添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1103页 > CD74HCT670MT
CD54HC670 , CD74HC670 ,
CD74HCT670
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS195C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4×4寄存器文件
描述
的“ HC670和CD74HCT670是16位寄存器文件
组织成4个字×4位的每一个。读写地址
和使能输入允许同时写入到一个位置
而另一种阅读。提供了四个数据输入到存储
4位字。写地址输入( WA0和WA1 )
判断在所述寄存器中存储的字的位置。
当写使能(WE )是低字被输入到
地址位置,它仍然是透明的数据。该
输出将反映输入数据的真实形态。当(WE)
在高数据和地址输入被禁止。数据采集
从四个寄存器使得可以由读出地址
输入( RA1和RA0 ) 。被寻址的字出现在
输出时,读使能(RE)是低的。的输出是在
当( RE),高阻抗状态是高。输出可
系在一起,以增加字长为512 ×4位。
特点
[ /标题
(CD74H
C670,
CD74H
CT670)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
4×4稳压
存器
同时和独立的读写
操作
可扩展到512个字n位
三态输出
组织为4字× 4位宽
缓冲输入
典型读取时间= 16ns内的“ HC670 V
CC
= 5V ,C
L
=
15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC670F3A
CD74HC670E
CD74HC670M
CD74HC670MT
CD74HC670M96
CD74HCT670E
CD74HCT670M
CD74HCT670MT
CD74HCT670M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC670
( CERDIP )
CD74HC670 , CD74HCT670
( PDIP , SOIC )
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
RA1 4
RA0 5
Q3 6
Q2 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 WA0
13 WA1
12我们
11 RE
10 Q0
9 Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
工作原理图
15
D0
D1
D2
D3
WE
RE
RA1
RA0
WA0
WA1
4
5
14
13
1
2
3
12
11
10
9
7
6
Q0
Q1
Q2
Q3
写模式选择表
输入
操作
模式
写数据
WE
L
L
数据锁存
注意:
1.写地址( WA0和WA1 ),以“内部锁存器”必须
是稳定的,而WE为低电平为常规操作。
H
D
N
L
H
X
国内
锁存器
(注1 )
L
H
没有变化
注意:
读取模式选择表
输入
操作
模式
国内
锁存器
(注2 )
L
H
X
产量
Q
N
L
H
(Z)
RE
L
L
H
2. “内部锁存器”由读地址的选择( RA0和
RA1 )不是由我们或再操作限制。
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗“关闭”状态
2
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
(注4 )
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
WE
WA0
WA1
RE
数据
RA0
RA1
单位负载
0.3
0.2
0.4
1.5
0.15
0.4
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
建立时间
数据WE
写信给我们
t
SU
, t
h
2
4.5
6
保持时间
数据WE
写信给我们
t
H
, t
W
2
4.5
6
脉冲宽度WE
t
W
2
4.5
6
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
LATCH
2
4.5
6
HCT类型
建立时间
数据WE
保持时间
数据WE
写信给我们
建立时间
写信给我们
脉冲宽度WE
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
SU
, t
h
t
H
, t
W
4.5
12
-
-
15
-
-
18
-
-
ns
60
12
10
5
5
5
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
5
5
5
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
5
5
5
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
t
SU
t
W
t
LATCH
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
4.5
4.5
20
25
-
-
-
-
25
31
-
-
-
-
30
38
-
-
-
-
ns
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
读取任何字
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
-
21
-
195
39
-
33
250
50
-
43
-
-
-
-
-
-
-
-
245
49
-
42
315
63
-
54
-
-
-
-
-
-
-
-
295
59
-
50
375
75
-
64
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写使能到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC670 , CD74HC670 ,
CD74HCT670
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS195C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4×4寄存器文件
描述
的“ HC670和CD74HCT670是16位寄存器文件
组织成4个字×4位的每一个。读写地址
和使能输入允许同时写入到一个位置
而另一种阅读。提供了四个数据输入到存储
4位字。写地址输入( WA0和WA1 )
判断在所述寄存器中存储的字的位置。
当写使能(WE )是低字被输入到
地址位置,它仍然是透明的数据。该
输出将反映输入数据的真实形态。当(WE)
在高数据和地址输入被禁止。数据采集
从四个寄存器使得可以由读出地址
输入( RA1和RA0 ) 。被寻址的字出现在
输出时,读使能(RE)是低的。的输出是在
当( RE),高阻抗状态是高。输出可
系在一起,以增加字长为512 ×4位。
特点
[ /标题
(CD74H
C670,
CD74H
CT670)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
4×4稳压
存器
同时和独立的读写
操作
可扩展到512个字n位
三态输出
组织为4字× 4位宽
缓冲输入
典型读取时间= 16ns内的“ HC670 V
CC
= 5V ,C
L
=
15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC670F3A
CD74HC670E
CD74HC670M
CD74HC670MT
CD74HC670M96
CD74HCT670E
CD74HCT670M
CD74HCT670MT
CD74HCT670M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC670
( CERDIP )
CD74HC670 , CD74HCT670
( PDIP , SOIC )
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
RA1 4
RA0 5
Q3 6
Q2 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 WA0
13 WA1
12我们
11 RE
10 Q0
9 Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
工作原理图
15
D0
D1
D2
D3
WE
RE
RA1
RA0
WA0
WA1
4
5
14
13
1
2
3
12
11
10
9
7
6
Q0
Q1
Q2
Q3
写模式选择表
输入
操作
模式
写数据
WE
L
L
数据锁存
注意:
1.写地址( WA0和WA1 ),以“内部锁存器”必须
