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CD54HC4316 , CD74HC4316 ,
CD74HCT4316
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS212D
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四路模拟开关与电平转换
此外,这些器件包含逻辑电平转换
电路提供的电压的模拟信号转换
±5V
通过5V逻辑。每个开关由接通
它的选择输入端( S) - 高电平电压时的共同
启用( E)为低。一个高鹗禁止所有的开关。数码
输入可以V之间摆动
CC
和GND ;模拟
输入/输出可V之间摆动
CC
作为一个积极的极限
和V
EE
作为负限。电压范围示于
图2和图3 。
特点
[ /标题
(CD74
HC431
6,
CD74
HCT43
16)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
宽模拟输入电压范围
V
CC
- V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至10V
·低“的”性
- 45Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CC
= 4.5V
- 35Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
= 6V
- 30Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
- V
EE
= 9V
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
内置的“先开后把”转换
逻辑电平转换,以使5V逻辑来
容纳
±5V
模拟信号
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4316F3A
CD74HC4316E
CD74HC4316M
CD74HC4316MT
CD74HC4316M96
CD74HC4316NSR
CD74HC4316PW
CD74HC4316PWR
CD74HC4316PWT
CD74HCT4316E
CD74HCT4316M
CD74HCT4316MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4316和CD74HCT4316包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
CD74HCT4316M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4316 ( CERDIP )
CD74HC4316 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4316 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Z 1
1Y 2
2Y 3
2Z 4
2S 5
3S 6
E 7
GND 8
16 V
CC
15 1S
14 4S
13 4Z
12 4Y
11 3Y
10 3Z
9 V
EE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
工作原理图
V
CC
16
15
1S
1
5
2S
6
3S
逻辑
水平
CONV 。
控制
3
1Z
2Y
2
1Y
4
2Z
11
3Y
14
4S
10
12
E
7
13
8
GND
9
V
EE
4Z
3Z
4Y
真值表
输入
E
L
L
H
H =高电平电压
L =低电平电压
X =无关
S
L
H
X
开关
关闭
ON
关闭
逻辑图
nY
其他3
开关
V
CC
V
CC
nZ
V
EE
E
逻辑
水平
CONV 。
nS
V
EE
图1.一个开关
2
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
直流电源电压,V
CC -
V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
直流电源电压,V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5V至-7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关二极管电流,I
OK
对于V
I
& LT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流开关二极管电流
对于V
I
& GT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
电源电压范围,V
CC -
V
EE
的HC, HCT类型(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
电源电压范围,V
EE
的HC, HCT类型(图3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至-6V
DC输入或输出电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
CC
模拟开关I / O电压,V
IS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
EE
(分钟)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
(最大)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作区作为电源电压的函数
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
2
6
8
10 12
V
CC
- V
EE
(V)
4
HCT
HC
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
-2
-4 -6 -8
V
EE
- GND ( V)
HCT
HC
图2中。
网络连接gure 3 。
3
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
测试条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
-
2
4.5
6
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
R
ON
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
V
EE
0
0
-4.5
V
CC
to
V
EE
0
0
-4.5
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
R
ON
-
-
0
0
-4.5
关机泄漏
当前
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
CC
-
V
EE
-
0
-5
0
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
6
5
6
6
5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
30
85
55
35
10
8.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
180
160
135
320
240
170
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
8
16
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
225
200
170
400
300
215
-
-
-
±1
±1
±1
80
160
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
270
240
205
480
360
255
-
-
-
±1
±1
±1
160
320
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
EE
(V) V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
I
IL
I
CC
V
CC
or
0
GND V
IS
= V
EE
,
V
OS
=V
CC
-5
V
IS
= V
CC
,
V
OS
=V
EE
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
V
IH
V
IL
R
ON
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
V
CC
or
V
EE
V
CC
to
V
EE
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
关机泄漏
当前
R
ON
-
-
-
-
0
-4.5
0
-4.5
0
-4.5
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
-
V
EE
0
-5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
6
5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
30
85
35
10
5
-
-
-
0.8
180
135
320
170
-
-
±0.1
±0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
225
170
400
215
-
-
±1
±1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
270
205
480
255
-
-
±1
±1
V
V
A
A
4
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
(续)
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
16
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
最大
±1
80
160
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
最大
±1
160
