CD4066BMS
1992年12月
CMOS四路双向开关
描述
CD4066BMS是一款四双边开关意为
传输或模拟或数字信号的复用。这是
引脚对引脚与CD4016B兼容，但呈现出多
较低的开态电阻。此外，通态电阻
是相对恒定的，在整个输入信号范围。
该CD4066BMS由四个独立的双边
开关。一个控制信号，每个开关是必需的。两
在一个给定的开关的p和n个器件被偏置打开或关闭
通过同时控制信号。如图1 ，
每个交换机上的N沟道器件的阱要么绑
到输入时，开关导通或到VSS的切换时
是关闭的。这种配置消除了开关的变化
晶体管的阈值电压与输入信号，从而保持
的通态电阻低，在整个工作信号
范围内。
在单信道交换机的优点包括高峰
输入信号的电压摆幅等于全供电电压，
更恒定导通阻抗状态对输入信号
范围内。用于采样和保持的应用程序，然而，
CD4016B建议。
该CD4066BMS在这些14引脚外形封装提供
年龄：
钎焊密封DIP
H4Q
熔接密封DIP
H1B
陶瓷扁平H3W
特点
对于多路模拟或数字传输或
信号的
高电压类型（ 20V额定值）
15V或数字
±7.5V
峰 - 峰值开关
125Ω的典型导通电阻的15V操作
开关导通状态电阻匹配在5Ω
在15V信号输入范围
导通电阻平坦，全峰 - 峰值显
最终范围
高开/关输出电压比
- 80分贝典型。在FIS = 10kHz时， RL = 1kΩ的
高线性度： <0.5 ％失真典型。在
FIS = 1kHz时， VIS = 5Vp -P ， VDD - VSS
≥
10V ，RL = 10kΩ的
极低的关态漏电开关致使
极低的失调电流和高效关闭状态
阻力： 10pA的典型。在VDD - VSS = 10V ，T
A
= +25
o
C
极高的控制输入阻抗（控制税务局局长
CUIT从信号电路隔离） ： 10
12
典型值。
交换机之间的低串扰： -50dB典型值。在FIS =
为8MHz ，RL = 1kΩ的
匹配
控制
输入
to
信号
产量
电容式：减少输出信号的瞬态
频率响应，接通= 40MHz的（典型值）。
100 ％测试静态电流为20V
5V ， 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
引脚
CD4066BMS
顶视图
IN / OUT A 1
OUT / IN A 2
14 VDD
13 CONT一
12 CONT
11 IN / OUT
10 OUT / D中
9 OUT / IN C
8 IN / OUT
应用
模拟信号开关/多路复用
- 门控信号
- 调制器
- 静噪控制
- 解调器
- 斩波
- 换向开关
数字信号切换/复用
传输门逻辑实现
模拟到数字&数字到模拟的转换
数字控制频率，阻抗，相位和
模拟信号增益
OUT / IN B 3
IN / OUT B 4
CONT B 5
CONT C 6
VSS 7
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3319
7-966
特定网络阳离子CD4066BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VC = VDD和GND
3
1
2
3
输入漏电流
IIH
VC = VDD和GND
1
2
3
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZL
VC = 0V ， VIS = 18V ，
VOS = 0V ， VIS = 0V ，
VOS = 18V
VDD = 20
1
2
VDD = 18V
IOZH
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
抗性
RON5
RON10
RON15
抗性
RON5
VC = VDD ， RL = 10kW的VDD = 5V
回到VDD -
VDD = 10V
VSS/2
VDD = 15V
可见= VSS至VDD
VDD = 5V
3
1
1
1
1, 2
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
抗性
RON10
VDD = 10V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
抗性
RON15
VDD = 15V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
实用
（注3）
F
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
开关阈值
RL = 100K到VDD
N门限电压
P阈值电压
SWTHRH5 VDD = 5V ，VC = 1.5V ， VIS = GND
SWTHRH15 VDD = 15V ，VC = 2V ， VIS = GND
VNTH
VPTH
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
4.1
14.1
-2.8
0.7
-
-
-0.7
2.8
V
V
V
V
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
1050
400
240
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
50
0.5
