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CEH2310
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
30V ， 6.2A ，R
DS （ ON）
= 33mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS （ ON）
= 38mΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS （ ON）
= 55mΩ @V
GS
= 2.5V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
TSOP - 6封装。
5
6
3
2
1
TSOP-6
S(4)
G(3)
4
D(1,2,5,6,)
初步
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
6.2
25
2.0
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
修订版1 2006.April
http://www.cetsemi.com
CEH2310
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±
12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 2.0A
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.0A
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 15V ，我
D
= 5.8A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 3
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.0A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
0.7
27
30
40
5
830
110
85
4
6
28
4
10
1.8
3.3
3.0
1.0
10
15
50
10
13
民
30
1
典型值
最大
单位
V
A
±
100
1.4
33
38
55
nA
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
正向跨导
8
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板，T < 5秒。
c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计d.Guaranteed ，不受生产测试。
2
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    CEH2310
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