320
单位
A
A
A
测试条件
参数
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IS
(V)
-
V
EE
(V) V
CC
(V)
0
0
-4.5
5.5
5.5
5.5
任何
电压V
IS
= V
EE
,
BE-
V
OS
=
吐温
V
CC
,
V
CC
GND V
IS
= V
CC
,
V
OS
= V
EE
V
CC
-2.1
-
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
EE
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
在切换到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
2
4.5
6
4.5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
-
-
-
-
14
-
-
-
-
17
60
12
10
8
205
41
35
37
-
175
35
30
34
-
205
41
35
37
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
10
255
51
43
47
-
220
44
37
43
-
255
51
43
47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
12
310
62
53
56
-
265
53
45
51
-
310
62
53
56
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
打开“ON”时间E到Out
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“ON ”时间nS至出
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“OFF”时间E到Out
t
PLZ ,
t
PHZ
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
-
5
CD54HC4316 , CD74HC4316 ,
CD74HCT4316
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS212D
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四路模拟开关与电平转换
此外,这些器件包含逻辑电平转换
电路提供的电压的模拟信号转换
±5V
通过5V逻辑。每个开关由接通
它的选择输入端( S) - 高电平电压时的共同
启用( E)为低。一个高鹗禁止所有的开关。数码
输入可以V之间摆动
CC
和GND ;模拟
输入/输出可V之间摆动
CC
作为一个积极的极限
和V
EE
作为负限。电压范围示于
图2和图3 。
特点
[ /标题
(CD74
HC431
6,
CD74
HCT43
16)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
宽模拟输入电压范围
V
CC
- V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至10V
·低“的”性
- 45Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CC
= 4.5V
- 35Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
= 6V
- 30Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
- V
EE
= 9V
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
内置的“先开后把”转换
逻辑电平转换,以使5V逻辑来
容纳
±5V
模拟信号
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4316F3A
CD74HC4316E
CD74HC4316M
CD74HC4316MT
CD74HC4316M96
CD74HC4316NSR
CD74HC4316PW
CD74HC4316PWR
CD74HC4316PWT
CD74HCT4316E
CD74HCT4316M
CD74HCT4316MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4316和CD74HCT4316包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
CD74HCT4316M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4316 ( CERDIP )
CD74HC4316 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4316 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Z 1
1Y 2
2Y 3
2Z 4
2S 5
3S 6
E 7
GND 8
16 V
CC
15 1S
14 4S
13 4Z
12 4Y
11 3Y
10 3Z
9 V
EE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
工作原理图
V
CC
16
15
1S
1
5
2S
6
3S
逻辑
水平
CONV 。
控制
3
1Z
2Y
2
1Y
4
2Z
11
3Y
14
4S
10
12
E
7
13
8
GND
9
V
EE
4Z
3Z
4Y
真值表
输入
E
L
L
H
H =高电平电压
L =低电平电压
X =无关
S
L
H
X
开关
关闭
ON
关闭
逻辑图
nY
其他3
开关
V
CC
V
CC
nZ
V
EE
E
逻辑
水平
CONV 。
nS
V
EE
图1.一个开关
2
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
直流电源电压,V
CC -
V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
直流电源电压,V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5V至-7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关二极管电流,I
OK
对于V
I
& LT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流开关二极管电流
对于V
I
& GT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
电源电压范围,V
CC -
V
EE
的HC, HCT类型(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
电源电压范围,V
EE
的HC, HCT类型(图3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至-6V
DC输入或输出电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
CC
模拟开关I / O电压,V
IS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
EE
(分钟)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
(最大)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作区作为电源电压的函数
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
2
6
8
10 12
V
CC
- V
EE
(V)
4
HCT
HC
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
-2
-4 -6 -8
V
EE
- GND ( V)
HCT
HC
图2中。
网络连接gure 3 。
3
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
测试条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
-
2
4.5
6
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
R
ON
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
V
EE
0
0
-4.5
V
CC
to
V
EE
0
0
-4.5
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
R
ON
-
-
0
0
-4.5
关机泄漏
当前
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
CC
-
V
EE
-
0
-5
0
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
6
5
6
6
5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
30
85
55
35
10
8.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
180
160
135
320
240
170
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
8
16
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
225
200
170
400
300
215
-
-
-
±1
±1
±1
80
160
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
270
240
205
480
360
255
-
-
-
±1
±1
±1
160
320
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
EE
(V) V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
I
IL
I
CC
V
CC
or
0
GND V
IS
