SMD肖特基势垒二极管
SMD二极管专家
CDBER42/43
指令（RoHS设备）
IO = 200毫安
V
R
= 30伏
特点
低正向电压。
设计用于安装在小面。
超薄/无铅封装。
多数载流子传导。
0.034(0.85)
0.026(0.65)
0503(1308)
0.053(1.35)
0.045(1.15)
机械数据
案例： 0503 （ 1308 ）标准封装，
模压塑料。
端子：镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
极性：由阴极频带指示。
安装位置：任意
重量： 0.002克（约） 。
0.022 （ 0.55 ）典型值。
0.016 （ 0.40 ）典型值。
0.030(0.75)
0.024(0.60)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
O
参数
峰值反向电压
反向电压
RMS反向电压
正向平均整流电流
重复峰值正向电流
正向电流，浪涌峰值
功耗
热阻结
到周围的空气
储存温度
结温
条件
符号最小典型最大单位
V
RM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FRM
30
30
21
200
0.5
4
150
667
-55
+125
+125
V
V
V
mA
A
A
mW
O
8.3ms单一正弦半波叠加
在负荷率（ JEDEC的方法）
I
FSM
P
D
R
JA
C / W
O
T
英镑
T
j
O
C
C
O
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
正向电压
CDBER42/43
CDBER42
CDBER42
CDBER43
CDBER43
I
F
= 200毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 25V
F = 1 MHz和1伏的反向电压
I
F
=I
R
= 10毫安， IRR = 0.1xIR ， RL =100Ω
条件
符号最小典型最大单位
V
F
1
0.4
0.65
0.33
0.45
0.5
10
5
V
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
R
C
T
T
rr
uA
pF
nS
REV ：一
QW-A1091
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COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒二极管
CDBER42/43
I
o
= 200毫安
V
R
= 30伏
器件符合RoHS
特点
- 低正向电压。
-Designed于安装在小面。
-Extremely薄/无铅封装。
-Majority载流子传导。
0.034(0.85)
0.026(0.65)
0503/SOD-723F
0.053(1.35)
0.045(1.15)
机械数据
-Case ： 0503 / SOD- 723F标准封装，
模压塑料。
-Terminals ：镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
0.022 （ 0.55 ）典型值。
0.016 （ 0.40 ）典型值。
0.030(0.75)
0.024(0.60)
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.002克（约） 。
O
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
峰值反向电压
反向电压
RMS反向电压
正向平均整流电流
重复峰值正向电流
正向电流，浪涌峰值
功耗
热阻结
到周围的空气
储存温度
结温
O
条件
符号最小典型最大单位
V
RM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FRM
30
30
21
200
0.5
4
150
667
-55
+125
+125
V
V
V
mA
A
A
mW
O
8.3ms单一正弦半波叠加
在负荷率（ JEDEC的方法）
I
FSM
P
D
R
JA
C / W
O
T
英镑
T
j
C
C
O
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
正向电压
CDBER42/43
CDBER42
CDBER42
CDBER43
CDBER43
I
F
= 200毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 25V
F = 1 MHz和1伏的反向电压
I
F
=I
R
= 10毫安， IRR = 0.1xIR ， RL =100Ω
条件
符号最小典型最大单位
V
F
1
0.4
0.65
0.33
0.45
0.5
10
5
V
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
R
C
T
T
rr
uA
pF
nS
REV ： B
QW-A1091
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