是稳定的,而WE为低电平为常规操作。
H
D
N
L
H
X
国内
锁存器
(注1 )
L
H
没有变化
注意:
读取模式选择表
输入
操作
模式
国内
锁存器
(注2 )
L
H
X
产量
Q
N
L
H
(Z)
RE
L
L
H
2. “内部锁存器”由读地址的选择( RA0和
RA1 )不是由我们或再操作限制。
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗“关闭”状态
2
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
(注4 )
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
WE
WA0
WA1
RE
数据
RA0
RA1
单位负载
0.3
0.2
0.4
1.5
0.15
0.4
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
建立时间
数据WE
写信给我们
t
SU
, t
h
2
4.5
6
保持时间
数据WE
写信给我们
t
H
, t
W
2
4.5
6
脉冲宽度WE
t
W
2
4.5
6
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
LATCH
2
4.5
6
HCT类型
建立时间
数据WE
保持时间
数据WE
写信给我们
建立时间
写信给我们
脉冲宽度WE
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
SU
, t
h
t
H
, t
W
4.5
12
-
-
15
-
-
18
-
-
ns
60
12
10
5
5
5
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
5
5
5
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
5
5
5
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
t
SU
t
W
t
LATCH
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
4.5
4.5
20
25
-
-
-
-
25
31
-
-
-
-
30
38
-
-
-
-
ns
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
读取任何字
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
-
21
-
195
39
-
33
250
50
-
43
-
-
-
-
-
-
-
-
245
49
-
42
315
63
-
54
-
-
-
-
-
-
-
-
295
59
-
50
375
75
-
64
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写使能到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC670 , CD74HC670 ,
CD74HCT670
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS195C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4×4寄存器文件
描述
的“ HC670和CD74HCT670是16位寄存器文件
组织成4个字×4位的每一个。读写地址
和使能输入允许同时写入到一个位置
而另一种阅读。提供了四个数据输入到存储
4位字。写地址输入( WA0和WA1 )
判断在所述寄存器中存储的字的位置。
当写使能(WE )是低字被输入到
地址位置,它仍然是透明的数据。该
输出将反映输入数据的真实形态。当(WE)
在高数据和地址输入被禁止。数据采集
从四个寄存器使得可以由读出地址
输入( RA1和RA0 ) 。被寻址的字出现在
输出时,读使能(RE)是低的。的输出是在
当( RE),高阻抗状态是高。输出可
系在一起,以增加字长为512 ×4位。
特点
[ /标题
(CD74H
C670,
CD74H
CT670)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
4×4稳压
存器
同时和独立的读写
操作
可扩展到512个字n位
三态输出
组织为4字× 4位宽
缓冲输入
典型读取时间= 16ns内的“ HC670 V
CC
= 5V ,C
L
=
15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC670F3A
CD74HC670E
CD74HC670M
CD74HC670MT
CD74HC670M96
CD74HCT670E
CD74HCT670M
CD74HCT670MT
CD74HCT670M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC670
( CERDIP )
CD74HC670 , CD74HCT670
( PDIP , SOIC )
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
RA1 4
RA0 5
Q3 6
Q2 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 WA0
13 WA1
12我们
11 RE
10 Q0
9 Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
工作原理图
15
D0
D1
D2
D3
WE
RE
RA1
RA0
WA0
WA1
4
5
14
13
1
2
3
12
11
10
9
7
6
Q0
Q1
Q2
Q3
写模式选择表
输入
操作
模式
写数据
WE
L
L
数据锁存
注意:
1.写地址( WA0和WA1 ),以“内部锁存器”必须
是稳定的,而WE为低电平为常规操作。
H
D
N
L
H
X
国内
锁存器
(注1 )
L
H
没有变化
注意:
读取模式选择表
输入
操作
模式
国内
锁存器
(注2 )
L
H
X
产量
Q
N
L
H
(Z)
RE
L
L
H
2. “内部锁存器”由读地址的选择( RA0和
RA1 )不是由我们或再操作限制。
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗“关闭”状态
2
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
(注4 )
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
WE
WA0
WA1
RE
数据
RA0
RA1
单位负载
0.3
0.2
0.4
1.5
0.15
0.4
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
建立时间
数据WE
写信给我们
t
SU
, t
h
2
4.5
6
保持时间
数据WE
写信给我们
t
H
, t
W
2
4.5
6
脉冲宽度WE
t
W
2
4.5
6
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
LATCH
2
4.5
6
HCT类型
建立时间
数据WE
保持时间
数据WE
写信给我们
建立时间
写信给我们
脉冲宽度WE
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
SU
, t
h
t
H
, t
W
4.5
12
-
-
15
-
-
18
-
-
ns
60
12
10
5
5
5
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
5
5
5
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
5
5
5
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
t
SU
t
W
t
LATCH
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
4.5
4.5
20
25
-
-
-
-
25
31
-
-
-
-
30
38
-
-
-
-
ns
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
读取任何字
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
-
21
-
195
39
-
33
250
50
-
43
-
-
-
-
-
-
-
-
245
49
-
42
315
63
-
54
-
-
-
-
-
-
-
-
295
59
-
50
375
75
-
64