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
1300
800
550
310
320
220
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
7-967
特定网络阳离子CD4066BMS
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
-
最大
1
2
单位
V
V
参数
控制输入为低
电压（注2 ）
| IIS | < 10μA ， VIS = VSS ，
VOS = VDD和
可见= VDD ， VOS = VSS
控制输入高
电压
（注2 ，图2）
VIS = VSS和VIS =
VDD
符号
VILC5
VILC15
条件
（注1 ）
VDD = 5V
VDD = 15V
VIHC
VDD = 5V ， | IIS | = 0.51毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.36毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.64毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
1
2
3
1
2
3
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
3.5
3.5
3.5
11
11
11
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
VIHC
VDD = 15V ， | IIS | = 3.4毫安， 13.5V <
VOS <1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 2.4毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 4.2毫安， 13.5V <
VOS <1.5V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3. VDD = 2.8V / 3.0V ， RL = 100K到VDD
VDD = 20V / 18V ， RL = 10K到VDD
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
40
54
70
95
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
信号输入信号
产量
传播延迟
导通，关断
注意事项：
符号
TPLH
的TPH1
条件
VC = VDD = 5V ， VSS = GND
（注2,3）
TPHZ / ZH VIS = VDD = 5V （注1,2 ）
TPLZ / ZL
1， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
控制输入为低
电压
| IIS | < 10μA ， VIS = VSS ，
VOS = VDD和
可见= VDD ， VOS = VSS
VILC10
VDD = 10V
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.25
7.5
0.5
15
0.5
30
2
单位
A
A
A
A
A
A
V
7-968
特定网络阳离子CD4066BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
控制输入高
电压（参见图2）
传播延迟
信号输入到
信号输出
传播延迟
导通，关断
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
符号
VIHC10
TPLH
的TPH1
条件
VDD = 10V ， VIS = VDD和GND
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
7
-
-
-
-
-
最大
-
20
15
40
30
7.5
单位
V
ns
ns
ns
ns
pF
TPHZ / ZH VDD = 10V
TPLZ / ZL
VDD = 15V
CIN
任何输入
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - SSI
抗性
符号
国际直拨电话
RONDEL10
±0.1A
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
7-969
特定网络阳离子CD4066BMS
表6.适用子群
（续）
符合的集团
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
读取并记录
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态BURN- IN 1 （注1 ）
静态BURN- IN 2 （注1 ）
动态BURN -IN （注1 ）
照射（注2 ）
注意：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败， VDD
= 10V
±
0.5V
开放
2, 3, 9, 10
2, 3, 9, 10
