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高效率的可变栅MOSFET驱动器

CHL8550

特点是什么？

IdealforServerMemoryapplicationsusing+5V

独立HVCC和LVCC能够驱动电压

from4.0to13.2Vforoptimalsystemefficiency

可调式热警告标志相逐

相热保护

Largedriversdesignedtodrive3nFin<10nswith

anyvoltagefrom5Vto12V(typ)suppliedtothe

HVCC和LVCC销

Low‐sidedriver–2Asource/4Asink

High‐sidedriver–2Asource/2Asink

Transitionstimes&Propagationdelays<10ns

集成自举二极管

Capableofhighswitchingfrequenciesfrom200kHz

uptogreaterthan1MHz

兼容IR的专利活性三等级

（ ATL ） PWM的最快响应瞬态

冲

非重叠和欠电压保护

Thermallyenhanced10‐pinDFNpackage

无铅符合RoHS的封装

低静态功耗，以优化效率

说明

TheCHL8550MOSFETdriverisahigh‐efficiencygatedriver

这可以切换两个高侧和低侧N-沟道

外部MOSFET的同步降压转换器。这是

旨在用于IR数字PWM控制器提供

对于当今先进的总电压调节器（ VR ）解决方案

计算应用。

TheCHL8550driveriscapableofrapidlyswitchinglarge

的MOSFET与低R

DSON

并用较大的输入电容

在高效率的设计。它独特的设计，

operatefroma5Vsource,minimizingloadcurrent.

它还具有独立的HVCC和LVCC变频器的输入，能够

of4.0Vto13.2Voperation.UsedinconjunctionwithIR’s

VariableGateDrivecontrollerfeature,ora5Vstandby

源在睡眠模式下，最大功率级效率

可以实现。

TheCHL8550hasauniquecircuitwhichmaintainsdrive

实力外部MOSFET不管驱动器

voltage,insuringfastswitchingevenat5Vasthedrive

电压。集成的自举二极管可减少外部

componentcount.TheCHL8550alsofeaturesanadaptive

非重叠控制贯通保护。

TheCHL8550isconfiguredtodriveboththehigh‐and

从专利的IR快速激活三电平低边开关

（ ATL）的PWM信号，其将优化的关断时间

各个阶段，优化瞬态性能。

应用程序“

多相同步降压转换器的服务器

CPU和DDR内存VR解决方案

高效率和紧凑的VRM

OptimizedforSleepstateS3systemsusing+5VSB

笔记本电脑和图形VR解决方案

基本应用

引脚图

图1 ： CHL8550基本应用电路

图2 ： CHL8550包顶视图

December6,2011|FINAL|V1.05

高效率的可变栅MOSFET驱动器

CHL8550

订购信息

CHL8550

包装

DFN

牛逼 - 磁带和卷轴

的R - 封装类型（ DFN ）

- 工作温度

（商业标准）

磁带&卷轴数量

3000

部件编号

CHL8550CRT

图3 ： CHL8550引脚图放大

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高效率的可变栅MOSFET驱动器

CHL8550

功能框图

图4 ： CHL8550简化功能框图。

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高效率的可变栅MOSFET驱动器

CHL8550

典型应用图

图5 ：采用CHL8550 MOSFET驱动器& CHL8112A控制器和驱动器CHL8510为VGD 4 + 1 CPU VR解决方案

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高效率的可变栅MOSFET驱动器

CHL8550

引脚说明

针＃

引脚名称

PWM

VCC-

LVCC

引脚说明

ThePWMsignalisthecontrolinputforthedriverfroma1.8VIRATL‐basedPWMsignal.Connectthispin

到控制器的PWM输出。

Connectthispintoa+5Vbiassupply.PlaceahighqualitylowESRceramiccapacitorfromthispintoGND.

Connectthispintoaseparatesupplyvoltagebetween4.0Vand13.2Vtovarythedrivevoltageonthe

低侧MOSFET 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。

Connectthispintoaseparatesupplybetween4.0Vand13.2Vtoprovidealowergatedrivevoltageonthe

高边MOSFET 。这是在内部自举二极管的阳极。将高品质的低ESR陶瓷

电容此引脚与GND 。

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚之间的自举电容

开关引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部

在选择电容值下的说明引导设备部分进行指导。

上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。

该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。

该引脚为上层栅极驱动器的返回路径

更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

将该引脚悬空。

偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回

的驱动程序。

HVCC

PAD(11)

自举

HI_GATE

开关“

LO_GATE

GND¤

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