SMD肖特基势垒整流器
CDBM220 -G直通。 CDBM2100 -G
反向电压: 20100伏特
正向电流: 2.0安培
器件符合RoHS
特点
- 理想的表面贴装应用。
- 易于取放。
- 塑料包装有保险商实验室。
可燃性分类94V- 0 。
-Exceeds环境标准MIL -S-
19500/228.
- 低漏电流。
0.154(3.90)
0.138(3.50)
0.012 ( 0.30 )典型值。
迷你SMA / SOD- 123
0.071(1.90)
0.055(1.50)
机械数据
-Case :模压塑料, JEDEC迷你SMA / SOD- 123 。
-Terminals :每MIL -STD- 750,方法
2026.
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.018克约。
尺寸以英寸(毫米)
0.028 ( 0.70 )典型值。
0.067(1.70)
0.051(1.30)
0.028 ( 0.70 )典型值。
最大额定值
(在T = 25 ° C除非另有说明)
A
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
正向电压@I
F
=2.0A
正向整流电流
正向浪涌电流, 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25
C
@T
A
=125
C
O
O
符号
CDBM
CDBM
CDBM
CDBM CDBM CDBM CDBM
220-G
20
14
20
230-G
30
21
30
0.50
2.0
50
0.5
10
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
240-G
40
28
40
250-G
50
35
50
260-G
60
42
60
280-G
80
56
80
2100-G
100
70
100
单位
V
V
V
V
A
A
mA
O
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
I
R
0.70
0.85
典型值。热阻,结到环境空气
典型值。二极管结电容(注1 )
工作结温
储存温度
注1 : F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
85
160
-55到+150
-65到+175
C / W
pF
O
C
C
O
REV :C
QW-BB008
第1页
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
评级和特性曲线( CDBM220 -G直通。 CDBM2100 -G )
图1反向特性
100
图2典型正向特性
100
I
F
,正向电流(A)
I
R
,反向漏电流(mA)
10
10
B
CD
2
M2
0-G
D
~C
24
BM
0-G
0-G
-G
CD
25
BM
0-G
~
-
26
BM
CD
1
T
J
=75
O
C
1
C
M2
DB
80
-G
~
21
BM
CD
00
0.1
T
J
=25 C
O
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度300μS
1 %占空比
O
0.01
0
40
80
120
160
200
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1999额定峰值反向电压百分比(% )
V
F
,正向电压( V)
图3结电容
700
600
500
400
300
200
100
0
0.01
f=1MHz
应用4VDC
反向电压
图4电流降额曲线
1.4
1.2
1.0
0.8
CD
CD
I
O
,平均正向电流( A)
C
J
,结电容(pF )
22
BM
25
BM
0.6
0.4
0.2
0
20
~2
0 -G
40
-G
1
~2
0-G
00
-G
0.1
1
10
100
40
60
80
100
120
140
160
V
R
,反向电压(V)的
T
A
,环境温度( ° C)
图5非重复性转发
浪涌电流
50
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
O
40
30
20
10
0
1
10
100
循环次数在60Hz
REV :C
QW-BB008
第2页
COMCHIP科技有限公司。