-
2, 3, 9, 10
地
1, 4-8, 11-13
7
7
7
VDD
14
1, 4-6, 8, 11-14
14
1, 4-6, 8, 11-14
2, 3, 9, 10
5, 6, 12, 13
1, 4, 8, 11
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
工作原理图
真值表每个开关
IN / OUT
SIG一个
输出/输入
2
1
SW
A
13
对照A
14
VDD
输入
VC
1
1
VIS
0
1
0
1
产量
VOS
0
1
开放
开放
输出/输入
SIG B
IN / OUT
3
SW
D
12
对照物D
0
0
4
SW
B
11
IN / OUT
SIG
控制B
5
10
输出/输入
正逻辑：打开VC = “ 1 ”
开关OFF VC = “ 0 ”
对照C
6
SW
C
9
输出/输入
SIG
VSS
7
8
IN / OUT
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确的
可靠。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
970
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
15 - V数字或
±7.5-V
峰 - 峰值
开关
125 Ω典型导通电阻为15 -V
手术
开关导通状态电阻匹配
在5
在15 -V信号输入范围
导通电阻平坦，全
峰 - 峰值信号范围
高开/关输出电压比： 80分贝
典型在f
is
= 10千赫，R
L
= 1 k
高线性度： <0.5 ％失真
典型在f
is
= 1千赫，V
is
= 5 V P-P ，
V
DD
– V
SS
≥
10 V ，R
L
= 10 k
极低的关闭状态漏电开关，
导致极低的失调电流和
高效断态电阻： 10 pA的
典型的V
DD
– V
SS
= 10 V ，T
A
= 25°C
极高的控制输入阻抗
（控制电路隔离与信号
电路） ： 10
12
典型
交换机之间的低串扰： -50分贝
典型在f
is
= 8兆赫，R
L
= 1 k
D
D
D
D
D
D
匹配的控制，输入到信号输出
电容式：减少输出信号
瞬变
频率响应，开关通= 40 MHz的
典型
100 ％测试静态电流为20 V
5 -V ， 10 - V和15 -V的参数等级
符合JEDEC暂定的所有要求
标准第13号-B ，
标准规格
为“B”系列CMOS描述
器件
应用范围：
- 模拟信号开关/多路复用：
信号选通，调制器，静噪
控制，解调器，斩波器，
换向开关
数字信号切换/复用
- 传输门逻辑实现
- 模拟 - 数字和数字 - 模拟
转变
- 频率的数字控制，阻抗，
相，和模拟信号增益
E， F，M ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
SIG A IN / OUT
SIG A OUT / IN
SIG B OUT / IN
SIG B IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
对照A
对照物D
SIG D IN / OUT
SIG D OUT / IN
SIG C OUT / IN
SIG C IN / OUT
描述/订购信息
该CD4066B是四双向开关用于模拟或数字信号的传输或多路复用。
它是针对引脚与CD4016B兼容，但是表现出低得多的导通状态电阻。此外，该
通态电阻是比较恒定的，在整个信号输入范围。
该CD4066B由四个双边开关，每个独立的控制。既在p和n器件
在一个给定的开关被偏置打开或关闭同时由所述控制信号。如示于图1的井
各交换机的n沟道器件是依赖于任一输入端（当开关导通时），或者到V
SS
（下转时，
是关闭的） 。这种结构消除了开关晶体管的阈值电压与输入信号和变型中，
因此，保持导通状态电阻低，在整个工作信号范围。
在单信道交换机的优点包括峰值输入信号的电压摆幅等于全供应
电压和更恒定的导通阻抗状态，在输入信号范围。然而，对于采样和保持
应用中， CD4016B建议。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
CDIP - F
PDIP - ê
SOIC - M
SOP - NS
TSSOP - PW
包装
25管
25管
50管
–55°C 125°C
-55℃至125℃
2500卷
250的卷轴
2000年卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
CD4066BF3A
CD4066BE
CD4066BM
CD4066BM96
CD4066BMT
CD4066BNSR
CD4066BPW
CD4066BPWR
CD4066B
CM066B
CD4066BM
TOP- SIDE
记号
CD4066BF3A
CD4066BE
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
开关
控制
In
VIS
p
n
p
n
OUT
VOS
控制
VC =
n
VSS
VDD
VSS
所有的控制输入由CMOS防护网保护。
注意事项： A.所有的P衬底连接到VDD 。
B.正常操作控制线偏置：开关（逻辑1 ） ， VC = VDD ;关闭（逻辑0） ，VC = VSS
