46V33
初步
CYM1846V33
512K ×32的3.3V静态RAM模块
特点
高密度3.3V 16兆位的SRAM模块
32位标准封装支持从密度
16K ×32 ，通过2M ×32
高速静态存储器
- 访问12纳秒的时间
低有功功率
- 1.650W （最大值）为12毫微秒
72引脚
提供ZIP ， SIMM格式
模块由4 512K ×8的SRAM中SOJ封装构造
年龄安装环氧层压基板上。四片SE-
脉冲编码被用于独立地使所述四个字节。阅读
或写可以在单个字节或任意组合来执行
通过正确使用选择的重刑多个字节。
该CYM1846V33设计用于标准的72针的使用
SIMM插槽。引脚排列与向下兼容
64引脚JEDEC ZIP / SIMM模组系列（ CYM1821 ，
CYM1831 ， CYM1836和CYM1841 ） 。因此，一个单一的母亲 -
板的设计可以用来容纳存储器的深度
从16K字（ CYM1821 ）到1,024K的话
（ CYM1851 ） 。该CYM1846V33提供垂直SIMM
配置，并且可以既锡 - 铅或10
微英寸的边缘触点镀金的。
存在检测引脚（PD
0
-PD
3
）被用来识别模块
在应用程序中的内存密度，其中有备用模块
词的深度是可以互换的。
功能说明
该CYM1846V33是一个高性能的3.3V 16兆
静态RAM模块由32位组织为512K字。这
逻辑框图
PD
0
-
PD
1
-
PD
2
-
PD
3
-
开放
开放
GND
开放
引脚配置
ZIP / SIMM
顶视图
A
0
–A
18
OE
WE
19
512K ×8
SRAM
CS
1
512K ×8
SRAM
CS
2
512K ×8
SRAM
CS
3
512K ×8
SRAM
CS
4
I / O
0
-I / O
7
8
I / O
7
-I / O
15
8
8
I / O
16
-I / O
23
NC
PD
3
PD
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A
7
A
8
A
9
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
14
CS
1
CS
3
A
16
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
A
10
A
11
A
12
A
13
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD
2
GND
PD
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
A
0
A
1
A
2
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
A
15
CS
2
CS
4
A
17
OE
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
A
3
A
4
A
5
V
CC
A
6
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
A
18
NC
8
I / O
24
-I / O
31
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05275牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月15日
初步
选购指南
1846V33-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
阴影区域包含预览。
CYM1846V33
1846V33-15
15
800
120
1846V33-20
20
780
120
1846V33-25
25
780
120
1846V33-35
35
780
120
12
820
120
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -55 ° C至+ 125°C
环境温度与
电源应用............................................... - 10 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V到+ V
CC
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 4.6V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
+
10%
/ –5%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
CS
N
＆ LT ; V
白细胞介素，
F
=
F
最大
12
15
20,25,35
I
SB1
CS自动掉电
当前
[2]
最大。 V
CC
， CS > V
IH
,
分钟。占空比= 100 ％
–12
15
20,25,35
I
SB2
CS自动掉电
当前
[2]
最大。 V
CC
， CS > V
CC
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.0
–0.3
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+10
+10
820
800
780
180
160
140
120
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
INA
C
INB
C
OUT
描述
输入电容（WE ， OE ，A
0–18
)
输入电容（ CS ）
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
32
8
8
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.如果装置在这些设置操作时，长期使用的可靠性就会受到影响。
2.上拉电阻到V
CC
在CS输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
3.测试以抽样方式。
文件编号： 38-05275牧师**
第2页8
初步
交流测试负载和波形
R1 315
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 315
3.0V
90%
GND
10%
CYM1846V33
所有的输入脉冲
90%
10%
≤
5纳秒
≤
5纳秒
(a)
(b)
(c)
相当于：
产量
戴维南
167
当量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[4]
1846V33-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
[6]
12
9
9
0
1
10
7
1
3
0
7
15
10
10
0
1
12
8
1
3
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CS低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CS低到低Z
[5]
CS高到高阻
[5, 6]
CS高到掉电
3
7
12
0
7
3
8
15
3
12
7
0
8
12
12
3
15
8
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1846V33-15
分钟。
马克斯。
单位
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCS
小于吨
LZCS
对于任何给定的设备。这些参数都保证，而不是100 ％测试。
6. t
HZCS
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05275牧师**
第3页8
46V33
初步
CYM1846V33
