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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第711页 > CEB35P10
CEP35P10/CEB35P10
CEF35P10
P沟道增强型场效应晶体管
特点
-100V ， -32A ，R
DS （ ON）
= 76mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS （ ON）
= 92mΩ @V
GS
= -4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
D
G
G
D
S
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-100
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
20
-32
-128
125
0.83
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
1.2
62.5
单位
C / W
C / W
规格及数据如有更改，恕不另行通知。
1
修订版1 2009.July
http://www.cetsemi.com
CEP35P10/CEB35P10
CEF35P10
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= -16A
V
DS
= -80V ，我
D
= -18A,
V
GS
= -10V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
= -16A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8A
V
DS
= -15V ，我
D
= -16A
-1
63
72
20
2460
335
55
17
7
190
35
74
6
15
-32
-1.2
22
9
247
45.5
96.2
民
-100
-25
100
-100
-3
76
92
典型值
最大
单位
V
A
5
5
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -50V ，我
D
= -18A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 3.3
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计d.Guaranteed ，不受生产测试。
2
CEP35P10/CEB35P10
CEF35P10
25
-V
GS
=10,8,7,6,5V
75
25 C
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0.0
60
45
30
T
J
=125 C
15
0
-55 C
-V
GS
=4V
-V
GS
=3V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
I
D
=-16A
V
GS
=-10V
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
-I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
V
GS
=0V
10
2
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=-250A
10
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEP35P10/CEB35P10
CEF35P10
-V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=-80V
I
D
=-18A
10
3
R
DS （ ON）
极限
-I
D
，漏电流（ A）
10
2
100ms
1ms
10ms
DC
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
0
10
1
0
15
30
45
60
75
90
10
0
10
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
根
G
R
L
D
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
-V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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