CF5019系列
高频率，第三泛音晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5019系列是高频，第三泛音晶体振荡器模块集成电路。它们集成了一个振荡
器电路，并且在高频下操作的单个芯片上的输出缓冲器。所述振荡器电路采用
CMOS反相器和一个内置的阻尼电阻R
D
，降低了晶体的电流与现有相比
设备。阻尼电阻R
D
使用NPC独有的高精度的制造thin-液膜电阻技
术，其抑制振荡的特性变化，由于到一个微型的温度变化和电压
妈妈。的CF5019系列可被用于构造稳定，高频率，第三谐波晶体振荡器。
特点
I
I
I
I
I
I
R
D
内置的，以减少在振荡晶体电流
器电路
2.25至3.6V工作电压范围
推荐的工作频率范围
（不同版本）
2.5V操作： 60 155MHz的
3.0V操作： 60 170MHz的
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡器电容具有优良的频率
响应内置
反馈电阻具有良好的温度字符
开创性意义内置
I
I
I
I
I
I
I
I
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡停止
低待机电流
省电上拉电阻内置
振荡检测功能
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
50
±
5 ％的输出占空比（ 1 / 2VDD ）
30pF的负载输出（ 3.3V操作）
钼栅CMOS工艺
芯片形式（ CF5019AL
×
)
应用
I
晶体振荡器模块（第3谐波振荡）
系列CON组fi guration
推荐工作
频带
*1
[兆赫]
克比
2.5V操作3.0V操作
CF5019ALA
CF5019ALB
CF5019ALC
CF5019ALD
CF5019ALE
60至80
70至115
105 135
110 155
90至125
60至90
80至125
115 145
135 170
95至135
0.6
0.8
1.0
1.0
0.8
振荡电路常数
内置容量阻尼反馈
电阻阻值
C
G
[ pF的]
D
[ pF的]
RF [K
]
R
D
[
]
4
3
1
1
2
7
3
3
5
7
2.5
4.5
3.3
2.2
3.3
200
57
57
57
57
CMOS
是的
高
阻抗
INHN
输入
水平
待机模式
振荡器
停止
功能
产量
状态
VERSION
* 1。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。
然而，振荡器频带不被保证。具体来说，该特性可以极大地有所不同，因为晶体的特性
和安装条件下，这样的组件的振荡特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5019AL
×
–2
包
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5019系列
焊盘布局
（单位：
m)
(900,1050)
VDD
Q
Y
HA5019
全国人民代表大会
VSS
INHN
(0,0)
XT XTN
X
芯片尺寸： 0.9
×
1.05mm
芯片厚度： 220μm ± 30μm的
PAD尺寸： 90微米
芯片基地： V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW （振荡器停止工作）高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
（ - ）地
产量
（ + ）电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
144.6
347.8
560.6
755.4
755.4
151.4
Y
190.6
171
171
497.8
905.4
918.2
框图
VDD VSS
XTN
C
G
R
f 1
C
f
C
D
R
D
XT
R
f 2
Q
INHN
INHN =低电平有效
精工NPC株式会社-2
CF5019系列
CF5019ALC ， CF5019ALD ， CF5019ALE
3V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
符号
f
≤
170MHz
f
≤
125MHz
条件
民
工作电源电压
输入电压
工作温度
V
DD
V
IN
T
OPR
C
L
≤
15pF
C
L
≤
30pF
2.7
2.7
V
SS
40
典型值
–
–
–
–
最大
3.6
3.6
V
DD
+85
V
V
V
°
C
单位
2.5V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
工作电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
≤
155MHz
条件
民
C
L
≤
15pF
2.25
V
SS
40
典型值
–
–
–
最大
2.75
V
DD
+85
V
V
°
C
单位
精工NPC株式会社-4
QQ：2880707522 复制