= V
EE
,
V
OS
=V
CC
-5
V
IS
= V
CC
,
V
OS
=V
EE
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
V
IH
V
IL
R
ON
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
V
CC
or
V
EE
V
CC
to
V
EE
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
关机泄漏
当前
R
ON
-
-
-
-
0
-4.5
0
-4.5
0
-4.5
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
-
V
EE
0
-5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
6
5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
30
85
35
10
5
-
-
-
0.8
180
135
320
170
-
-
±0.1
±0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
225
170
400
215
-
-
±1
±1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
270
205
480
255
-
-
±1
±1
V
V
A
A
4
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
(续)
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
16
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
最大
±1
80
160
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
最大
±1
160
320
单位
A
A
A
测试条件
参数
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IS
(V)
-
V
EE
(V) V
CC
(V)
0
0
-4.5
5.5
5.5
5.5
任何
电压V
IS
= V
EE
,
BE-
V
OS
=
吐温
V
CC
,
V
CC
GND V
IS
= V
CC
,
V
OS
= V
EE
V
CC
-2.1
-
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
EE
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
在切换到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
2
4.5
6
4.5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
-
-
-
-
14
-
-
-
-
17
60
12
10
8
205
41
35
37
-
175
35
30
34
-
205
41
35
37
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
10
255
51
43
47
-
220
44
37
43
-
255
51
43
47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
12
310
62
53
56
-
265
53
45
51
-
310
62
53
56
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
打开“ON”时间E到Out
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“ON ”时间nS至出
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“OFF”时间E到Out
t
PLZ ,
t
PHZ
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
-
5
CD54HC4316 , CD74HC4316 ,
CD74HCT4316
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS212D
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四路模拟开关与电平转换
此外,这些器件包含逻辑电平转换
电路提供的电压的模拟信号转换
±5V
通过5V逻辑。每个开关由接通
它的选择输入端( S) - 高电平电压时的共同
启用( E)为低。一个高鹗禁止所有的开关。数码
输入可以V之间摆动
CC
和GND ;模拟
输入/输出可V之间摆动
CC
作为一个积极的极限
和V
EE
作为负限。电压范围示于
图2和图3 。
特点
[ /标题
(CD74
HC431
6,
CD74
HCT43
16)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
宽模拟输入电压范围
V
CC
- V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至10V
·低“的”性
- 45Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CC
= 4.5V
- 35Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
= 6V
- 30Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
- V
EE
= 9V
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
内置的“先开后把”转换
逻辑电平转换,以使5V逻辑来
容纳
±5V
模拟信号
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4316F3A
CD74HC4316E
CD74HC4316M
CD74HC4316MT
CD74HC4316M96
CD74HC4316NSR
CD74HC4316PW
CD74HC4316PWR
CD74HC4316PWT
CD74HCT4316E
CD74HCT4316M
CD74HCT4316MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4316和CD74HCT4316包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
CD74HCT4316M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4316 ( CERDIP )
CD74HC4316 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4316 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Z 1
1Y 2
2Y 3
2Z 4
2S 5
3S 6
E 7
GND 8
16 V
CC
15 1S
14 4S
13 4Z
12 4Y
11 3Y
10 3Z
9 V
EE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
工作原理图
V
CC
16
15
1S
1
5
2S
6
3S
逻辑
水平
CONV 。
控制
3
1Z
2Y
2
1Y
4
2Z
11
3Y
14
4S
10
12
E
7
13
8
GND
9
V
EE
4Z
3Z
4Y
真值表
输入
E
L
L
H
H =高电平电压
L =低电平电压
X =无关
S
L
H
X
开关
关闭
ON
关闭
逻辑图
nY
其他3
开关
V
CC
V
CC
nZ
V
EE
E
逻辑
水平
CONV 。
nS
V
EE
图1.一个开关
2
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
直流电源电压,V
CC -
V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
直流电源电压,V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5V至-7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关二极管电流,I
OK
对于V
I
& LT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流开关二极管电流
对于V
I
& GT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
电源电压范围,V
CC -
V
EE
的HC, HCT类型(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
电源电压范围,V
EE
的HC, HCT类型(图3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至-6V
DC输入或输出电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
CC
模拟开关I / O电压,V
IS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
EE
(分钟)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
(最大)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作区作为电源电压的函数
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
2
6
8
10 12
V
CC
- V
EE
(V)
4
HCT
HC
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
-2
-4 -6 -8
V
EE
- GND ( V)
HCT
HC
图2中。
网络连接gure 3 。
3
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
测试条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