C.信号电平范围：VSS
≤
VIS
≤
VDD
92CS-29113
的一对四的相同开关图1.原理图和相关的控制电路
2
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CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
直流电源电压范围，V
DD
（电压参考V
SS
终奌站） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5到20V
输入电压范围，V
is
（所有输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+
0.5 V
直流输入电流，I
IN
（任何一个输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ： E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
引线温度（焊接时） ：
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59
±
0,79毫米）的情况下， 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VDD
TA
电源电压
工作自由空气的温度
3
–55
最大
18
125
单位
V
°C
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3
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性
限制了指定温度
参数
测试条件
VIN
(V)
0, 5
国际直拨电话
静态器件
当前
0, 10
0, 15
0, 20
信号输入（ VIS）和输出（ VOS）
VC = VDD ，
k
RL = 10千回
V
DD
*
V
SS
to
,
2
可见= VSS至VDD
导通状态电阻
区别
任意两台主机
总谐波
失真
-3 - dB截止
频率
（开关）
-50 dB的馈通
频率（关闭）
IIS
输入/输出泄漏
当前（关闭）
（最大）
-50 dB的串扰
频率
5
10
15
5
RL = 10 kΩ的，VC = VDD
k
10
15
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，
VIS （ P-P ） = 5 V（集中在0 V正弦波）
RL = 10 kΩ的， FIS = 1 - kHz正弦波
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = 0 V ，可见= 18 V，沃斯= 0 V ;
和
VC = 0 V ，可见= 0 V ，沃斯= 18 V
VC （ A） = VDD = 5 V ，
VC （ B） = VSS = -5V ，
VIS （ A） = 5 Vp-p的， 50 Ω源，
RL = 1 kΩ的
RL = 200 kΩ的，VC = VDD ，
VSS = GND ， CL = 50 pF的，
VIS = 10 V
（方波集中在5 V ） ，
TR ， TF = 20 ns的
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
18
±0.1
±0.1
±1
±1
800
310
200
850
330
210
1200
500
300
1300
550
320
470
180
125
15
10
5
0.4
%
1050
400
240
VDD
(V)
5
10
15
20
–55°C
0.25
0.5
1
5
–40°C
0.25
0.5
1
5
85°C
7.5
15
30
150
125°C
7.5
15
30
150
25°C
典型值
0.01
0.01
0.01
0.02
最大
0.25
0.5
1
5
A
A
单位
罗恩
导通状态电阻
（最大）
r
on
r
THD
40
兆赫
1
±10
–5
±0.1
兆赫
A
8
兆赫
5
10
15
20
10
7
8
8
0.5
40
20
15
pF
pF
pF
ns
tPD的
传播延迟
（信号输入到
信号输出）
输入电容
输出电容
穿心
CIS
COS
首席信息官
4
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CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性（续）
限制了指定温度
特征
控制（ VC ）
Vilc
控制输入
低电压（最大）
| iis的| < 10
A,
可见= VSS ， VOS = VDD ，并
可见= VDD ， VOS = VSS
5
10
15
5
VIHC
控制输入
高压
输入电流（最大值）
串音（控制输入
到信号输出）
导通和关断
传播延迟
参见图6
VIS
≤
VDD ， VDD - VSS = 18 V ，
VCC
≤
VDD - VSS
VC = 10V （方波）
TR ， TF = 20纳秒， RL = 10 kΩ的
VIN = VDD ， TR ， TF = 20纳秒，
CL = 50 pF的， RL = 1 kΩ的
可见= VDD ， VSS = GND ，
RL = 1 kΩ到GND ， CL = 50 pF的，
