【CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。表面贴装NPN数字硅晶体管电压50伏应用*】,IC型号CHDTC144WEPT,CHDTC144WEPT PDF资料,CHDTC144WEPT经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

NPN数字硅晶体管

电压50伏

应用

*开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路。

CHDTC144WEPT

目前的30 mAmpere

特征

*小型表面安装型。（ SC - 75 / SOT416 ）

*高电流增益。

*适用于高封装密度。

*

*

*

*

低colloector发射极饱和。

高饱和电流能力。

内部隔离的NPN型晶体管在一个封装中。

内置偏置电阻（ R1 = 47千欧姆，典型值）。

0.1

0.2±0.05

0.5 1.6±0.2

0.5

SC-75/SOT-416

(2)

(3)

1.0±0.1

0.1

0.3±0.05

施工

*一个NPN晶体管和薄膜电阻器于一体的偏见

封装。

0.1

0.2±0.05

0.8±0.1

(1)

记号

摊晒

GND

In

1

0.15±0.05

0.1Min.

0.6~0.9

0~0.1

1.6±0.2

电路

2

R2

TR

R1

3

OUT

单位：毫米

SC-75/SOT-416

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CC

V

IN

I

O

直流输出电流

I

C（最大值）。

P

合计

T

英镑

T

J

Rθ

-S

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

2004-01

参数

电源电压

输入电压

条件

分钟。

马克斯。

50

+40

30

V

V

单位

-10

T

AMB

≤

25

O

C，注意1

55

结 - 焊接点

mA

100

200

+150

150

140

mW

O

总功耗

储存温度

结温

热阻

C

C

C / W

O

O

额定特性（ CHDTC144WEPT ）

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

IOFF ）

V

我（上）

V

O（上）

I

I

I

C（ OFF）

h

FE

R

1

R

2

/R

1

f

T

参数

输入过电压

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

输入电阻

电阻率

跃迁频率

I

E

= -5mA ，V

CE

=10.0V

f=100MHz

=

条件

I

O

=为100uA ; V

CC

=5.0V

I

O

= 2毫安; V

O=

0.3V

I

O

= 10毫安;我

I

=0.5mA

V

I

=5V

V

I

=0V; V

CC

=50V

I

O

= 5毫安; V

O

=5.0V

56

32.9

0.37

分钟。

0.8

0.1

47

0.47

250

典型值。

4.0

0.3

0.16

0.5

61.1

0.57

K

兆赫

马克斯。

V

V

V

mA

uA

单位

记

1.Pulse测试： tp≤300uS ;

δ≤0.02.

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21+

29000

SOT-23

全新原装，欢迎订购！

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9700

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