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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1558页 > CD74HCT125E
CD54HC125 ， CD74HC125 ，
CD54HCT125 ， CD74HCT125
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS143C
1997年11月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四缓冲器，三态
描述
在“ HC125和” HCT125包含4个独立的三态
缓冲器，每一个都具有自己的输出使能输入端，其中，当
“高”将输出处于高阻抗状态。
特点
三态输出
[ /标题
(CD74
HC125
,
CD74
HCT12
5)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四
缓冲液，
三
状态）
独立的输出使能输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC125F3A
CD54HCT125F3A
CD74HC125E
CD74HC125M
CD74HC125MT
CD74HC125M96
CD74HCT125E
CD74HCT125M
CD74HCT125MT
CD74HCT125M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC125 ， CD54HCT125
（ CERDIP ）
CD74HC125 ， CD74HCT125
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗，关闭状态
诺埃
L
L
H
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
-
6
6
民
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐， NOE
单位负载
1
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟时间
nA至纽约
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
29
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
26
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
关闭延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟时间
nA至纽约
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
10
-
10
-
11
-
-
-
34
25
-
25
-
28
-
12
10
20
-
31
-
31
-
35
-
15
10
20
-
38
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
5
CD54HC125 ， CD74HC125 ，
CD54HCT125 ， CD74HCT125
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS143C
1997年11月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四缓冲器，三态
描述
在“ HC125和” HCT125包含4个独立的三态
缓冲器，每一个都具有自己的输出使能输入端，其中，当
“高”将输出处于高阻抗状态。
特点
三态输出
[ /标题
(CD74
HC125
,
CD74
HCT12
5)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四
缓冲液，
三
状态）
独立的输出使能输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC125F3A
CD54HCT125F3A
CD74HC125E
CD74HC125M
CD74HC125MT
CD74HC125M96
CD74HCT125E
CD74HCT125M
CD74HCT125MT
CD74HCT125M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC125 ， CD54HCT125
（ CERDIP ）
CD74HC125 ， CD74HCT125
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗，关闭状态
诺埃
L
L
H
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
-
6
6
民
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐， NOE
单位负载
1
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC125 ， CD74HC125 ， CD54HCT125 ， CD74HCT125
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟时间
nA至纽约
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
29
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
26
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
关闭延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟时间
nA至纽约
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
10
-
10
-
11
-
-
-
34
25
-
25
-
28
-
12
10
20
-
31
-
31
-
35
-
15
10
20
-
38
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS143
CD74HC125,
CD74HCT125
高速CMOS逻辑
四缓冲器，三态
描述
哈里斯CD74HC125和CD74HCT125包含4个不知疲倦
悬垂的三态缓冲器，每一个都具有自己的输出
使能输入端，其中，当“高”将输出的高
阻抗状态
1997年11月
特点
三态输出
独立的输出使能输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC125
,
CD74
HCT12
5)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四
缓冲液，
三
状态）
订购信息
产品型号
CD74HC125E
CD74HCT125E
CD74HC125M
CD74HCT125M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
号
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
引脚
CD74HC125 ， CD74HCT125
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1771.1
1
CD74HC125 ， CD74HCT125
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗，关闭状态
诺埃
L
L
H
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD74HC125 ， CD74HCT125
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC125 ， CD74HCT125
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
三态泄漏
当前
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
-
6
6
民
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
-
5.5
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐， NOE
单位负载
1
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD74HC125 ， CD74HCT125
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟时间
nA至纽约
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
29
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
26
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
关闭延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注5,6）
HCT类型
传播延迟时间
nA至纽约
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
10
-
10
-
11
-
-
-
34
25
-
25
-
28
-
12
10
20
-
31
-
31
-
35
-
15
10
20
-
38
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注5,6）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
6. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS143
CD74HC125,
CD74HCT125
高速CMOS逻辑
四缓冲器，三态
描述
哈里斯CD74HC125和CD74HCT125包含4个不知疲倦
悬垂的三态缓冲器，每一个都具有自己的输出
使能输入端，其中，当“高”将输出的高
阻抗状态
1997年11月
特点
三态输出
独立的输出使能输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC125
,
CD74
HCT12
5)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四
缓冲液，
三
状态）
订购信息
产品型号
CD74HC125E
CD74HCT125E
CD74HC125M
CD74HCT125M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
号
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
引脚
CD74HC125 ， CD74HCT125
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1771.1
1
CD74HC125 ， CD74HCT125
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
注意：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗，关闭状态
诺埃
L
L
H
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD74HC125 ， CD74HCT125
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC125 ， CD74HCT125
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
三态泄漏
当前
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
-
6
6
民
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
IL
or
V
IH
-
5.5
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐， NOE
单位负载
1
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD74HC125 ， CD74HCT125
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟时间
nA至纽约
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
29
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
26
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
关闭延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注5,6）
HCT类型
传播延迟时间
nA至纽约
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
10
-
10
-
11
-
-
-
34
25
-
25
-
28
-
12
10
20
-
31
-
31
-
35
-
15
10
20
-
38
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注5,6）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
6. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
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