CDP1821C/3
1997年3月
高可靠性的CMOS
1024字×1位的静态RAM
描述
该CDP1821C / 3是一个1024字×1位的CMOS上的硅SAP-
phire （SOS） ，全静态随机存取存储器设计
在CDP1800微处理器系统使用。此装置有一个
4V的推荐工作电压范围为6.5V 。
该CDP1821C / 3的输出状态是的函数
输入地址，只有片选状态。有效的数据会
出现在一个存取时间的输出以下的最新
地址改变到所选择的芯片。出现有效数据之后，
地址可能会立即改变。它不是neces-
萨里时钟片选输入或其他输入端
对于完全静态操作;因此芯片选择输入可
作为一个附加的地址输入端。当该装置是
在一个非选择状态（CS = 1）时，内部写电路
并输出检测放大器器将被禁用。此功能允许
许多阵列的三态数据输出是或绑
到一个公共总线，便于存储器的扩展。
特点
静态CMOS硅蓝宝石上电路CD4000-
系列兼容
兼容CDP1800系列微处理器在
最大速率
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100ns的典型。在V
DD
= 5V
单电源供电
无预充或外部时钟要求
低静态和操作电源
独立的数据输入和输出
高抗噪声能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 Ⅴ的30％的
DD
内存保留为备用电池电压下降
至2V + 25
o
C
闭锁免费瞬态耐辐射
订购信息
包
SBDIP
TEMP 。 RANGE
-55
o
C至+ 125
o
C
部分
数
CDP1821CD3
PKG 。号
D16.3
引脚
CDP1821C/3
（ SBDIP ）
顶视图
CS
A0
A1
A2
A3
A4
DO
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 DI
14 RD / WR
13 A9
12 A8
11 A7
10 A6
9 A5
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2983.1
6-5
CDP1821C/3
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站） 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
最大工作温度范围（T
A
) . . . .-55
o
C至+ 125
o
C
最大存储温度范围（T
英镑
) . . .-65
o
C至+150
o
C
最大的铅温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
推荐工作条件
T
A
=全包温度范围内。为了获得最大的可靠性，标称工作CON-
ditions应选择使得在操作总是在以下范围内：
CDP1821CD/3
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
V
DD
= 5V
±5%
民
4
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
-55
o
C, +25
o
C
参数
静态器件电流（注1 ）
输出低电平驱动（漏）电流（注1 ）
高输出驱动器（源）电流
（注1 ）
输出电压低级别
输出电压高级别
输入低电压
输入高电压
输入电流（注1 ）
三态输出漏电流
（注1 ）
工作电流（注2）
输入电容
输出电容
注意事项：
符号
I
DD
I
OL
I
OH
条件
V
IN
= 0V或V
DD
V
OUT
= 0.4V
V
OUT
= V
DD
-0.4V
民
-
2.7
-1.3
最大
260
-
-
+125
o
C
民
-
1.6
-0.8
最大
1000
-
-
单位
A
mA
mA
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
I
IN
I
OUT
-
-
-
-
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
-
V
DD
-0.1
-
0.7 V
DD
-
-
0.1
-
0.3 V
DD
-
2.6
2.6
-
V
DD
-0.5
-
0.7 V
DD
-
-
0.5
-
0.3 V
DD
-
10
10
V
V
V
V
A
A
I
DD1
C
IN
C
OUT
-
-
-
-
-
-
5
7.5
15
-
-
-
10
7.5
15
mA
pF
pF
1.限制指定100 ％的测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100 ％的测试
2.测量与1μs的读周期时间和输出浮动。
6-7
CDP1821C/3
阅读周期的动态电气连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
-55
o
C, +25
o
C
参数
数据访问时间（注1 ）
读周期时间
输出使能时间
输出禁止时间
注意：
1. 100 ％测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
t
DA
t
RC
t
EN
t
DIS
V
DD
(V)
5
5
5
5
民
-
190
65
-
最大
190
-
-
65
民
-
255
90
-
+125
o
C
最大
255
-
-
90
单位
ns
ns
ns
ns
CS
（注1 ）
t
DOA
（注2 ）
A0 - A9
t
RC
读/写
（注3）
（注4 ）
t
DOH
（注5 ）
数据输出
有效
高
阻抗
数据输出
（注5 ）
t
AA
注意事项：
1.片选（ CS）允许从高变到低级别或维持低位选定的设备上。
2.片选（CS）允许从低切换到高级别或保持低电平。
3.读/写（ R / W）必须在所有的地址转换为高电平。
4.不要在意。
5.数据输出（ DO ）是在吨高阻抗
DIS
R / W的下降沿或CS的上升沿之后纳秒。
图1.读周期时序图
6-8
CDP1821C/3
写周期动态电连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
-55
o
C, +25
o
C
参数
写周期时间
地址建立时间（注1 ）
地址保持时间（注1）
输入数据建立时间（注1 ）
输入数据保持时间（注1 ）
读/写脉冲宽度低（注1 ）
注意：
1. 100 ％测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WL
V
DD
(V)
5
5
5
5
5
5
民
300
60
130
90
60
110
最大
-
-
-
-
-
-
民
420
84
180
125
84
155
+125
o
C
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CS
（注1 ）
（注2 ）
A0 - A9
t
WC
t
WL
读/写
（注3）
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
DI
（注3）
（注3）
注意事项：
1.片选（ CS）允许从高变到低级别或维持低位选定的设备上。
2.片选（CS）允许从低切换到高级别或保持低电平。
3.不要在意。
图2.写周期时序图
6-9
CDP1821C/3
1997年3月
高可靠性的CMOS
1024字×1位的静态RAM
描述