VC = 10V （方波
集中在5 V ） ， TR ， TF = 20纳秒，
沃斯= 1/2沃斯在1 kHz
10
15
IIN
18
10
5
10
15
5
10
15
±0.1
±0.1
1
2
2
1
2
2
1
2
2
3.5 （MIN）
图7（ MIN）的
11 （ MIN ）
±1
±1
±10
–5
50
35
20
15
6
9
9.5
5
7.5
pF
兆赫
70
40
30
ns
±0.1
A
mV
V
1
2
2
1
2
2
V
测试条件
VDD
(V)
–55°C
–40°C
85°C
125°C
25°C
典型值
最大
单位
最大控制输入
重复率
CI
输入电容
开关特性
开关量输入
VDD
(V)
5
5
10
10
15
15
VIS
(V)
0
5
0
10
0
15
IIS（毫安）
–55°C
0.64
–0.64
1.6
–1.6
4.2
–4.2
–40°C
0.61
–0.61
1.5
–1.5
4
–4
25°C
0.51
–0.51
1.3
–1.3
3.4
–3.4
85°C
0.42
–0.42
1.1
–1.1
2.8
–2.8
125°C
0.36
–0.36
0.9
–0.9
2.4
–2.4
13.5
9.5
1.5
4.6
0.5
开关
OUTPUT ，沃斯
(V)
民
最大
0.4
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5
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
CD4066
四路双向开关
描述
在UTC
CD4066
是可以应用于四通道双向开关
为模拟信号和数字信号的切换。当控制
输入装置CONT被设置为“ H”电平，输入和之间的阻抗
开关的输出变低，当它被设置为“L”电平，则
阻抗变高。它具有低得多的“ON”时，耐
和“开”电阻是相对恒定的输入信号
范围内。
CMOS IC
DIP-14
特点
* 15V数字或± 7.5V峰 - 峰值开关
* 85 Ω典型导通电阻的15V操作
*高抗干扰0.45 V
DD
（典型值）。
*匹配“ON”性
R
ON
= 5Ω （典型值）超过15V信号输入
*高线性度0.1 ％失真（典型值）。
@ f
IS
= 1kHz时，V
IS
=5V
P-P
, V
DD
-V
SS
= 5V ，R
L
=10k
*极低的“ OFF” 0.1nA （典型值）。
漏电开关： @ V
DD
-V
SS
= 10V ，T
A
=25°C
*非常高的控制输入阻抗10
12
（典型值）。
*频率响应，开关转到“ON ”的40 MHz （典型值）。
订购信息
订购数量
无铅
CD4066L-D14-T
无卤
CD4066G-D14-T
包
DIP-14
填料
管
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1第8
QW-R502-739.A
CD4066
引脚配置
IN / OUT
输出/输入
输出/输入
1
2
3
14
13
12
V
DD
对照A
对照物D
CMOS IC
IN / OUT
控制B
4
5
11 IN / OUT
10
输出/输入
对照C
V
SS
6
7
9
8
输出/输入
IN / OUT
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚名称
IN / OUT
输出/输入
输出/输入
IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
IN / OUT
输出/输入
输出/输入
IN / OUT
对照物D
对照A
V
DD
描述
信号IN / OUT A
信号OUT / IN A
信号OUT / IN B
信号IN / OUT B
控制B
对照C
地
信号输入/输出C
信号OUT / IN C
信号输出/输入D
信号输入/输出D
对照物D
对照A
电源
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2第8
QW-R502-739.A
CD4066
框图
CMOS IC
IN / OUT
1
SW一
14
V
DD
输出/输入
输出/输入
2
3
13
12
对照A
对照物D
SW
IN / OUT
4
SW B
11
IN / OUT
控制B
5
10
输出/输入
对照C
V
SS
6
SW
7
9 9
8
输出/输入
IN / OUT
原理图
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3 8
QW-R502-739.A
CD4066
绝对最大额定值
(V
SS
= 0V ，除非另有规定）。
参数
电源电压
输入电压
功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
P
D
T
英镑
评级
-0.5~+18
-0.5~ V
CC
+0.5
700
-65~+150
CMOS IC
单位
V
V
mW
°C
推荐工作条件
(V
SS
= 0V ，除非另有规定）。
参数
符号
评级
单位
电源电压
V
DD
3~15
V
输入电压
V
IN
0~V
DD
V
工作温度
T
A
-40~+85
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