512K ×32的3.3V静态RAM模块
特点
高密度3.3V 16兆位的SRAM模块
32位标准封装支持从密度
16K ×32 ，通过2M ×32
高速静态存储器
- 访问12纳秒的时间
低有功功率
- 1.650W （最大值）为12毫微秒
72引脚
提供ZIP ， SIMM格式
模块由4 512K ×8的SRAM中SOJ封装构造
年龄安装环氧层压基板上。四片SE-
脉冲编码被用于独立地使所述四个字节。阅读
或写可以在单个字节或任意组合来执行
通过正确使用选择的重刑多个字节。
该CYM1846V33设计用于标准的72针的使用
SIMM插槽。引脚排列与向下兼容
64引脚JEDEC ZIP / SIMM模组系列（ CYM1821 ，
CYM1831 ， CYM1836和CYM1841 ） 。因此，一个单一的母亲 -
板的设计可以用来容纳存储器的深度
从16K字（ CYM1821 ）到1,024K的话
（ CYM1851 ） 。该CYM1846V33提供垂直SIMM
配置，并且可以既锡 - 铅或10
微英寸的边缘触点镀金的。
存在检测引脚（PD
0
-PD
3
）被用来识别模块
在应用程序中的内存密度，其中有备用模块
词的深度是可以互换的。
功能说明
该CYM1846V33是一个高性能的3.3V 16兆
静态RAM模块由32位组织为512K字。这
逻辑框图
PD
0
-
PD
1
-
PD
2
-
PD
3
-
开放
开放
GND
开放
引脚配置
ZIP / SIMM
顶视图
A
0
–A
18
OE
WE
19
512K ×8
SRAM
CS
1
512K ×8
SRAM
CS
2
512K ×8
SRAM
CS
3
512K ×8
SRAM
CS
4
I / O
0
-I / O
7
8
I / O
7
-I / O
15
8
8
I / O
16
-I / O
23
NC
PD
3
PD
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A
7
A
8
A
9
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
14
CS
1
CS
3
A
16
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
A
10
A
11
A
12
A
13
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD
2
GND
PD
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
A
0
A
1
A
2
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
A
15
CS
2
CS
4
A
17
OE
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
A
3
A
4
A
5
V
CC
A
6
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
A
18
NC
8
I / O
24
-I / O
31
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05275牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月15日
初步
选购指南
1846V33-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
阴影区域包含预览。
CYM1846V33
1846V33-15
15
800
120
1846V33-20
20
780
120
1846V33-25
25
780
120
1846V33-35
35
780
120
12
820
120
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -55 ° C至+ 125°C
环境温度与
电源应用............................................... - 10 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V到+ V
CC
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 4.6V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
+
10%
/ –5%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
CS
N
＆ LT ; V
白细胞介素，
F
=
F
最大
12
15
20,25,35
I
SB1
CS自动掉电
当前
[2]
最大。 V
CC
， CS > V
IH
,
分钟。占空比= 100 ％
–12
15
20,25,35
I
SB2
CS自动掉电
当前
[2]
最大。 V
CC
， CS > V
CC
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.0
–0.3
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+10
+10
820
800
780
180
160
140
120
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
INA
C
INB
C
OUT
描述
输入电容（WE ， OE ，A
0–18
)
输入电容（ CS ）
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
32
8
8
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.如果装置在这些设置操作时，长期使用的可靠性就会受到影响。
2.上拉电阻到V
CC
在CS输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
3.测试以抽样方式。
文件编号： 38-05275牧师**
第2页8
初步
交流测试负载和波形
R1 315
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 315
3.0V
90%
GND
10%
CYM1846V33
所有的输入脉冲
90%
10%
≤
5纳秒
≤
5纳秒
(a)
(b)
(c)
相当于：
产量
戴维南
167
当量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[4]
1846V33-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
[6]
12
9
9
0
1
10
7
1
3
0
7
15
10
10
0
1
12
8
1
3
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CS低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CS低到低Z
[5]
CS高到高阻
[5, 6]
CS高到掉电
3
7
12
0
7
3
8
15
3
12
7
0
8
12
12
3
15
8
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1846V33-15
分钟。
马克斯。
单位
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCS
小于吨
LZCS
对于任何给定的设备。这些参数都保证，而不是100 ％测试。
6. t
HZCS
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05275牧师**
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