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写使能到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC670 , CD74HC670 ,
CD74HCT670
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS195C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4×4寄存器文件
描述
的“ HC670和CD74HCT670是16位寄存器文件
组织成4个字×4位的每一个。读写地址
和使能输入允许同时写入到一个位置
而另一种阅读。提供了四个数据输入到存储
4位字。写地址输入( WA0和WA1 )
判断在所述寄存器中存储的字的位置。
当写使能(WE )是低字被输入到
地址位置,它仍然是透明的数据。该
输出将反映输入数据的真实形态。当(WE)
在高数据和地址输入被禁止。数据采集
从四个寄存器使得可以由读出地址
输入( RA1和RA0 ) 。被寻址的字出现在
输出时,读使能(RE)是低的。的输出是在
当( RE),高阻抗状态是高。输出可
系在一起,以增加字长为512 ×4位。
特点
[ /标题
(CD74H
C670,
CD74H
CT670)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
4×4稳压
存器
同时和独立的读写
操作
可扩展到512个字n位
三态输出
组织为4字× 4位宽
缓冲输入
典型读取时间= 16ns内的“ HC670 V
CC
= 5V ,C
L
=
15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC670F3A
CD74HC670E
CD74HC670M
CD74HC670MT
CD74HC670M96
CD74HCT670E
CD74HCT670M
CD74HCT670MT
CD74HCT670M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC670
( CERDIP )
CD74HC670 , CD74HCT670
( PDIP , SOIC )
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
RA1 4
RA0 5
Q3 6
Q2 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 WA0
13 WA1
12我们
11 RE
10 Q0
9 Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
工作原理图
15
D0
D1
D2
D3
WE
RE
RA1
RA0
WA0
WA1
4
5
14
13
1
2
3
12
11
10
9
7
6
Q0
Q1
Q2
Q3
写模式选择表
输入
操作
模式
写数据
WE
L
L
数据锁存
注意:
1.写地址( WA0和WA1 ),以“内部锁存器”必须
是稳定的,而WE为低电平为常规操作。
H
D
N
L
H
X
国内
锁存器
(注1 )
L
H
没有变化
注意:
读取模式选择表
输入
操作
模式
国内
锁存器
(注2 )
L
H
X
产量
Q
N
L
H
(Z)
RE
L
L
H
2. “内部锁存器”由读地址的选择( RA0和
RA1 )不是由我们或再操作限制。
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗“关闭”状态
2
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
(注4 )
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
WE
WA0
WA1
RE
数据
RA0
RA1
单位负载
0.3
0.2
0.4
1.5
0.15
0.4
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54HC670 , CD74HC670 , CD74HCT670
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
建立时间
数据WE
写信给我们
t
SU
, t
h
2
4.5
6
保持时间
数据WE
写信给我们
t
H
, t
W
2
4.5
6
脉冲宽度WE
t
W
2
4.5
6
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
LATCH
2
4.5
6
HCT类型
建立时间
数据WE
保持时间
数据WE
写信给我们
建立时间
写信给我们
脉冲宽度WE
锁定时间,我们到RA0 ,
RA1
t
SU
, t
h
t
H
, t
W
4.5
12
-
-
15
-
-
18
-
-
ns
60
12
10
5
5
5
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
13
5
5
5
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
5
5
5
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
t
SU
t
W
t
LATCH
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
4.5
4.5
20
25
-
-
-
-
25
31
-
-
-
-
30
38
-
-
-
-
ns
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
读取任何字
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
-
-
21
-
195
39
-
33
250
50
-
43
-
-
-
-
-
-
-
-
245
49
-
42
315
63
-
54
-
-
-
-
-
-
-
-
295
59
-
50
375
75
-
64
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写使能到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
查看更多CD74HCT670MTPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT670MT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
CD74HCT670MT
TI
24+
82800
原厂封装
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HCT670MT
TIS
24+
8420
SOIC16
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT670MT
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT670MT
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
CD74HCT670MT
TI
24+
1001
SOP-16
★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CD74HCT670MT
Texas Instruments
21+
12720
16-SOIC(0.154
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
CD74HCT670MT
TI
22+
3250
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
CD74HCT670MT
TIS
2024+
9675
SOIC16
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:962800405 复制 点击这里给我发消息 QQ:475055463 复制 点击这里给我发消息 QQ:545433074 复制
电话:0755-83223957 83247340
联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
CD74HCT670MT
Texas Instruments
23+
7430
16-SOIC
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CD74HCT670MT
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8340
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CD74HCT670MT供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!