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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第256页 > CF5015BL4-2
CF5015系列
2.5V工作基频
晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5015系列2.5V操作晶振芯片。它们可用于频率高达60MHz 。
产品阵容包括AL的
×
系列2.5V专用和BL
×
系列兼容2.5V至5V 。
AL的内置振荡器电容
×
系列是大的,从而使AL
×
系列有助于提高频率
稳定。对于BL
×
系列,消耗电流和驱动电平降低,使得它们能够实现煤焦
Cucumis Sativus查阅全文更容易设计的小尺寸的晶体振荡器。每个版本的振荡电路很简单CON-
结构方面,使得它可以实现晶体振荡器具有优良的相位噪声特性。即使该值
特性不同,由于应用或目的,从这些序列用于不同目的的选择
允许的最优化。
特点
I
I
I
I
I
工作电源电压范围
CF5015AL
×
: 2.25 2.75V
CF5015BL
×
: 2.25 5.5V
高达60MHz振荡频率范围
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
CF5015AL
×
: C
G
= 18pF之,C
D
= 18pF之
CF5015BL
×
: C
G
= 4PF ,C
D
=驱动8pF
逆变器放大器呃反馈电阻内置
I
I
I
I
I
I
待机功能
在待机模式下的高阻抗,振荡停止
低待机电流
省电上拉电阻内置
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8 ,或f
O
/ 16的输出频率,
通过内部连接确定
CMOS输出工作水平( 1 / 2VDD )
钼栅CMOS工艺
芯片形式( CF5015
×
L
×
)
系列CON组fi guration
操作
供应
电压
范围[V]的
推荐的振荡频率范围
*1
[兆赫]
2.5V操作
3V操作
5V
手术
C
L
= 30pF的
内建的
电容[ pF的]
C
G
C
D
待机模式
输出振荡器
频率
停止
功能
f
O*2
f
O
/2
4至60
4至50
18
18
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O*2
f
O
/2
2.25 3.6
4.5 5.5
12至60
12 50
12至60
12 50
12至60
4
8
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
是的
高阻
是的
高阻
产量
状态
VERSION
C
L
= 15pF的
L
= 30pF的
L
= 15pF的
L
= 30pF的
CF5015AL1
CF5015AL2
CF5015AL3 2.25 2.75
CF5015AL4
CF5015AL5
CF5015BL1
CF5015BL2
CF5015BL3
CF5015BL4
CF5015BL5
* 1 。推荐的振荡频率是根据用于鼻咽癌特征认证的复合物结晶的尺度值。然而,振荡
荡器频段不能保证。具体来说,该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大,所以
部件的振动特性,必须仔细评估。
* 2 。振荡频率
订购信息
设备
CF5015
×
L
×
–2
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5015系列
焊盘布局
(单位:
m)
(720,680)
全国人民代表大会
VDD
Y
HA
5015
Q
VSS
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸: 0.72
×
0.68mm
切屑厚度: 220 ± 30μm的
PAD尺寸: 90微米
芯片基地: V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸(微米)
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
O
输出状态控制输入。当LOW (振荡器停止工作)高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
输出。输出频率(f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/ 16)内部连接确定
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
512
588
588
131
Y
277
131
131
345
548
548
框图
VDD VSS
XTN
C
G
C
D
XT
R
f
1/2
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
INHN =低电平有效
精工NPC株式会社-2
CF5015系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
12
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
2.5V操作( CF5015AL
×
/CF5015BL
×
)
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
振荡频率范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
O
CF5015AL
×
CF5015BL
×
CF5015AL
×
输出频率范围
f
OUT
CF5015BL
×
C
L
15pF
C
L
30pF
C
L
15pF
C
L
30pF
条件
等级
2.25 2.75
V
SS
到V
DD
40 85
4至60
12至60
0.25 60
为0.25 50
0.75 60
0.75 50
单位
V
V
°
C
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
3V操作( CF5015BL
×
)
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
振荡频率范围
输出频率范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
O
f
OUT
C
L
15pF
C
L
30pF
条件
等级
2.7 3.6
V
SS
到V
DD
40 85
12至60
0.75 60
0.75 50
单位
V
V
°
C
兆赫
兆赫
兆赫
5V操作( CF5015BL
×
)
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
振荡频率范围
输出频率范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
O
f
OUT
C
L
30pF
条件
等级
4.5 5.5
V
SS
到V
DD
40 85
12至60
0.75 60
单位
V
V
°
C
兆赫
兆赫
SEIKO NPC公司-3
CF5015系列
电气特性
2.5V操作( CF5015AL
×
/CF5015BL
×
)
V
DD
= 2.25 2.75V ,V
SS
= 0V ,TA =
40
至+ 85 ℃,除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.25V ,我
OH
= 4毫安
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.25V ,我
OL
= 4毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5015AL1
CF5015AL2
CF5015AL3
CF5015AL4
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 15pF的, F = 60MHz的
CF5015AL5
CF5015BL1
CF5015BL2
CF5015BL3
CF5015BL4
CF5015BL5
待机电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
I
ST
R
UP1
R
UP2
R
f
C
G
内置电容
C
D
设计值。在监视器模式
晶片测试。
CF5015AL×
CF5015BL×
15.3
6.8
18
8
20.7
9.2
pF
pF
测量CCT 5
设计值。在监视器模式
晶片测试。
CF5015AL×
CF5015BL×
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
20
100
15.3
3.4
100
300
18
4
200
600
20.7
4.6
k
k
pF
pF
1.65
0.7V
DD
2
典型值
1.95
0.3
5.5
4
3
2.5
2
4.5
3
2
1.5
1
6
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
11
8
6
5
4
9
6
4
3
2
3
12
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
单位
精工NPC株式会社-4
CF5015系列
3V操作( CF5015BL × )
V
DD
= 2.7 3.6V ,V
SS
= 0V ,TA =
40
至+ 85 ℃,除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.7V ,我
OH
= 4毫安
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.7V ,我
OL
= 4毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5015BL1
CF5015BL2
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 15pF的, F = 60MHz的
CF5015BL3
CF5015BL4
CF5015BL5
待机电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
I
ST
R
UP1
R
UP2
R
f
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
6.8
8
9.2
pF
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
20
100
3.4
100
300
4
200
600
4.6
k
k
pF
2.1
0.7V
DD
1
典型值
2.4
0.3
5.5
3
2
1.5
1
4
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
11
6
4
3
2
5
10
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
单位
5V操作( CF5015BL × )
V
DD
= 4.5 5.5V ,V
SS
= 0V ,TA =
40
至+ 85 ℃,除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 4.5V ,我
OH
= 8毫安
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 4.5V ,我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5015BL1
CF5015BL2
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 30pF的, F = 60MHz的
CF5015BL3
CF5015BL4
CF5015BL5
待机电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
I
ST
R
UP1
R
UP2
R
f
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
6.8
8
9.2
pF
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
10
100
3.4
50
300
4
150
600
4.6
k
k
pF
3.9
0.7V
DD
0.5
典型值
4.2
0.3
15
9.5
6.5
5
4
2
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
30
19
13
10
8
10
8
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
单位
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CF5015BL4-2
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    -
    -
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