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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1411页 > CD74HCT257M96E4
CD54HC257 , CD74HC257 ,
CD54HCT257 , CD74HCT257
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS171D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑四路2输入
多路复用器与三态非反相输出
所有其他的输入条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常用的257的状态
选择输入决定了特定的寄存器从
数据来源。它也可以用作函数发生器。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC257
,
CD74
HCT25
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
2-Input
多路复用器
典型传播延迟(进行输出) =在为12ns
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC257F3A
CD54HCT257F3A
CD74HC257E
CD74HC257M
CD74HC257MT
CD74HC257M96
CD74HCT257E
CD74HCT257M
CD74HCT257MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在“ HC257和” HCT257是四2输入多路复用器
从下两个源中选择4比特数据的
控制的一个公共选择输入(S) 。输出使能
输入( OE )为低电平有效。当OE为高电平的输出,全
看跌期权( 1Y - 4Y )处于高阻抗状态,而不管
CD74HCT257M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC257 , CD54HCT257
( CERDIP )
CD74HC257 , CD74HCT257
( PDIP , SOIC )
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC257 , CD74HC257 , CD54HCT257 , CD74HCT257
工作原理图
OE
S
15
1
4I
1
13
P
N
12
4Y
4I
0
14
3I
1
3I
0
2I
1
2I
0
1I
1
1I
0
10
11
6
5
3
2
3电路相同的电路
在上面DASHED外壳
9
3Y
7
2Y
4
1Y
真值表
产量
启用
OE
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I
0
X
L
H
X
X
I
1
X
X
X
L
H
产量
Y
Z
L
H
L
H
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗,关闭状态
2
CD54HC257 , CD74HC257 , CD54HCT257 , CD74HCT257
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC257 , CD74HC257 , CD54HCT257 , CD74HCT257
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
-
6
6
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
数据
S
OE
单位负载
0.95
3
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC257 , CD74HC257 , CD54HCT257 , CD74HCT257
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
在为Y
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
45
150
30
-
26
175
35
-
30
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
190
38
-
33
220
44
-
37
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
225
45
-
38
265
53
-
45
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
传播延迟
S到
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
传播延迟
OE为Y
t
PLZ
, t
PHZ
,
t
PZL
, t
PZH
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟
在为Y
传播延迟
S到
传播延迟
OE为Y
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
注意事项:
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
13
-
12
-
16
-
-
-
45
33
-
38
-
30
-
12
10
20
-
41
-
48
-
38
-
15
10
20
-
50
-
57
-
45
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
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