-
2
4.5
6
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
R
ON
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
V
EE
0
0
-4.5
V
CC
to
V
EE
0
0
-4.5
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
R
ON
-
-
0
0
-4.5
关机泄漏
当前
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
CC
-
V
EE
-
0
-5
0
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
6
5
6
6
5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
30
85
55
35
10
8.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
180
160
135
320
240
170
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
8
16
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
225
200
170
400
300
215
-
-
-
±1
±1
±1
80
160
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
270
240
205
480
360
255
-
-
-
±1
±1
±1
160
320
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
EE
(V) V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
I
IL
I
CC
V
CC
or
0
GND V
IS
= V
EE
,
V
OS
=V
CC
-5
V
IS
= V
CC
,
V
OS
=V
EE
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
V
IH
V
IL
R
ON
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
V
CC
or
V
EE
V
CC
to
V
EE
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
关机泄漏
当前
R
ON
-
-
-
-
0
-4.5
0
-4.5
0
-4.5
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
-
V
EE
0
-5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
6
5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
30
85
35
10
5
-
-
-
0.8
180
135
320
170
-
-
±0.1
±0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
225
170
400
215
-
-
±1
±1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
270
205
480
255
-
-
±1
±1
V
V
A
A
4
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
(续)
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
16
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
最大
±1
80
160
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
最大
±1
160
320
单位
A
A
A
测试条件
参数
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IS
(V)
-
V
EE
(V) V
CC
(V)
0
0
-4.5
5.5
5.5
5.5
任何
电压V
IS
= V
EE
,
BE-
V
OS
=
吐温
V
CC
,
V
CC
GND V
IS
= V
CC
,
V
OS
= V
EE
V
CC
-2.1
-
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
EE
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
在切换到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
2
4.5
6
4.5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
-
-
-
-
14
-
-
-
-
17
60
12
10
8
205
41
35
37
-
175
35
30
34
-
205
41
35
37
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
10
255
51
43
47
-
220
44
37
43
-
255
51
43
47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
12
310
62
53
56
-
265
53
45
51
-
310
62
53
56
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
打开“ON”时间E到Out
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“ON ”时间nS至出
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“OFF”时间E到Out
t
PLZ ,
t
PHZ
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
-
5
CD54HC4316 , CD74HC4316 ,
CD74HCT4316
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS212D
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四路模拟开关与电平转换
此外,这些器件包含逻辑电平转换
电路提供的电压的模拟信号转换
±5V
通过5V逻辑。每个开关由接通
它的选择输入端( S) - 高电平电压时的共同
启用( E)为低。一个高鹗禁止所有的开关。数码
输入可以V之间摆动
CC
和GND ;模拟
输入/输出可V之间摆动
CC
作为一个积极的极限
和V
EE
作为负限。电压范围示于
图2和图3 。
特点
[ /标题
(CD74
HC431
6,
CD74
HCT43
16)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
宽模拟输入电压范围
V
CC
- V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至10V
·低“的”性
- 45Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CC
= 4.5V
- 35Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
= 6V
- 30Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
- V
EE
= 9V
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
内置的“先开后把”转换
逻辑电平转换,以使5V逻辑来
容纳
±5V
模拟信号
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4316F3A
CD74HC4316E
CD74HC4316M
CD74HC4316MT
CD74HC4316M96
CD74HC4316NSR
CD74HC4316PW
CD74HC4316PWR
CD74HC4316PWT
CD74HCT4316E
CD74HCT4316M
CD74HCT4316MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4316和CD74HCT4316包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
CD74HCT4316M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4316 ( CERDIP )
CD74HC4316 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4316 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Z 1
1Y 2
2Y 3
2Z 4
2S 5
3S 6
E 7
GND 8
16 V
CC
15 1S
14 4S
13 4Z
12 4Y
11 3Y
10 3Z
9 V
EE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
工作原理图
V
CC
16
15
1S
1
5
2S
6
3S
逻辑
水平
CONV 。
控制
3
1Z
2Y
2
1Y
4
2Z
11
3Y
14
4S
10
12
E
7
13
8
GND
9
V
EE
4Z
3Z
4Y
真值表
输入
E
L
L
H
H =高电平电压
L =低电平电压
X =无关
S
L
H
X
开关
关闭
ON
关闭
逻辑图
nY
其他3
开关
V
CC
V
CC
nZ
V
EE
E
逻辑
水平
CONV 。
nS
V
EE
图1.一个开关
2
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
直流电源电压,V
CC -
V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
直流电源电压,V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5V至-7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关二极管电流,I
