝噪声系数
26分贝GAIN
±1.0dB
增益平坦度
低DC功耗， 90毫安@ 3.5V
芯片尺寸： 2.07 X 1.11 X 0.10毫米
增益& NF（ dB）的
主要特点
30
25
20
15
10
5
0
30
35
40
频率（GHz ）
45
50
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
P1dB
NF
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
噪声系数
民
36
22
8
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
26
10
3.5
4.0
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20958147
1/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2095a
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.5V
符号
FOP
G
G
ΔGsb
Is
P1dB
VSWRin
36-40GHz低噪声放大器
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
增益波动超过40MHz的（在-30 + 75 ° C）
反向隔离（ 1 ）
在1分贝增益压缩输出功率
输入电压驻波比（1）
民
36
22
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
dB
26
±1.0
0.5
dBpp的
dB
DBM
35
8
40
10
2.5:1
2.5:1
3.5
3.0:1
3.0:1
4.0
4
+0.4
140
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
NF
VDC
噪声图（2）
直流电压
Vd
Vg
dB
V
V
mA
3.5
-2
90
Id
偏置电流（ 2）
（1）这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。
（2） 90毫安是用于在晶片测量的典型的偏置电流，以调节Vg1,2
电压，以获得最佳的噪声系数和Vg3,4调整的最大增益。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
Vd
Vg
Id
针
Ta
TSTG
(1)
(2)
参数
漏偏置电压
栅极偏置电压
漏极偏置电流
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
-2.0到+0.4
200
+15
-40至+85
-55 155
单位
V
V
mA
DBM
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA20958147
2/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
36-40GHz低噪声放大器
偏置条件：
频率。
GHz的
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
S11
dB
-4.08
-5.88
-5.85
-5.39
-4.86
-4.42
-4.08
-3.86
-3.75
-3.74
-3.79
-3.86
-4.07
-4.25
-4.62
-5.10
-5.86
-6.96
-8.56
-10.85
-13.21
-12.39
-11.54
-17.21
-20.36
-13.92
-10.14
-8.35
-8.59
-10.56
-16.13
-22.46
-15.92
-12.13
-9.91
-8.25
-6.10
-3.79
-1.93
-1.26
-0.92
-0.73
-0.64
-0.66
-0.63
CHA2095a
典型的散射参数
（晶圆骶髂关节测量）
VD = 3.5伏， Vg1,2 = -0.5V ， Vg3,4 = -0.3V ，ID = 90毫安。
S11
/
°
-69.3
-96.9
-115.9
-131.8
-145.7
-158.3
-170.2
177.7
165.3
152.0
145.3
137.4
129.4
120.4
110.0
98.1
83.9
66.3
43.0
9.2
-44.9
-121.0
161.0
82.0
-35.5
-105.9
-139.8
-170.4
157.4
122.6
80.3
-18.9
-81.9
-107.0
-119.3
-123.9
-125.8
-139.9
-154.8
-167.8
179.8
170.5
162.0
154.0
147.5
S12
dB
-72.96
-66.24
-64.15
-60.47
-58.55
-56.57
-54.57
-51.14
-50.79
-50.87
-50.09
-51.20
-50.03
-48.55
-48.26
-49.21
-51.02
-53.65
-55.77
-57.30
-56.20
-49.77
-49.70
-51.44
-47.38
-46.89
-47.95
-46.59
-45.05
-44.36
-42.19
-41.27
-40.37
-39.92
-40.59
-37.38
-37.23
-34.59
-44.23
-44.58
-41.46
-44.38
-65.24
-51.59
-52.88
S12
/
°
56.9
-10.3
-39.7
-85.0
-120.4
-140.8
-164.6
165.0
138.4
107.8
105.4
85.4
84.9
76.9
52.0
33.2
11.8
3.4
2.9
-12.5
32.7
-1.8
-31.8
-35.1
-81.5
-126.8
-139.2
164.0
177.2
142.8
111.1
88.1
70.8
43.0
19.9
-1.2
-30.8
-85.7
-109.4
-75.7
-68.6
-120.1
64.9
-46.4
-54.0
S21
dB
-33.56
-27.97
-25.45
-25.28
-26.33
-28.30
-30.70
-32.77
-33.89
-36.01
-36.43
-38.94
-46.43
-51.42
-33.66
-25.59
-19.53
-13.18
-6.22
1.29
9.14
17.49
24.39
26.82
27.07
26.81
26.72
27.05
27.29
27.30
25.35
25.09
24.61
23.99
23.49
22.86
21.97
19.73
16.66
13.11
9.27
5.69
2.23
-1.42
-4.88
S21
/
°
147.7
81.3
18.8
-35.2
-78.4
-111.9
-135.8
-149.9
-156.4
-165.6
-171.9
-167.0
-171.8
-4.6
-13.4
-17.0
-20.6
-27.7
-37.3
-52.8
-76.6
-114.9
-175.8
115.0
61.7
17.6
-19.2
-55.3
-91.5
-129.0
-164.2
157.8
128.8
98.5
68.1
34.0
-3.5
-41.4
-76.2
-105.0
-129.2
-148.8
-166.3
176.6
162.4
S22
dB
-1.13
-2.97
-4.33
-5.19
-5.62
-5.76
-5.71
-5.49
-5.28
-4.99
-4.92
-4.85
-4.85
-4.76
-4.84
-4.99
-5.14
-5.49
-5.97
-6.73
-7.93
-9.65
-11.68
-10.76
-8.74
-7.39
-7.28
-7.82
-9.01
-10.33
-11.12
-10.65
-10.47
-11.70
-13.82
-16.93
-15.21
-10.25
-7.41
-6.75
-6.70
-6.99
-7.31
-7.72
-8.06
S22
/
°
-47.0
-80.6
-103.3
-119.2
-131.5
-141.3
-150.4
-158.9
-167.9
-177.6
177.3
171.4
166.3
159.4
152.4
144.9
136.4
126.2
114.7
99.1
78.0
41.0
-29.6
-104.3
-142.6
-171.4
167.6
151.2
141.8
136.3
138.9
139.4
130.8
122.6
118.6
129.0
174.9
172.2
152.0
136.3
123.0
112.4
103.1
95.1
87.4
参考文献。 ： DSCHA20958147
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2095a
典型的晶圆上测量
TAMB = + 25°C
36-40GHz低噪声放大器
噪声系数与漏极电流60 ， 85 ， 100毫安：
增益（dB ）
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
34
35
36
37
频率（GHz ）
38
39
40
Gain_60mA
NF_60mA
Gain_85mA
NF_85mA
Gain_100mA
NF_100mA
CHA2095 Vd的= 3,5v标识= 60和85和百毫安
NF（ dB）的
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
晶圆骶髂关节参数测量宽带：
CHA2095 VD = 3,5v n = 90毫安
30
25
20
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
30
35
40
45
频率（ GHz）的
50
55
RLoss_IN
RLoss_OUT
参考文献。 ： DSCHA20958147
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36-40GHz低噪声放大器
芯片组装和机械数据
到VDD DC漏极供电饲料
100pF
CHA2095a
IN
OUT
要VGS1 DC门供应饲料
100pF
100pF
要VGS2 DC门供应饲料
注：供应饲料应电容旁路。
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
参考文献。 ： DSCHA20958147
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