DC电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
SS
= 0V ，除非另有规定）。
参数
静态电流器件
SINGAL输入和输出
'ON'性
Δ “ON”时
之间的电阻
任何2 4开关
输入或输出漏电开关“OFF”
控制输入
低电平输入电压
R
ON
R
ON
I
IS
R
L
=10k~(V
DD
-V
SS
/2),
V
CON
=V
DD
,V
SS
~V
DD
R
L
=10k~(V
DD
-V
SS
/2),
V
CC
=V
DD
, V
IS
=V
SS
~V
DD
V
CON
=0
V
DD
=5V
V
DD
=10V
V
DD
=15V
V
DD
=10V
V
DD
=15V
240 1050
120 400
80
240
10
5
±0.1 ±50
2.25
4.5
6.75
2.75
5.5
8.25
1.5
3.0
4.0
nA
符号
I
DD
测试条件
V
DD
=5V
V
IN
=V
DD
V
DD
=10V
V
DD
=15V
民
典型值
0.01
0.01
0.01
最大单位
1.0
A
2.0
4.0
V
ILC
高电平输入电压
输入电流
V
IHC
I
IN
V
DD
=5V
V
IS
=V
SS
和V
DD,
V
OS
=V
DD
和V
SS,
V
DD
=10V
I
IS
=±10A
V
DD
=15V
V
DD
=5V
3.5
V
DD
= 10V （注5 ）
7.0
V
DD
=15V
11.0
V
DD
-V
SS
=15V, V
DD
≥V
IS
≥V
SS,
V
DD
≥V
CON
≥V
SS
V
V
A
±10
-5
±0.3
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4 8
QW-R502-739.A
CD4066
AC电气特性
CMOS IC
(T
A
= 25 ° C，T
R
=t
F
= 20ns的和V
SS
= 0V时，除非另有规定） （注1）
参数
符号
测试条件
最小典型最大单位
V
DD
=5V
25
55
ns
V
CON
=V
DD
, C
L
=5pF,
传播延迟时间信号
t
PHL ，
t
PLH
V
DD
=10V
15
35
ns
R
L
= 200kΩ的（图1）的
V
DD
=15V
10
25
ns
V
DD
=5V
125纳秒
传播延迟时间
R
L
= 1kΩ的，C
L
=50pF,
控制输入信号
t
PZH
, t
PZL
V
DD
=10V
60
ns
（图2 ，3）
输出高阻抗逻辑电平
V
DD
=15V
50
ns
V
DD
=5V
125纳秒
传播延迟时间
R
L
= 1kΩ的，C
L
=50pF,
控制输入信号
t
PHZ ，
t
PLZ
V
DD
=10V
60
ns
（图2 ，3）
输出逻辑电平为高阻抗
V
DD
=15V
50
ns
V
CON
=V
DD
=5V, V
SS
= -5V ，R
L
=10k,
0.1
%
正弦波失真
V
IS
=5V
p-p
中，f = 1kHz时（图4）的
V
CON
=V
DD
=5V, V
SS
= -5V ，R
L
=1k,
频率响应开关“ ON”
20日志
10
(V
OS
/V
IS
)=-3dB,
40
兆赫
（频率在-3dB ）
V
IS
=5.0V
p-p
（图4）的
V
DD
=5.0V, V
CC
=V
SS
=-5.0V,
穿心 - 开关“关”
R
L
= 1KΩ ，V
IS
=5.0V
p-p
,
1.25
兆赫
（频率为-50dB ）
20日志
10
(V
OS
/V
IS
） = - 50分贝（图4）。
任意两个交换机之间的串扰
（频率为-50dB ）
串扰，控制输入信号输出
V
DD
=V
CON （ A）
= 5.0V ，R
L
=1k,
V
SS
=V
CON （ B）
=5.0V, V
为（a ）
=5.0V
p-p
,
20日志
10
(V
操作系统（B）的
/V
为（a ）
） = - 50分贝（图5）。
V
DD
= 10V ，R
L
= 10kΩ的，R
IN
=1k,
V
CC
= 10V方波，
C
L
= 50pF的（图6）中
V
DD
=5V
R
L
= 1kΩ的，C
L
=50pF,
V
OS （ F）
=½ V
OS
(1kHz)
V
DD
=10V
（图7）的
V
DD
=15V
0.9
兆赫
mV
P-
P
150
6
8
8.5
8.0
8.0
0.5
5.0
最大控制输入
信号输入电容
C
IS
信号输出电容
C
OS
V
DD
=10V
穿心电容
C
IOS
V
CON
=0V
控制输入电容
C
IN
7.5
注：1. AC参数由直流保证相关测试。
2.这些设备不能连接到与电源“ON”的电路。
3.在所有的情况下，有大约5 pF的探针和夹具电容，在输出的;然而，这
电容被包含在C中
L
无论它被指定。
4. V
IS
是在输入/输出引脚和V的电压
OS
是在出/电压在引脚。 V
CON
是在控制电压
输入。
5.条件V
IHC
:
A） V
IS
=V
DD
, I
OS
=标准B系列I
OH
B ）V
IS
= 0V时，我
OL
=标准B系列I
OL
兆赫
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
pF
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