该CDP1821C / 3是一个1024字×1位的CMOS上的硅SAP-
phire （SOS） ，全静态随机存取存储器设计
在CDP1800微处理器系统使用。此装置有一个
4V的推荐工作电压范围为6.5V 。
该CDP1821C / 3的输出状态是的函数
输入地址，只有片选状态。有效的数据会
出现在一个存取时间的输出以下的最新
地址改变到所选择的芯片。出现有效数据之后，
地址可能会立即改变。它不是neces-
萨里时钟片选输入或其他输入端
对于完全静态操作;因此芯片选择输入可
作为一个附加的地址输入端。当该装置是
在一个非选择状态（CS = 1）时，内部写电路
并输出检测放大器器将被禁用。此功能允许
许多阵列的三态数据输出是或绑
到一个公共总线，便于存储器的扩展。
特点
静态CMOS硅蓝宝石上电路CD4000-
系列兼容
兼容CDP1800系列微处理器在
最大速率
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100ns的典型。在V
DD
= 5V
单电源供电
无预充或外部时钟要求
低静态和操作电源
独立的数据输入和输出
高抗噪声能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 Ⅴ的30％的
DD
内存保留为备用电池电压下降
至2V + 25
o
C
闭锁免费瞬态耐辐射
订购信息
包
SBDIP
TEMP 。 RANGE
-55
o
C至+ 125
o
C
部分
数
CDP1821CD3
PKG 。号
D16.3
引脚
CDP1821C/3
（ SBDIP ）
顶视图
CS
A0
A1
A2
A3
A4
DO
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 DI
14 RD / WR
13 A9
12 A8
11 A7
10 A6
9 A5
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2983.1
6-5
CDP1821C/3
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ V
DD
)
（所有电压参考V
SS
终奌站） 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
最大工作温度范围（T
A
) . . . .-55
o
C至+ 125
o
C
最大存储温度范围（T
英镑
) . . .-65
o
C至+150
o
C
最大的铅温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
推荐工作条件
T
A
=全包温度范围内。为了获得最大的可靠性，标称工作CON-
ditions应选择使得在操作总是在以下范围内：
CDP1821CD/3
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
V
DD
= 5V
±5%
民
4
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
-55
o
C, +25
o
C
参数
静态器件电流（注1 ）
输出低电平驱动（漏）电流（注1 ）
高输出驱动器（源）电流
（注1 ）
输出电压低级别
输出电压高级别
输入低电压
输入高电压
输入电流（注1 ）
三态输出漏电流
（注1 ）
工作电流（注2）
输入电容
输出电容
注意事项：
符号
I
DD
I
OL
I
OH
条件
V
IN
= 0V或V
DD
V
OUT
= 0.4V
V
OUT
= V
DD
-0.4V
民
-
2.7
-1.3
最大
260
-
-
+125
o
C
民
-
1.6
-0.8
最大
1000
-
-
单位
A
mA
mA
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
I
IN
I
OUT
-
-
-
-
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
-
V
DD
-0.1
-
0.7 V
DD
-
-
0.1
-
0.3 V
DD
-
2.6
2.6
-
V
DD
-0.5
-
0.7 V
DD
-
-
0.5
-
0.3 V
DD
-
10
10
V
V
V
V
A
A
I
DD1
C
IN
C
OUT
-
-
-
-
-
-
5
7.5
15
-
-
-
10
7.5
15
mA
pF
pF
1.限制指定100 ％的测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100 ％的测试
2.测量与1μs的读周期时间和输出浮动。
6-7
CDP1821C/3
阅读周期的动态电气连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
-55
o
C, +25
o
C
参数
数据访问时间（注1 ）
读周期时间
输出使能时间
输出禁止时间
注意：
1. 100 ％测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
t
DA
t
RC
t
EN
t
DIS
V
DD
(V)
5
5
5
5
民
-
190
65
-
最大
190
-
-
65
民
-
255
90
-
+125
o
C
最大
255
-
-
90
单位
ns
ns
ns
ns
CS
（注1 ）
t
DOA
（注2 ）
A0 - A9
t
RC
读/写
（注3）
（注4 ）
t
DOH
（注5 ）
数据输出
有效
高
阻抗
数据输出
（注5 ）
t
AA
注意事项：
1.片选（ CS）允许从高变到低级别或维持低位选定的设备上。
2.片选（CS）允许从低切换到高级别或保持低电平。
3.读/写（ R / W）必须在所有的地址转换为高电平。
4.不要在意。
5.数据输出（ DO ）是在吨高阻抗
DIS
R / W的下降沿或CS的上升沿之后纳秒。
图1.读周期时序图
6-8
CDP1821C/3
写周期动态电连接特定的阳离子
t
R
, t
F
= 10ns的，C
L
= 50pF的
-55
o
C, +25
o
C
参数
写周期时间
地址建立时间（注1 ）
地址保持时间（注1）
输入数据建立时间（注1 ）
输入数据保持时间（注1 ）
读/写脉冲宽度低（注1 ）
注意：
1. 100 ％测试。所有其他限制是给定的试验条件下，设计的参数，并不代表100％的测试。
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WL
V
DD
(V)
5
5
5
5
5
5
民
300
60
130
90
60
110
最大
-
-
-
-
-
-
民
420
84
180
125
84
155
+125
o
C
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CS
（注1 ）
（注2 ）
A0 - A9
t
WC
t
WL
读/写
（注3）
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
DI
（注3）
（注3）
注意事项：
1.片选（ CS）允许从高变到低级别或维持低位选定的设备上。
2.片选（CS）允许从低切换到高级别或保持低电平。
3.不要在意。
图2.写周期时序图
6-9
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