OK
对于V
I
& LT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流开关二极管电流
对于V
I
& GT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
电源电压范围,V
CC -
V
EE
的HC, HCT类型(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
电源电压范围,V
EE
的HC, HCT类型(图3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至-6V
DC输入或输出电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
CC
模拟开关I / O电压,V
IS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
EE
(分钟)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
(最大)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作区作为电源电压的函数
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
2
6
8
10 12
V
CC
- V
EE
(V)
4
HCT
HC
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
-2
-4 -6 -8
V
EE
- GND ( V)
HCT
HC
图2中。
网络连接gure 3 。
3
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
测试条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
-
2
4.5
6
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
R
ON
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
V
EE
0
0
-4.5
V
CC
to
V
EE
0
0
-4.5
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
R
ON
-
-
0
0
-4.5
关机泄漏
当前
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
CC
-
V
EE
-
0
-5
0
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
6
5
6
6
5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
30
85
55
35
10
8.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
180
160
135
320
240
170
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
8
16
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
225
200
170
400
300
215
-
-
-
±1
±1
±1
80
160
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
270
240
205
480
360
255
-
-
-
±1
±1
±1
160
320
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
EE
(V) V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
I
IL
I
CC
V
CC
or
0
GND V
IS
= V
EE
,
V
OS
=V
CC
-5
V
IS
= V
CC
,
V
OS
=V
EE
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
V
IH
V
IL
R
ON
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
V
CC
or
V
EE
V
CC
to
V
EE
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
关机泄漏
当前
R
ON
-
-
-
-
0
-4.5
0
-4.5
0
-4.5
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
-
V
EE
0
-5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
6
5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
30
85
35
10
5
-
-
-
0.8
180
135
320
170
-
-
±0.1
±0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
225
170
400
215
-
-
±1
±1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
270
205
480
255
-
-
±1
±1
V
V
A
A
4
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
(续)
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
16
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
最大
±1
80
160
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
最大
±1
160
320
单位
A
A
A
测试条件
参数
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IS
(V)
-
V
EE
(V) V
CC
(V)
0
0
-4.5
5.5
5.5
5.5
任何
电压V
IS
= V
EE
,
BE-
V
OS
=
吐温
V
CC
,
V
CC
GND V
IS
= V
CC
,
V
OS
= V
EE
V
CC
-2.1
-
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
EE
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
在切换到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
2
4.5
6
4.5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
-
-
-
-
14
-
-
-
-
17
60
12
10
8
205
41
35
37
-
175
35
30
34
-
205
41
35
37
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
10
255
51
43
47
-
220
44
37
43
-
255
51
43
47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
12
310
62
53
56
-
265
53
45
51
-
310
62
53
56
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
打开“ON”时间E到Out
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“ON ”时间nS至出
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“OFF”时间E到Out
t
PLZ ,
t
PHZ
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
-
5
CD54HC4316 , CD74HC4316 ,
CD74HCT4316
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS212D
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四路模拟开关与电平转换
此外,这些器件包含逻辑电平转换
电路提供的电压的模拟信号转换
±5V
通过5V逻辑。每个开关由接通
它的选择输入端( S) - 高电平电压时的共同
启用( E)为低。一个高鹗禁止所有的开关。数码
输入可以V之间摆动
CC
和GND ;模拟
输入/输出可V之间摆动
CC
作为一个积极的极限
和V
EE
作为负限。电压范围示于
图2和图3 。
特点
[ /标题
(CD74
HC431
6,
CD74
HCT43
16)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
宽模拟输入电压范围
V
CC
- V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至10V
·低“的”性
- 45Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CC
= 4.5V
- 35Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
= 6V
- 30Ω (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
- V
EE
= 9V
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
内置的“先开后把”转换
逻辑电平转换,以使5V逻辑来
容纳
±5V
模拟信号
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4316F3A
CD74HC4316E
CD74HC4316M
CD74HC4316MT
CD74HC4316M96
CD74HC4316NSR
CD74HC4316PW
CD74HC4316PWR
CD74HC4316PWT
