薄型SMD肖特基势垒整流器
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBMTS220 -HF直通。 CDBMTS2200 -HF
反向电压: 20 200伏特
正向电流: 2.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 出色的功耗提供了更好的反
漏电流和耐热性。
- 低剖面封装比标准薄40 %
SOD-123.
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
-Lead免部分符合环保标准
MIL-STD-19500/228
0.154(3.9)
0.138(3.5)
0.018 ( 0.45 )典型值。
SOD-123S
0.037(0.95)
0.029(0.75)
0.079(2.0)
0.063(1.6)
0.119(3.0)
0.103(2.6)
0.009(0.22)
0.007(0.18)
0.032 ( 0.8 )典型值。
0.041(1.05)
0.033(0.85)
0.032 ( 0.8 )典型值。
机械数据
- 环氧: UL94 -V0额定阻燃剂。
-Case :模压塑料, SOD- 123S / MINI SMA
-Terminals :每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性。
-Polarity :由阴极频带指示。
-Mounting位置:任意
- 重量: 0.0155克约。
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
(在T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
最大正向整流电流
最大正向电压
@ I
F
=2.0A
最大正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
( JEDEC梭)
最大反向
电流(V
R
=V
RRM )
T
J
=25°C
I
R
T
J
=100°C
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
20
160
-55到+150
P
F
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS CDBMTS
CDBMTS
220 - 230 HF - 240 HF - 250 HF - 260 HF - 280 HF - 2100 HF - 2150 HF - 2200 HF -HF
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
50
50
35
60
60
42
2.0
80
80
56
100
100
70
150
105
150
200
140
200
0.50
0.70
0.85
0.92
V
I
FSM
50
0.5
A
mA
典型的二极管结电容
( F = 1MHz的应用和4V直流反接电压)
工作温度
存储温度范围
°C
°C
REV :一
QW-JB031
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评级和特性曲线( CDBMTS220 -HF直通。 CDBMTS2200 -HF )
Fig.1-典型正向电流
降额曲线
I
F
,正向电流( A)
100
图2 - 典型的正向特性
HF
-H
60
F
10
0-H
F
I
O
,平均正向电流( A)
2.4
2.0
CD
CD
10
C
0
22
TS
M
DB
CD
F~
-H
BM
24
TS
0-
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
1
B
F
-
CD
0-H
50
F~
20
S2
S2
0-H
T
T
8-
S2
BM
BM
MT
CD
CD
F~
DB
C
-H
50
21
TS
BM
CD
~C
HF
2
TS
BM
D
S2
MT
250
TS
BM
-H F
D
~C
D
~C
2 40
TS
BM
-HF
2 20
TS
BM
0-H
F
220
TS
BM
-HF
0.1
T
J
=25°C
脉冲宽度300
US
1 %占空比
0.01
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
,环境温度( ° C)
V
F
,正向电压( V)
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
50
700
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
O
图4 - 典型结电容
C
J
,结电容(PF )
100
600
500
400
300
200
100
0
0.01
40
30
20
10
0
1
10
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
,反向电压, (V)的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1
T
J
=75
O
C
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比( % )
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