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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第499页 > CD74HCT365M96
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ，
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器，而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入（ OE1和OE2 ），这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快，功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 ， ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转，即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路，但有速度媲美
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 ， CD54HCT365 ， CD54HC366
（ CERDIP ）
CD74HC365 ， CD74HCT365 ， CD74HC366
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
功能图
HC365 ， HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注：逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 （产出HC / HCT365是衡量这些补充
示，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注2 ）
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ，
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器，而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入（ OE1和OE2 ），这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快，功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 ， ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转，即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路，但有速度媲美
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 ， CD54HCT365 ， CD54HC366
（ CERDIP ）
CD74HC365 ， CD74HCT365 ， CD74HC366
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
功能图
HC365 ， HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注：逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 （产出HC / HCT365是衡量这些补充
示，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注2 ）
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ，
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器，而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入（ OE1和OE2 ），这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快，功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 ， ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转，即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路，但有速度媲美
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 ， CD54HCT365 ， CD54HC366
（ CERDIP ）
CD74HC365 ， CD74HCT365 ， CD74HC366
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
功能图
HC365 ， HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注：逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 （产出HC / HCT365是衡量这些补充
示，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注2 ）
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
5
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ，
CD54/74HC366
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS180C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC365和' HCT365都是非反相缓冲器，而
的“ HC366是一个反相缓冲器。这些装置具有两个
三态控制输入（ OE1和OE2 ），这是接异
共同控制所有六个门。
在“ HCT365逻辑系列是速度快，功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC365
,
CD74
HCT36
5,
CD74
HC366
,
CD74
HCT36
6)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC365F3A
CD54HC366F3A
CD54HCT365F3A
CD74HC365E
CD74HC365M
CD74HC365MT
CD74HC365M96
CD74HC366E
CD74HC366M
CD74HC366M96
CD74HCT365E
CD74HCT365M
CD74HCT365MT
CD74HCT365M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC365 ， ' HCT365和” HC366硅栅CMOS三
态缓冲器是通用的高速非反相
和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出
这使高速运转，即使开车时大
总线电容。这些电路具有低功率
功耗CMOS电路，但有速度媲美
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和真实的。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC365 ， CD54HCT365 ， CD54HC366
（ CERDIP ）
CD74HC365 ， CD74HCT365 ， CD74HC366
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
(1Y) 1Y 3
2A 4
(2Y) 2Y 5
3A 6
(3Y) 3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y (6Y)
12 5A
11 5Y (5Y)
10 4A
9 4Y (4Y)
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
功能图
HC365 ， HCT365
1
HC366
OE1
1
16
V
CC
OE1
16
V
CC
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1A
2
3
15
14
OE2
6A
1Y
1Y
2A
4
13
6Y
2A
4
13
6Y
2Y
5
6
12
5A
2Y
5
6
12
5A
3A
7
11
10
5Y
3A
7
11
10
5Y
3Y
4A
9
3Y
4A
9
GND
8
4Y
GND
8
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
X
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
输入
OE1
L
L
X
H
OE2
L
L
H
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
2A
5
2Y
13
6Y
注：逆变器不包括在HC / HCT365 。
图1.逻辑框图中的HC / HCT365和HC366 （产出HC / HCT365是衡量这些补充
示，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC365 ， CD54 / 74HCT365 ， CD54 / 74HC366
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注2 ）
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5.0
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
V
O
=
V
CC
or
GND
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络连接的阳离子 - HC / HCT365
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT365
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
22
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
5
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推荐型号
CD771290OY
CTMC1210-270K
CY74FCT163H374
CB2HFA5115533290653
CL31B104KCFNNNE
COP8SGG644N9
CL-150YG
C0603CH1H2R2C030BA
CO27VS09DF-02-10.000
CB1ZMU4615533290653
CY7C199CNL-15VXC
CD4066
CAT93C4622
C-117-10T
CD6293
CAT1640WI-25-GT3
CY7C1257V18-300BZXI
CAT25C09YI-1.8TE13
CY37384VP48-83YXC
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT365M96
    -
    -
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