CD74HCT4316E
CD74HCT4316M
CD74HCT4316MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4316和CD74HCT4316包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
CD74HCT4316M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4316 ( CERDIP )
CD74HC4316 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4316 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Z 1
1Y 2
2Y 3
2Z 4
2S 5
3S 6
E 7
GND 8
16 V
CC
15 1S
14 4S
13 4Z
12 4Y
11 3Y
10 3Z
9 V
EE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
工作原理图
V
CC
16
15
1S
1
5
2S
6
3S
逻辑
水平
CONV 。
控制
3
1Z
2Y
2
1Y
4
2Z
11
3Y
14
4S
10
12
E
7
13
8
GND
9
V
EE
4Z
3Z
4Y
真值表
输入
E
L
L
H
H =高电平电压
L =低电平电压
X =无关
S
L
H
X
开关
关闭
ON
关闭
逻辑图
nY
其他3
开关
V
CC
V
CC
nZ
V
EE
E
逻辑
水平
CONV 。
nS
V
EE
图1.一个开关
2
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
直流电源电压,V
CC -
V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
直流电源电压,V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5V至-7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关二极管电流,I
OK
对于V
I
& LT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流开关二极管电流
对于V
I
& GT ; V
EE
-0.5V或V
I
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
电源电压范围,V
CC -
V
EE
的HC, HCT类型(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
电源电压范围,V
EE
的HC, HCT类型(图3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至-6V
DC输入或输出电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
CC
模拟开关I / O电压,V
IS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
EE
(分钟)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
(最大)
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作区作为电源电压的函数
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
2
6
8
10 12
V
CC
- V
EE
(V)
4
HCT
HC
8
6
V
CC
- GND
(V)
4
2
0
0
-2
-4 -6 -8
V
EE
- GND ( V)
HCT
HC
图2中。
网络连接gure 3 。
3
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
测试条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
-
2
4.5
6
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
R
ON
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
V
EE
0
0
-4.5
V
CC
to
V
EE
0
0
-4.5
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
R
ON
-
-
0
0
-4.5
关机泄漏
当前
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
CC
-
V
EE
-
0
-5
0
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
4.5
6
4.5
6
5
6
6
5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
30
85
55
35
10
8.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
180
160
135
320
240
170
-
-
-
±0.1
±0.1
±0.1
8
16
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
225
200
170
400
300
215
-
-
-
±1
±1
±1
80
160
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
270
240
205
480
360
255
-
-
-
±1
±1
±1
160
320
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
EE
(V) V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
I
IL
I
CC
V
CC
or
0
GND V
IS
= V
EE
,
V
OS
=V
CC
-5
V
IS
= V
CC
,
V
OS
=V
EE
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图4,图5)
V
IH
V
IL
R
ON
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
V
CC
or
V
EE
V
CC
to
V
EE
最大“开”
之间的电阻
任意两个通道
关机泄漏
当前
R
ON
-
-
-
-
0
-4.5
0
-4.5
0
-4.5
I
IZ
V
IH
or
V
IL
V
CC
-
V
EE
0
-5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
6
5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
30
85
35
10
5
-
-
-
0.8
180
135
320
170
-
-
±0.1
±0.1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
225
170
400
215
-
-
±1
±1
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
270
205
480
255
-
-
±1
±1
V
V
A
A
4
CD54HC4316 , CD74HC4316 , CD74HCT4316
直流电特定网络阳离子
(续)
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
16
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
最大
±1
80
160
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
最大
±1
160
320
单位
A
A
A
测试条件
参数
控制输入漏
当前
静态器件
当前
I
O
= 0
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IS
(V)
-
V
EE
(V) V
CC
(V)
0
0
-4.5
5.5
5.5
5.5
任何
电压V
IS
= V
EE
,
BE-
V
OS
=
吐温
V
CC
,
V
CC
GND V
IS
= V
CC
,
V
OS
= V
EE
V
CC
-2.1
-
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
V
EE
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
在切换到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
2
4.5
6
4.5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
2
4.5
6
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
-
-
-
-
14
-
-
-
-
17
60
12
10
8
205
41
35
37
-
175
35
30
34
-
205
41
35
37
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
10
255
51
43
47
-
220
44
37
43
-
255
51
43
47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
12
310
62
53
56
-
265
53
45
51
-
310
62
53
56
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
打开“ON”时间E到Out
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“ON ”时间nS至出
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
打开“OFF”时间E到Out
t
PLZ ,
t
PHZ
C
L
= 50pF的
-
0
0
0
-4.5
C
L
= 15pF的
-
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